IC产品 IGBT阵列 - 北京齐天芯科技有限公司

图片	型号	产品描述	库存状况	包装规格	单位价格 (不含税)
	SEMIKRON - SKM600GB126D - 晶体管 IGBT模块双晶体管 1200V	晶体管极性:N 集电极直流电??:660A 饱和电压, Vce sat 最大:2.15V 电压, Vceo:1200V 封装类型:SEMITRANS 3 外宽:105mm 外部深度:61.4mm 封装类型:SEMITRANS 3 晶体管数:2 晶体管类型:IGBT SMD标号:SEMITRANS 3 上升时间:60ns 安装孔中心距:93mm 安装孔直径:5.4mm 最大连续电流, Ic:660A 温度 @ 电流测量:25°C 电压:1200V 电压, Vces:1200V 电流, Icm 脉冲:490A 集电极电流, Ic 平均值:660A 集电极连续电流, Ic 最大值:460A	无库存	1	1
	SEMIKRON - SKM400GB126D - 晶体管 IGBT模块双晶体管 1200V	晶体管极性:N Channel 集电极直流电流:470A 饱和电压, Vce sat 最大:1.2V 电压, Vceo:1200V 封装类型:SEMITRANS 3 针脚数:7 外宽:105mm 外部深度:61.4mm 封装类型:SEMITRANS 3 晶体管数:2 晶体管类型:IGBT Module 表面安装器件:螺丝安装 SMD标号:SEMITRANS 3 上升时间:40ns 安装孔中心距:93mm 安装孔直径:5.4mm 最大连续电流, Ic:260A 温度 @ 电流测量:25°C 电压:1200V 电压, Vces:1200V 电流, Icm 脉冲:200A 集电极电流, Ic 平均值:260A 集电极连续电流, Ic 最大值:190A	上海 0 新加坡 0 英国1	1	1
	SEMIKRON - SKM300GB126D - 晶体管 IGBT模块双晶体管 1200V	晶体管极性:N Channel 集电极直流电流:310A 饱和电压, Vce sat 最大:2.15V 电压, Vceo:1200V 封装类型:SEMITRANS 3 针脚数:7 外宽:105mm 外部深度:61.4mm 封装类型:SEMITRANS 3 晶体管数:2 晶体管类型:IGBT Module 表面安装器件:螺丝安装 SMD标号:SEMITRANS 3 上升时间:110ns 安装孔中心距:93mm 安装孔直径:5.4mm 最大连续电流, Ic:310A 温度 @ 电流测量:25°C 电压:1200V 电压, Vces:1200V 电流, Icm 脉冲:400A 集电极电流, Ic 平均值:310A 集??极连续电流, Ic 最大值:200A	停产	1	1
	SEMIKRON - SKM200GB126D - 晶体管 IGBT模块双晶体管 1200V	晶体管极性:N Channel 集电极直流电流:260A 饱和电压, Vce sat 最大:2.15V 电压, Vceo:1200V 工作温度范围:-40°C to +150°C 封装类型:SEMITRANS 3 外宽:105mm 外部深度:61.4mm 封装类型:SEMITRANS 3 晶体管数:2 晶体管类型:IGBT Module 表面安装器件:螺丝安装 SMD标号:SEMITRANS 3 上升时间:40ns 功率, Pd:220W 安装孔中心距:93mm 安装孔直径:5.4mm 最大连续电流, Ic:260A 温度 @ 电流测量:25°C 电压:1200V 电压, Vces:1200V 电流, Icm 脉冲:200A 集电极电流, Ic 平均值:260A 集电极连续电流, Ic 最大值:190A	上海 0 新加坡 0 英国1	1	1
	FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FSAM30SH60A - 智能功率模块	晶体管极性:NPN 饱和电压, Vce sat 最大:2.5V 电压, Vceo:600V 封装类型:SPM32-AA 封装类型:SPM32-AA 晶体管类型:IGBT Module 表面安装器件:通孔安装上升时间:390ns 功率, Pd:62W 功耗:62W 最大连续电流, Ic:30A 电压, Vces:600V 电流, Icm 脉冲:60A	无库存	1	1
	FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FSAM20SH60A - 智能功率模块	晶体管极性:NPN 饱和电压, Vce sat 最大:2.5V 电压, Vceo:600V 封装类型:SPM32-AA 封装类型:SPM32-AA 晶体管类型:IGBT Module 表面安装器件:通孔安装上升时间:350ns 功率, Pd:59W 功耗:59W 最大连续电流, Ic:20A 电压, Vces:600V 电流, Icm 脉冲:40A	美国 0 上海 0 美国9 新加坡 0 英国 0	1	1
	FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FSAM15SH60A - 智能功率模块	晶体管极性:NPN 集电极直流电流:15A 饱和电压, Vce sat 最大:2.5V 最大功耗:50W 电压, Vceo:600V 工作温度范围:-20°C to +125°C 封装类型:SPM32-AA SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010) 封装类型:SPM32-AA 晶体管类型:IGBT Module 表面安装器件:通孔安装 SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010) 上升时间:340ns 功率, Pd:50W 功耗:50W 最大连续电流, Ic:15A 电压, Vces:600V 电流, Icm 脉冲:30A	上海 0 新加坡3 英国 0	1	1
	FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FSAM10SH60A - 智能功率模块	晶体管极性:NPN 集电极直流电流:10A 饱和电压, Vce sat 最大:2.5V 最大功耗:43W 电压, Vceo:600V 工作温度范围:-20°C to +125°C 封装类型:SPM32-AA SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010) 封装类型:SPM32-AA 晶体管类型:IGBT Module 表面安装器件:通孔安装 SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010) 上升时间:270ns 功率, Pd:43W 功耗:43W 最大连续电流, Ic:10A 电压, Vces:600V 电流, Icm 脉冲:20A	上海 0 新加坡2 英国99	1	1
	FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FMG2G75US60 - 晶体管 IGBT模块 75A 600V	模块配置:1 Pair Series Connection 晶体管极性:NPN 集电极直流电流:75A 饱和电压, Vce sat 最大:2.8V 最大功耗:310W 电压, Vceo:600V 工作温度范围:-40°C to +150°C 封装类型:7PM-GA SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010) 外部深度:93mm 封装类型:7PM-GA 晶体管数:2 晶体管类型:IGBT Module 表面安装器件:螺丝安装针脚配置:C2E1, E2, C1, G2, E2, E1, G1 SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010) 上升时间:40ns 功率, Pd:310W 功???:310W 安装孔中心距:80mm 安装孔直径:5.4mm 最大连续电流, Ic:75A 电压, Vces:600V 电流, Icm 脉冲:150A	停产	1	1
	FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FMG2G75US120 - 晶体管 IGBT模块 75A 1200V	晶体管极性:NPN 饱和电压, Vce sat 最大:3V 电压, Vceo:1200V 封装类型:7PM-GA 外部深度:93mm 封装类型:7PM-GA 晶体管数:2 晶体管类型:IGBT 针脚配置:C2E1, E2, C1, G2, E2, E1, G1 上升时间:80ns 功率, Pd:445W 安装孔中心距:80mm 安装孔直径:5.4mm 最大连续电流, Ic:75A 电压, Vces:1200V 电流, Icm 脉冲:150A	停产	1	1
	FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FMG2G50US60 - 晶体管 IGBT模块 50A 600V	晶体管极性:NPN 饱和电压, Vce sat 最大:2.8V 电压, Vceo:600V 封装类型:7PM-GA SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010) 外部深度:93mm 封装类型:7PM-GA 晶体管数:2 晶体管类型:IGBT 表面安装器件:螺丝安装针脚配置:C2E1, E2, C1, G2, E2, E1, G1 SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010) 上升时间:30ns 功率, Pd:250W 功耗:250W 安装孔中心距:80mm 安装孔直径:5.4mm 最大连续电流, Ic:50A 电压, Vces:600V 电流, Icm 脉冲:100A	无库存	1	1
	FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FMG2G50US120 - 晶体管 IGBT模块 50A 1200V	晶体管极性:NPN 饱和电压, Vce sat 最大:3V 电压, Vceo:1200V 封装类型:7PM-GA 外部深度:93mm 封装类型:7PM-GA 晶体管数:2 晶体管类型:IGBT 针脚配置:C2E1, E2, C1, G2, E2, E1, G1 上升时间:80ns 功率, Pd:320W 安装孔中心距:80mm 安装孔直径:5.4mm 最大连续电流, Ic:50A 电压, Vces:1200V 电流, Icm 脉冲:100A	停产	1	1
	POWEREX - PS21353-GP - 晶体管 IGBT模块 20W Vceo:600V	晶体管 IGBT模块 20W Vceo:600V	无库存	1	1
	POWEREX - CM1000DU-34NF - 晶体管 IGBT模块 1000A 1700V	晶体管 IGBT模块 1000A 1700V	无库存	1	1
	POWEREX - CM400DU-5F - 晶体管 IGBT模块 1600W 400A 250V	晶体管 IGBT模块 1600W 400A 250V	无库存	1	1
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