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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - SA18A - 二极管 TVS 500W 18V |
电压, Vrwm:18V
击穿电压范围:20V to 22.1V
钳位电压 最大:29.2V
二极管配置:Unidirectional
峰值脉冲电流:17.2A
封装形式:DO-15
针脚数:2
功耗:1W
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
主体直径:3.56mm
二极管类型:TVS, 单向
击穿电压 最小:20V
外部长度/高度:7.62mm
封装类型:DO-15
封装类型, 替代:DO-204AC
截止电压:18V
最高击穿电压:22.1V
极性, 单向/双向:单向
测试电流:1mA
漏电流:1μA
电压 Vbr:22.1V
脉冲峰值功率:500W
表面安装器件:轴向引线
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海 0
新加坡327
英国3117 |
1 |
5 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - SA15CA - 二极管 TVS 500W 15V |
电压, Vrwm:15V
钳位电压 最大:24.4V
二极管配置:Bidirectional
峰值脉冲电流:20.6A
封装形式:DO-15
针脚数:2
功耗:1W
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
主体直径:3.56mm
二极管类型:TVS, 双向
击穿电压 最小:16.7V
器件标记:SA15CA
外部长度/高度:7.62mm
封装类型:DO-15
封装类型, 替代:DO-204AC
截止电压:15V
最高击穿电压:18.5V
极性, 单向/双向:双向
测试电流:1mA
漏电流:1μA
电压 Vbr:16.7V
脉冲峰值功率:500W
表面安装器件:轴向引线
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海 0
美国 0
新加坡621
英国1640 |
1 |
5 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - SA15A - 二极管 TVS 500W 15V |
电压, Vrwm:15V
钳位电压 最大:24.4V
二极管配置:Unidirectional
峰值脉冲电流:20.6A
封装形式:DO-15
针脚数:2
功耗:1W
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
主体直径:3.56mm
二极管类型:TVS, 单向
击穿电压 最小:16.7V
器件标记:SA15A
外部长度/高度:7.62mm
封装类型:DO-15
封装类型, 替代:DO-204AC
截止电压:15V
最高击穿电压:18.5V
极性, 单向/双向:单向
测试电流:1mA
漏电流:1μA
电压 Vbr:16.7V
脉冲峰值功率:500W
表面安装器件:轴向引线
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海300
新加坡25
英国4000 |
1 |
5 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - SA13CA - 二极管 TVS 500W 13V |
电压, Vrwm:13V
钳位电压 最大:21.5V
二极管配置:Bidirectional
峰值脉冲电流:23.2A
封装形式:DO-15
针脚数:2
功耗:1W
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
主体直径:3.56mm
二极管类型:TVS, 双向
击穿电压 最小:14.4V
外部长度/高度:7.62mm
封装类型:DO-15
封装类型, 替代:DO-204AC
截止电压:13V
最高击穿电压:15.9V
极性, 单向/双向:双向
测试电流:1mA
漏电流:1μA
电压 Vbr:14.4V
脉冲峰值功率:500W
表面安装器件:轴向引线
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海 0
新加坡 0
英国330 |
1 |
5 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - SA13A - 二极管 TVS 500W 13V |
电压, Vrwm:13V
钳位电压 最大:21.9V
二极管配置:Unidirectional
峰值脉冲电流:23.2A
封装形式:DO-15
针脚数:2
功耗:1W
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
主体直径:3.56mm
二极管类型:TVS, 单向
击穿电压 最小:14.4V
外部长度/高度:7.62mm
封装类型:DO-15
封装类型, 替代:DO-204AC
截止电压:13V
最高击穿电压:15.9V
极性, 单向/双向:单向
测试电流:1mA
漏电流:1μA
电压 Vbr:14.4V
脉冲峰值功率:500W
表面安装器件:轴向引线
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海 0
新加坡327
英国2505 |
1 |
5 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - SA12CA - 二极管 TVS 500W 12V |
电压, Vrwm:12V
钳位电压 最大:19.9V
二极管配置:Bidirectional
峰值脉冲电流:25.1A
封装形式:DO-15
针脚数:2
功耗:1W
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
主体直径:3.56mm
二极管类型:TVS, 双向
击穿电压 最小:13.3V
器件标记:SA12CA
外部长度/高度:7.62mm
封装类型:DO-15
封装类型, 替代:DO-204AC
截止电压:12V
最高击穿电压:14.7V
极性, 单向/双向:双向
测试电流:1mA
漏电流:1μA
电压 Vbr:13.3V
脉冲峰值功率:500W
表面安装器件:轴向引线
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海50
新加坡218
英国3520 |
1 |
5 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - SA12A - 二极管 TVS 500W 12V |
电压, Vrwm:12V
钳位电压 最大:19.9V
二极管配置:Unidirectional
峰值脉冲电流:25.1A
封装形式:DO-15
针脚数:2
功耗:1W
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
主体直径:3.56mm
二极管类型:TVS, 单向
击穿电压 最小:13.3V
器件标记:SA12A
外部长度/高度:7.62mm
封装类型:DO-15
封装类型, 替代:DO-204AC
截止电压:12V
最高击穿电压:14.7V
极性, 单向/双向:单向
测试电流:1mA
漏电流:1μA
电压 Vbr:13.3V
脉冲峰值功率:500W
表面安装器件:轴向引线
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海 0
新加坡300
英国4402 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - P6KE9V1CA - 二极管 TVS 600W 9.1V |
电压, Vrwm:7.78V
击穿电压范围:8.65V to 9.55V
钳位电压 最大:13.4V
二??管配置:Bidirectional
峰值脉冲电流:45A
封装形式:DO-15
针脚数:2
功耗:5W
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
主体直径:3.56mm
二极管类型:TVS, 双向
击穿电压 最小:8.65V
反向漏电流, 最大:50μA
外部长度/高度:7.62mm
封装类型:DO-15
封装类型, 替代:DO-204AC
工作温度范围:-65°C to +175°C
截止电压:7.78V
最高击穿电压:9.55V
极性, 单向/双向:双向
测试电流:1mA
漏电流:50μA
电压 Vbr:9.1V
脉冲峰值功率:600W
表面安装器件:轴向引线
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海 0
新加坡230
英国6960 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - P6KE9V1A - 二极管 TVS 600W 9.1V |
电压, Vrwm:7.78V
击穿电压范围:8.65V to 9.55V
钳位电压 最大:13.4V
二极管??置:Unidirectional
峰值脉冲电流:45A
封装形式:DO-15
针脚数:2
功耗:5W
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
主体直径:3.56mm
二极管类型:TVS, 单向
击穿电压 最小:8.65V
反向漏电流, 最大:50μA
外部长度/高度:7.62mm
封装类型:DO-15
封装类型, 替代:DO-204AC
截止电压:7.78V
最高击穿电压:9.55V
极性, 单向/双向:单向
测试电流:1mA
电压 Vbr:9.1V
脉冲峰值功率:600W
表面安装器件:轴向引线
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海 0
新加坡106
英国861 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - P6KE8V2CA - 二极管 TVS 600W 8.2V |
电压, Vrwm:7.02V
击穿电压范围:7.79V to 8.61V
钳位电压 最大:12.1V
二??管配置:Bidirectional
峰值脉冲电流:50A
封装形式:DO-15
针脚数:2
功耗:5W
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
主体直径:3.56mm
二极管类型:TVS, 双向
击穿电压 最小:7.79V
反向漏电流, 最大:200μA
外部长度/高度:7.62mm
封装类型:DO-15
封装类型, 替代:DO-204AC
工作温度范围:-65°C to +175°C
截止电压:7.02V
最高击穿电压:8.61V
极性, 单向/双向:双向
测试电流:1mA
漏电流:200μA
电压 Vbr:8.2V
脉冲峰值功率:600W
表面安装器件:轴向引线
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海 0
新加坡15
英国1692 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - P6KE8V2A - 二极管 TVS 600W 8.2V |
电压, Vrwm:7.02V
击穿电压范围:7.79V to 8.61V
钳位电压 最大:12.1V
二极管??置:Unidirectional
峰值脉冲电流:50A
封装形式:DO-15
针脚数:2
功耗:5W
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
主体直径:3.56mm
二极管类型:TVS, 单向
击穿电压 最小:7.79V
反向漏电流, 最大:200μA
外部长度/高度:7.62mm
封装类型:DO-15
封装类型, 替代:DO-204AC
截止电压:7.02V
最高击穿电压:8.61V
极性, 单向/双向:单向
测试电流:1mA
电压 Vbr:8.2V
脉冲峰值功率:600W
表面安装器件:轴向引线
SVHC(高度关注物质)(附??):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海 0
新加坡101
英国29012 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - P6KE7V5CA - 二极管 TVS 600W 7.5V |
电压, Vrwm:6.4V
钳位电压 最大:11.3V
二极管配置:Bidirectional
峰值脉???电流:53.1A
封装形式:DO-15
针脚数:2
功耗:5W
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
主体直径:3.56mm
二极管类型:TVS, 双向
击穿电压 最小:7.13V
反向漏电流, 最大:500μA
外部长度/高度:7.62mm
封装类型:DO-15
封装类型, 替代:DO-204AC
工作温度范围:-65°C to +175°C
截止电压:6.4V
最高击穿电压:7.88V
极性, 单向/双向:双向
测试电流:1mA
漏电流:500μA
电压 Vbr:7.5V
脉冲峰值功率:600W
表面安装器件:轴向引线
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海 0
新加坡3500
英国3660 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - P6KE7V5A - 二极管 TVS 600W 7.5V |
电压, Vrwm:6.4V
钳位电压 最大:11.3V
二极管配置:Unidirectional
峰值脉冲电流:53.1A
封装形式:DO-15
针脚数:2
功耗:5W
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
主体直径:3.56mm
二极管类型:TVS, 单向
击穿电压 最小:7.13V
反向漏电流, 最大:500μA
外部长度/高度:7.62mm
封装类型:DO-15
封装类型, 替代:DO-204AC
截止电压:6.4V
最高击穿电压:7.88V
极性, 单向/双向:单向
测试电流:1mA
电压 Vbr:7.5V
脉冲峰值功率:600W
表面安装器件:轴向引线
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海25
新加坡50
英国 0 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - P6KE6V8CA - 二极管 TVS 600W 6.8V |
电压, Vrwm:5.8V
钳位电压 最大:10.5V
二极管配置:Bidirectional
峰值脉???电流:57.1A
封装形式:DO-15
针脚数:2
功耗:5W
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
主体直径:3.56mm
二极管类型:TVS, 双向
击穿电压 最小:6.45V
反向漏电流, 最大:1000μA
器件标记:P6KE6V8CA
外部长度/高度:7.62mm
封装类型:DO-15
封装类型, 替代:DO-204AC
工作温度范围:-65°C to +175°C
截止电压:5.8V
最高击穿电压:7.14V
极性, 单向/双向:双向
测试电流:10mA
漏电流:1000μA
电压 Vbr:6.8V
脉冲峰值功率:600W
表面安装器件:轴向引线
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海1780
新加坡252
英国7359 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - P6KE6V8A - 二极管 TVS 600W 6.8V |
电压, Vrwm:5.8V
击穿电压范围:6.45V to 7.14V
钳位电压 最大:10.5V
二极管配置:Unidirectional
峰值脉冲电流:57.1A
封装形式:DO-15
针脚数:2
功耗:5W
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
主体直径:3.56mm
二极管类型:TVS, 单向
击穿电压 最小:6.45V
反向漏电流, 最大:1000μA
器件标记:P6KE6V8A
外部长度/高度:7.62mm
封装类型:DO-15
封装类型, 替代:DO-204AC
截止电压:5.8V
最高击穿电压:7.14V
极性, 单向/双向:单向
测试电流:10mA
电压 Vbr:6.8V
脉冲峰值功率:600W
表面安装器件:轴向引线
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海 0
新加坡281
英国8274 |
1 |
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