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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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SEMIKRON - SEMIX252GB126HDS - 晶体管 IGBT模块 2X1200V |
模块配置:1 Pair Series Connection
晶体管极性:N Channel
集电极直流电流:270A
饱和电压, Vce sat 最大:2.15V
电压, Vceo:1.2V
工作温度范围:-40°C to +150°C
封装类型:SEMiX 2s
封装类型:SEMiX 2s
晶体管类型:IGBT Module
表面安装器件:螺丝安装
上升时间:45ns
最大连续电流, Ic:270A
电压, Vces:1200V
电压, Vrrm:1200V
电流, Icm 脉冲:400A
电流, Ifs 最大:1000A
集电极电流, Ic 平均值:270A
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上海 0
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英国6 |
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SEMIKRON - SEMIX603GAR066HDS - 晶体管 IGBT模块 2X600V |
模块配置:Single with Diode
晶体管极性:N Channel
集电极直流电流:790A
饱和电压, Vce sat 最大:1.9V
电压, Vceo:1V
工作温度范围:-40°C to +175°C
封装类型:SEMiX 3s
封装类型:SEMiX 3s
晶体管类型:IGBT Module
表面安装器件:螺丝安装
上升时间:145ns
最大连续电流, Ic:790A
电压, Vces:600V
电压, Vrrm:600V
电流, Icm 脉冲:1200A
电流, Ifs 最大:1800A
集电极电流, Ic 平均值:790A
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无库存 |
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SEMIKRON - SEMIX402GB066HDS - 晶体管 IGBT模块 2X600V |
晶体管极性:N Channel
集电极直流电流:509A
饱和电压, Vce sat 最大:1.9V
电压, Vceo:1V
工作??度范围:-40°C to +175°C
封装类型:SEMiX 2s
封装类型:SEMiX 2s
晶体管类型:IGBT Module
表面安装器件:螺丝安装
上升时间:125ns
最大连续电流, Ic:530A
电压, Vces:600V
电压, Vrrm:1600V
电流, Icm 脉冲:800A
电流, Ifs 最大:1800A
集电极电流, Ic 平均值:530A
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无库存 |
1 |
1 |
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SEMIKRON - SKM 145GB123D - 晶体管 IGBT模块 Vceo:1200V Case 2 |
晶体管 IGBT模块 Vceo:1200V Case 2
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上海 0
美国9
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FUJI ELECTRIC - 2MBI100S-120 - 晶体管 IGBT模块 1200V 100A |
模块配置:1 Pair Series Connection
晶体管极性:N 通道
集电极直流电流:100A
饱和电???, Vce sat 最大:2.6V
最大功耗:690W
电压, Vceo:1200V
封装类型:M234
外宽:108mm
外部深度:62mm
外部长度/高度:30mm
封装类型:M234
晶体管数:2
晶体管类型:IGBT Module
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:螺丝安装
重量:0.4kg
上升时间:600ns
下降时间:300ns
功率, Pd:780W
功耗:780W
最大连续电流, Ic:100A
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压, Vces:1200V
电流, Ic @ Vce饱和:75A
电流, Icm 脉冲:300A
隔离电压:2500V
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新加坡 0
英国1 |
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FUJI ELECTRIC - 2MBI75S-120 - 晶体管 IGBT模块 1200V 75A |
模块配置:1 Pair Series Connection
晶体管极性:N 通道
集电极直流电流:100A
饱和电压, Vce sat 最大:2.6V
最大功耗:600W
电压, Vceo:1200V
封装类型:M232
外宽:92mm
外部深度:34mm
外部长度/高度:30mm
封装类型:M232
晶体管数:2
晶体管类型:IGBT Module
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:螺丝安装
重量:0.18kg
上升时间:600ns
下降时间:300ns
功率, Pd:600W
功耗:600W
最大连续电流, Ic:100A
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压, Vces:1200V
电流, Ic @ Vce饱和:75A
电??, Icm 脉冲:200A
隔离电压:2500V
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上海 0
新加坡 0
英国59 |
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FUJI ELECTRIC - 2MBI400N-060 - 晶体管 IGBT模块 600V 400A |
模块配置:1 Pair Series Connection
晶体管极性:N 通道
集电极直流电流:400A
饱和电压, Vce sat 最大:2.8V
最大功耗:1.5kW
电压, Vceo:600V
封装类型:M235
外宽:108mm
外部深度:62mm
外部长度/高度:30mm
封装类型:M235
晶体管数:2
晶体管类型:IGBT Module
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:螺丝安装
重量:0.18kg
上升时间:600ns
下降时间:350ns
功率, Pd:1500W
功耗:1500W
最大连续电流, Ic:400A
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压, Vces:600V
电流, Ic @ Vce饱和:400A
电流, Icm 脉冲:800A
隔离电压:2500V
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上海 0
新加坡 0
英国11 |
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FUJI ELECTRIC - 2MBI200N-060 - 晶体管 IGBT模块 600V 200A |
模块配置:1 Pair Series Connection
晶体管极性:N 通道
集电极直流电流:200A
饱和电压, Vce sat 最大:2.8V
最大功耗:780W
电压, Vceo:600V
封装类型:M233
外宽:92mm
外部深度:45mm
外部长度/高度:30mm
封装类型:M233
晶体管数:2
晶体管类型:IGBT Module
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:螺丝安装
重量:0.18kg
上升时间:600ns
下降时间:350ns
功率, Pd:780W
功耗:780W
最大连续电流, Ic:200A
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压, Vces:600V
电流, Ic @ Vce饱和:200A
电流, Icm 脉冲:400A
隔离电压:2500V
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上海 0
新加坡 0
英国3 |
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FUJI ELECTRIC - 2MBI150N-060 - 晶体管 IGBT模块 600V 150A |
模块配置:1 Pair Series Connection
晶体管极性:N 通道
集电极直流电流:150A
饱和电压, Vce sat 最大:2.8V
最大功耗:600W
电压, Vceo:600V
封装类型:M233
外宽:92mm
外部深度:45mm
外部长度/高度:30mm
封装类型:M233
晶体管数:2
晶体管类型:IGBT Module
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:螺丝安装
重量:0.18kg
上升时间:600ns
下降时间:350ns
功率, Pd:600W
功耗:600W
最大连续电流, Ic:150A
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压, Vces:600V
电流, Ic @ Vce饱和:150A
电流, Icm 脉冲:300A
隔离电压:2500V
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上海 0
新加坡 0
英国3 |
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FUJI ELECTRIC - 2MBI100N-060 - 晶体管 IGBT模块 600V 100A |
模块配置:1 Pair Series Connection
晶体管极性:N 通道
集电极直流电流:100A
饱和电压, Vce sat 最大:2.8V
最大功耗:400W
电压, Vceo:600V
封装类型:M232
外宽:92mm
外部深度:34mm
外部长度/高度:30mm
封装类型:M232
晶体管数:2
晶体管类型:IGBT Module
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:螺丝安装
重量:0.18kg
上升时间:600ns
下降时间:350ns
功率, Pd:400W
功耗:400W
最大连续电流, Ic:100A
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压, Vces:600V
电流, Ic @ Vce饱和:100A
电流, Icm 脉冲:200A
隔离电压:2500V
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无库存 |
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FUJI ELECTRIC - 2MBI50N-060 - 晶体管 IGBT模块 600V 50A |
模块配置:1 Pair Series Connection
晶体管极性:N 通道
集电极直流电流:50A
饱和电压, Vce sat ???大:2.8V
最大功耗:250W
电压, Vceo:600V
封装类型:M232
外宽:92mm
外部深度:34mm
外部长度/高度:30mm
封装类型:M232
晶体管数:2
晶体管类型:IGBT Module
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:螺丝安装
重量:0.18kg
上升时间:600ns
下降时间:350ns
功率, Pd:250W
功耗:250W
最大连续电流, Ic:50A
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压, Vces:600V
电流, Ic @ Vce饱和:50A
电流, Icm 脉冲:100A
隔离电压:2500V
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上海 0
新加坡 0
英国2 |
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SEMIKRON - SEMIX 353GD176HDC - 晶体管 IGBT模块 6晶体管 1700V |
模块配置:Three Phase Inverter
晶体管极性:N Channel
集电极直流电流:365A
饱和电压, Vce sat 最大:2.45V
电压, Vceo:1700V
工作温度范围:-40°C to +150°C
封装类型:SEMiX 33c
外宽:162mm
外部深度:150mm
封装类型:SEMiX 33c
晶体管数:6
晶体管类型:IGBT Module
表面安装器件:螺丝安装
SMD标号:SEMiX 33c
上升时间:75ns
安装孔中心距:50mm
安装孔直径:5.5mm
最大连续电流, Ic:380A
温度 @ 电流测量:25°C
电压:1700V
电压, Vces:1700V
电流, Icm 脉冲:380A
集电极电流, Ic 平均值:380A
集电极连续电流, Ic 最大值:270A
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无库存 |
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SEMIKRON - SEMIX 101GD126HDS - 晶体管 IGBT模块 6晶体管 1200V |
模块配置:Three Phase Inverter
晶体管极性:N Channel
集电极直流电流:130A
饱和电压, Vce sat 最大:2.15V
电压, Vceo:1200V
工作温度范围:-40°C to +150°C
封装类型:SEMiX 13s
外宽:137.8mm
外部深度:61.7mm
封装类型:SEMiX 13s
晶体管数:6
晶体管类型:IGBT Module
表面安装器件:螺丝安装
SMD标号:SEMiX13s
上升时间:39ns
安装孔中心距:50mm
安装孔直径:5.4mm
最大连续电流, Ic:120A
温度 @ 电流测量:25°C
电压:1200V
电压, Vces:1200V
电流, Icm 脉冲:120A
集电极电流, Ic 平均值:120A
集电极连续电流, Ic 最大值:85A
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英国2 |
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SEMIKRON - SK35GD126ET - 晶体管 IGBT模块 6晶体管 1200V |
模块配置:Three Phase Inverter
晶体管极性:N Channel
集电极直流电流:40A
饱和电压, Vce sat 最大:2.1V
电压, Vceo:1200V
工作温度范围:-40°C to +150°C
封装类型:SEMITOP 3
外宽:55mm
外部深度:31mm
封装类型:SEMITOP 3
晶体管数:6
晶体管类型:IGBT Module
表面安装器件:螺丝安装
SMD标号:SEMITOP3
上升时间:30ns
功率, Pd:1050W
安装孔中心距:52.5mm
安装孔直径:2mm
最大连续电流, Ic:40A
温度 @ 电流测量:25°C
电压:1200V
电压, Vces:1200V
电流, Icm 脉冲:80A
集电极电流, Ic 平均值:40A
集电极连续电流, Ic 最大值:32A
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英国7 |
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SEMIKRON - SK20GH123 - 晶体管 IGBT模块 半桥 1200V |
模块配置:Three Phase Inverter
晶体管极性:N Channel
集电极直流电流:23A
饱和电压, Vce sat 最大:3V
电压, Vceo:1200V
工作温度范围:-40°C to +150°C
封装类型:SEMITOP 2
外宽:40.5mm
外部深度:28mm
封装类型:SEMITOP 2
晶体管数:4
晶体管类型:IGBT Module
表面安装器件:螺丝安装
SMD标号:SEMITOP2
上升时间:45ns
功率, Pd:1400W
安装孔中心距:38mm
安装孔直径:2mm
最大连续电流, Ic:23A
温度 @ 电流测量:25°C
电压:1200V
电压, Vces:1200V
电流, Icm 脉冲:46A
集电极电流, Ic 平均值:23A
集电极连续电流, Ic 最大值:15A
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