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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
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SEMIKRON - SK50GB065 - 晶体管 IGBT模块 双晶体管 600V |
晶体管极性:N Channel
集电极直流电???:54A
饱和电压, Vce sat 最大:2V
电压, Vceo:600V
封装类型:SEMITOP 2
针脚数:8
外宽:40.5mm
外部深度:28mm
封装类型:SEMITOP 2
晶体管数:2
晶体管类型:IGBT Module
表面安装器件:螺丝安装
SMD标号:SEMITOP2
上升时间:30ns
功率, Pd:850W
安装孔中心距:38mm
安装孔直径:2mm
最大连续电流, Ic:54A
温度 @ 电流测量:25°C
电压:600V
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:48A
集电极电流, Ic 平均值:54A
集电极连续电流, Ic 最大值:40A
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无库存 |
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1 |
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SEMIKRON - SK25GB065 - 晶体管 IGBT模块 双晶体管 600V |
晶体管极性:N
集电极直流电流:30A
饱和电压, Vce sat 最大:2V
电压, Vceo:600V
封装类型:SEMITOP 1
针脚数:5
外宽:31mm
外部深度:24mm
封装类型:SEMITOP 1
晶体管数:2
晶体管类型:IGBT
表面安装器件:螺丝安装
SMD标号:SEMITOP1
上升时间:35ns
功率, Pd:1400W
安装孔中心距:28.5mm
安装孔直径:2mm
最大连续电流, Ic:30A
温度 @ 电流测量:25°C
电压:600V
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:24A
集电极电流, Ic 平均值:30A
集??极连续电流, Ic 最大值:21A
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无库存 |
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SEMIKRON - SK15GH063 - 晶体管 IGBT模块 半桥 600V |
晶体管极性:N
饱和电压, Vce sat 最大:2.7V
电压, Vceo:600V
封装类型:SEMITOP 2
外宽:40.5mm
外部深度:28mm
封装类型:SEMITOP 2
晶体管数:4
晶体管类型:IGBT
SMD标号:SEMITOP2
上升时间:50ns
功率, Pd:1900W
安装孔中心距:38mm
安装孔直径:2mm
最大连续电流, Ic:20A
温度 @ 电流测量:25°C
电压:600V
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:22A
集电极电流, Ic 平均值:20A
集电极连续电流, Ic 最大值:14A
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无库存 |
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SEMIKRON - SK80GB063 - 晶体管 IGBT模块 双晶体管 600V |
晶体管极性:N
集电极直流电流:81A
饱和电压, Vce sat 最大:1.9V
电压, Vceo:600V
工作温度范围:-40°C to +150°C
封装类型:SEMITOP 3
针脚数:13
外宽:55mm
外部深度:31mm
封装类型:SEMITOP 3
晶体管数:2
晶体管类型:IGBT
SMD标号:SEMITOP3
上升时间:30ns
功率, Pd:600W
安装孔中心距:52.8mm
安装孔直径:2mm
最大连续电流, Ic:81A
温度 @ 电流测量:25°C
电压:600V
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:79A
集电极电流, Ic 平均值:81A
集电极连续电流, Ic 最大值:57A
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无库存 |
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1 |
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SEMIKRON - SK80GM063 - 晶体管 IGBT模块 反并联二极管对 600V |
晶体管极性:N
饱和电压, Vce sat 最大:2.1V
电压, Vceo:600V
封装类型:SEMITOP 2
外宽:40.5mm
外部深度:28mm
封装类型:SEMITOP 2
晶体管数:2
晶体管类型:IGBT
SMD标号:SEMITOP2
上升时间:35ns
功率, Pd:600W
安装孔中心距:38mm
最大连续电流, Ic:81A
温度 @ 电流测量:25°C
电压:600V
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:105A
集电极电流, Ic 平均值:81A
集电极连续电流, Ic 最大值:57A
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无库存 |
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SEMIKRON - SK25GAL063 - 晶体管 IGBT模块 斩波 600V |
晶体管极性:N
饱和电压, Vce sat 最大:2.2V
电压, Vceo:600V
封装类型:SEMITOP 1
外宽:31mm
外部深度:24mm
封装类型:SEMITOP 1
晶体管数:1
晶体管类型:IGBT
SMD标号:SEMITOP1
上升时间:35ns
功率, Pd:1400W
安装孔中心距:28.5mm
安装孔直径:2mm
最大连续电流, Ic:30A
温度 @ 电流测量:25°C
电压:600V
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:36A
集电极电流, Ic 平均值:30A
集电极连续电流, Ic 最大值:21A
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无库存 |
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SEMIKRON - SKM600GB066D - 晶体管 IGBT模块 双晶体管 600V |
模块配置:1 Pair Series Connection
晶体管极性:N Channel
集电极直流电流:760A
饱和电压, Vce sat 最大:1.9V
电压, Vceo:600V
工作温度范围:-40°C to +175°C
封装类型:SEMITRANS 3
外宽:105mm
外部深度:61.4mm
封装类型:SEMITRANS 3
晶体管数:2
晶体管类型:IGBT Module
表面安装器件:螺丝安装
SMD标号:SEMITRANS 3
上升时间:77ns
安装孔中心距:93mm
安装孔直径:5.4mm
最大连续电流, Ic:690A
温度 @ 电流测量:25°C
电压:600V
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:590A
集电极电流, Ic 平均值:690A
集电极连续电流, Ic 最大值:480A
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无库存 |
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SEMIKRON - SKM300GB066D - 晶体管 IGBT模块 双晶体管 600V |
晶体管极性:N
饱和电压, Vce sat ???大:1.9V
电压, Vceo:600V
封装类型:SEMITRANS 3
外宽:105mm
外部深度:61.4mm
封装类型:SEMITRANS 3
晶体管数:2
晶体管类型:IGBT
SMD标号:SEMITRANS 3
上升时间:48ns
安装孔中心距:93mm
安装孔直径:5.4mm
最大连续电流, Ic:340A
温度 @ 电流测量:25°C
电压:600V
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:300A
集电极电流, Ic 平均值:340A
集电极连续电流, Ic 最大值:240A
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无库存 |
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SEMIKRON - SKM195GB066D - 晶体管 IGBT模块 双晶体管 600V |
晶体管极性:N
集电极直流电流:265A
饱和电压, Vce sat 最大:1.9V
电压, Vceo:600V
封装类型:SEMITRANS 2
针脚数:7
外宽:90mm
外部深度:35mm
封装类型:SEMITRANS 2
晶体管数:2
晶体管类型:IGBT
表面安装器件:螺丝安装
SMD标号:SEMITRANS 2
上升时间:49ns
安装孔中心距:80mm
安装孔直径:6.4mm
最大连续电流, Ic:220A
温度 @ 电流测量:25°C
电压:600V
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:190A
集电极电流, Ic 平均值:220A
集电极连续电流, Ic 最大值:160A
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无库存 |
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SEMIKRON - SKM100GB063D - 晶体管 IGBT模块 双晶体管 600V |
晶体管极性:N
集电极直流电流:130A
饱和电压, Vce sat 最大:2.5V
电压, Vceo:600V
封装类型:SEMITRANS 2
针脚数:7
外宽:90mm
外部深度:35mm
封装类型:SEMITRANS 2
晶体管数:2
晶体管类型:IGBT
表面安装器件:螺丝安装
SMD标号:SEMITRANS 2
上升时间:40ns
安装孔中心距:80mm
安装孔直径:6.4mm
最大连续电流, Ic:130A
温度 @ 电流测量:25°C
电压:600V
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:100A
集电极电流, Ic 平均值:130A
集电极连续电流, Ic 最大值:100A
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无库存 |
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SEMIKRON - SKM50GB063D - 晶体管 IGBT模块 双晶体管 600V |
模块配置:1 Pair Series Connection
晶体管极性:N Channel
集电极直流电流:70A
饱和电压, Vce sat 最大:2.5V
电压, Vceo:600V
工作温度范围:-40°C to +150°C
封装类型:SEMITRANS 2
外宽:90mm
外部深度:35mm
封装类型:SEMITRANS 2
晶体管数:2
晶体管类型:IGBT Module
表面安装器件:螺丝安装
SMD标号:SEMITRANS 2
上升时间:40ns
安装孔中心距:80mm
安装孔直径:6.4mm
最大连续电流, Ic:70A
温度 @ 电流测量:25°C
电压:600V
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:70A
集电极电流, Ic 平均值:70A
集电极连续电流, Ic 最大值:50A
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上海 0
新加坡 0
英国5 |
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SEMIKRON - SKM400GB176D - 晶体管 IGBT模块 双晶体管 1700V |
晶体管极性:N Channel
集电极直流电流:440A
饱和电压, Vce sat 最大:2.4V
电压, Vceo:1700V
封装类型:SEMITRANS 3
针脚数:7
外宽:105mm
外部深度:61.4mm
封装类型:SEMITRANS 3
晶体管数:2
晶体管类型:IGBT Module
表面安装器件:螺丝安装
SMD标号:SEMITRANS 3
上升时间:55ns
安装孔中心距:93mm
安装孔直径:5.4mm
最大连续电流, Ic:430A
温度 @ 电流测量:25°C
电压:1700V
电压, Vces:1700V
电流, Icm 脉冲:440A
集电极电流, Ic 平均值:430A
集电极连续电流, Ic 最大值:310A
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上海 0
新加坡 0
英国8 |
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SEMIKRON - SKM200GB176D - 晶体管 IGBT模块 双晶体管 1700V |
晶体管极性:N
集电极直流电??:260A
饱和电压, Vce sat 最大:2.45V
电压, Vceo:1700V
工作温度范围:-40°C to +150°C
封装类型:SEMITRANS 3
针脚数:7
外宽:105mm
外部深度:61.4mm
封装类型:SEMITRANS 3
晶体管数:2
晶体管类型:IGBT
SMD标号:SEMITRANS 3
上升时间:140ns
安装孔中心距:93mm
安装孔直径:5.4mm
最大连续电流, Ic:260A
温度 @ 电流测量:25°C
电压:1700V
电压, Vces:1700V
电流, Icm 脉冲:210A
集电极电流, Ic 平均值:260A
集电极连续电流, Ic 最大值:180A
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无库存 |
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SEMIKRON - SKM100GB176D - 晶体管 IGBT模块 双晶体管 1700V |
晶体管极性:N Channel
集电极直流电流:125A
饱和电压, Vce sat 最大:2.45V
电压, Vceo:1700V
封装类型:SEMITRANS 2
针脚数:7
外宽:90mm
外部深度:35mm
封装类型:SEMITRANS 2
晶体管数:2
晶体管类型:IGBT Module
表面安装器件:螺丝安装
SMD标号:SEMITRANS 2
上升时间:140ns
安装孔中心距:80mm
安装孔直径:6.4mm
最大连续电流, Ic:125A
温度 @ 电流测量:25°C
电压:1700V
电压, Vces:1700V
电流, Icm 脉冲:100A
集电极电流, Ic 平均值:125A
集电极连续电流, Ic 最大值:90A
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无库存 |
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SEMIKRON - SKM300GAL128D - 晶体管 IGBT模块 斩波 1200V |
晶体管极性:N
饱和电压, Vce sat 最大:1.15V
电压, Vceo:1200V
封装类型:SEMITRANS 3
外宽:105mm
外部深度:61.4mm
封装类型:SEMITRANS 3
晶体管数:1
晶体管类型:IGBT
SMD标号:SEMITRANS 3
上升时间:55ns
安装孔中心距:93mm
安装孔直径:5.4mm
最大连续电流, Ic:370A
温度 @ 电流测量:25°C
电压:1200V
电压, Vces:1200V
电流, Icm 脉冲:260A
集电极电流, Ic 平均值:370A
集电极连续电流, Ic 最大值:265A
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