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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - P6KE68CA - 二极管 TVS 600W 68V |
电压, Vrwm:58.1V
钳位电压 最大:92V
二极管配置:Bidirectional
峰值脉冲电流:6.5A
封装形式:DO-15
针脚数:2
功耗:5W
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
主体直径:3.56mm
二极管类型:TVS, 双向
击穿电压 最小:64.6V
反向漏电流, 最大:5μA
外部长度/高度:7.62mm
封装类型:DO-15
封装类型, 替代:DO-204AC
工作温度范围:-65°C to +175°C
截止电压:58.1V
最高击穿电压:71.4V
极性, 单向/双向:双向
测试电流:1mA
漏电流:5μA
电压 Vbr:68V
脉冲峰值功率:600W
表面安装器件:轴向引线
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海5
新加坡58
英国2089 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - P6KE68A - 二极管 TVS 600W 68V |
电压, Vrwm:58.1V
钳位电压 最大:92V
二极管配置:Unidirectional
峰值脉冲电流:6.5A
封装形式:DO-15
针脚数:2
功耗:5W
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
主体直径:3.56mm
二极管类型:TVS, 单向
击穿电压 最小:64.6V
反向漏电流, 最大:5μA
外部长度/高度:7.62mm
封装类型:DO-15
封装类型, 替代:DO-204AC
截止电压:58.1V
最高击穿电压:71.4V
极性, 单向/双向:单向
测试电流:1mA
电压 Vbr:68V
脉冲峰值功率:600W
表面安装器件:轴向引线
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海 0
新加坡10
英国4056 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - P6KE62CA - 二极管 TVS 600W 62V |
电压, Vrwm:53V
钳位电压 最大:85V
二极管配置:Bidirectional
峰值脉冲电流:7.1A
封装形式:DO-15
针脚数:2
功耗:5W
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
主体直径:3.56mm
二极管类型:TVS, 双向
击穿电压 最小:58.9V
反向漏电流, 最大:5μA
器件标记:P6KE62CA
外部长度/高度:7.62mm
封装类型:DO-15
封装类型, 替代:DO-204AC
工作温度范围:-65°C to +175°C
截止电压:53V
最高击穿电压:65.1V
极性, 单向/双向:双向
测试电流:1mA
漏电流:5μA
电压 Vbr:62V
脉冲峰值功率:600W
表面??装器件:轴向引线
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海 0
新加坡22
英国4755 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - P6KE62A - 二极管 TVS 600W 62V |
电压, Vrwm:53V
钳位电压 最大:85V
二极管配置:Unidirectional
峰值脉冲电流:7.1A
封装形式:DO-15
针脚数:2
功耗:5W
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
主体直径:3.56mm
二极管类型:TVS, 单向
击穿电压 最小:58.9V
反向漏电流, 最大:5μA
器件标记:P6KE62A
外部长度/高度:7.62mm
封装类型:DO-15
封装类型, 替代:DO-204AC
截止电压:53V
最高击穿电压:65.1V
极性, 单向/双向:单向
测试电流:1mA
电压 Vbr:62V
脉冲峰值功率:600W
表面安装器件:轴向引线
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海 0
美国 0
新加坡525
英国 0 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - P6KE47CA - 二极管 TVS 600W 47V |
电压, Vrwm:40.2V
钳位电压 最大:64.8V
二极管配置:Bidirectional
峰值脉冲电流:9.3A
封装形式:DO-15
针脚数:2
功耗:5W
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
主体直径:3.56mm
二极管类型:TVS, 双向
击穿电压 最小:44.7V
反向漏电流, 最大:5μA
外部长度/高度:7.62mm
封装类型:DO-15
封装类型, 替代:DO-204AC
工作温度范围:-65°C to +175°C
截止电压:40.2V
最高击穿电压:49.4V
极性, 单向/双向:双向
测试电流:1mA
漏电流:5μA
电压 Vbr:47V
脉冲峰值功率:600W
表面安装器件:轴向引线
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海 0
新加坡5
英国668 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - P6KE47A - 二极管 TVS 600W 47V |
电压, Vrwm:40.2V
钳位电压 最大:64.8V
二极管配置:Unidirectional
峰值脉冲电流:9.3A
封装形式:DO-15
针脚数:2
功耗:5W
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
主体直径:3.56mm
二极管类型:TVS, 单向
击穿电压 最小:44.7V
反向漏电流, 最大:5μA
外部长度/高度:7.62mm
封装类型:DO-15
封装类型, 替代:DO-204AC
截止电压:40.2V
最高击穿电压:49.4V
极性, 单向/双向:单向
测试电流:1mA
电压 Vbr:47V
脉冲峰值功率:600W
表面安装器件:轴向引线
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海 0
新加坡44
英国3314 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - P6KE400CA - 二极管 TVS 600W 400V |
电压, Vrwm:342V
钳位电压 最大:548V
二极管配置:Bidirectional
峰值脉??电流:1.1A
封装形式:DO-15
针脚数:2
功耗:5W
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
主体直径:3.56mm
二极管类型:TVS, 双向
击穿电压 最小:380V
反向漏电流, 最大:5μA
外部长度/高度:7.62mm
封装类型:DO-15
封装类型, 替代:DO-204AC
工作温度范围:-65°C to +175°C
截止电压:342V
最高击穿电压:420V
极性, 单向/双向:双向
测试电流:1mA
漏电流:5μA
电压 Vbr:400V
脉冲峰值功率:600W
表面安装器件:轴向引线
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海 0
新加坡956
英国2261 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - P6KE400A - 二极管 TVS 600W 400V |
电压, Vrwm:342V
钳位电压 最大:548V
二极管配置:Unidirectional
峰值脉冲电???:1.1A
封装形式:DO-15
针脚数:2
功耗:5W
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
主体直径:3.56mm
二极管类型:TVS, 单向
击穿电压 最小:380V
反向漏电流, 最大:5μA
外部长度/高度:7.62mm
封装类型:DO-15
封装类型, 替代:DO-204AC
截止电压:342V
最高击穿电压:420V
极性, 单向/双向:单向
测试电流:1mA
电压 Vbr:400V
脉冲峰值功率:600W
表面安装器件:轴向引线
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海 0
新加坡7
英国1457 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - P6KE39CA - 二极管 TVS 600W 39V |
电压, Vrwm:33.3V
钳位电压 最大:53.9V
二极管配置:Bidirectional
峰值脉冲电流:11.2A
封装形式:DO-15
针脚数:2
功耗:5W
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
主体直径:3.56mm
二极管类型:TVS, 双向
击穿电压 最小:37.1V
反向漏电流, 最大:5μA
外部长度/高度:7.62mm
封装类型:DO-15
封装类型, 替代:DO-204AC
工作温度范围:-65°C to +175°C
截止电压:33.3V
最高击穿电压:41V
极性, 单向/双向:双向
测试电流:1mA
漏电流:5μA
电压 Vbr:39V
脉冲峰值功率:600W
表面安装器件:轴向引线
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海 0
新加坡240
英国110 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - P6KE39A - 二极管 TVS 600W 39V |
电压, Vrwm:33.3V
钳位电压 最大:53.9V
二极管配置:Unidirectional
峰值脉冲电流:11.2A
封装形式:DO-15
针脚数:2
功耗:5W
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
主体直径:3.56mm
二极管类型:TVS, 单向
击穿电压 最小:37.1V
反向漏电流, 最大:5μA
外部长度/高度:7.62mm
封装类型:DO-15
封装类型, 替代:DO-204AC
截止电压:33.3V
最高击穿电压:41V
极性, 单向/双向:单向
测试电流:1mA
电压 Vbr:39V
脉冲峰值功率:600W
表面安装器件:轴向引线
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海 0
新加坡 0
英国4494 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - P6KE36CA - 二极管 TVS 600W 36V |
电压, Vrwm:30.8V
钳位电压 最大:49.9V
二极管配置:Bidirectional
峰值脉冲电流:12A
封装形式:DO-15
针脚数:2
功耗:5W
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
主体直径:3.56mm
二极管类型:TVS, 双向
击穿电压 最小:34.2V
反向漏电流, 最大:5μA
外部长度/高度:7.62mm
封装类型:DO-15
封装类型, 替代:DO-204AC
工作温度范围:-65°C to +175°C
截止电压:30.8V
最高击穿电压:37.8V
极性, 单向/双向:双向
测试电流:1mA
漏电流:5μA
电压 Vbr:36V
脉冲峰值功率:600W
表面安装器件:轴向引线
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海 0
新加坡239
英国3001 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - P6KE36A - 二极管 TVS 600W 36V |
电压, Vrwm:30.8V
钳位电压 最大:49.9V
二极管配置:Unidirectional
峰值脉冲电流:12A
封装形式:DO-15
针脚数:2
功耗:5W
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
主体直径:3.56mm
二极管类型:TVS, 单向
击穿电压 最小:34.2V
反向漏电流, 最大:5μA
外部长度/高度:7.62mm
封装类型:DO-15
封装类型, 替代:DO-204AC
截止电压:30.8V
最高击穿电压:37.8V
极性, 单向/双向:单向
测试电流:1mA
电压 Vbr:36V
脉冲峰值功率:600W
表面安装器件:轴向引线
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海 0
新加坡74
英国3369 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - P6KE33CA - 二极管 TVS 600W 33V |
电压, Vrwm:28.2V
钳位电压 最大:45.7V
二极管配置:Bidirectional
峰值脉冲电流:13.2A
封装形式:DO-15
针脚数:2
功耗:5W
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
主体直径:3.56mm
二极管类型:TVS, 双向
击穿电压 最小:31.4V
反向漏电流, 最大:5μA
器件标记:P6KE33CA
外部长度/高度:7.62mm
封装类型:DO-15
封装类型, 替代:DO-204AC
工作温度范围:-65°C to +175°C
截止电压:28.2V
最高击穿电压:34.7V
极性, 单向/双向:双向
测试电流:1mA
漏电流:5μA
电压 Vbr:33V
脉冲峰值功率:600W
???面安装器件:轴向引线
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海 0
新加坡225
英国5702 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - P6KE33A - 二极管 TVS 600W 33V |
电压, Vrwm:28.2V
钳位电压 最大:45.7V
二极管配置:Unidirectional
峰值脉冲电流:13.2A
封装形式:DO-15
针脚数:2
功耗:5W
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
主体直径:3.56mm
二极管类型:TVS, 单向
击穿电压 最小:31.4V
反向漏电流, 最大:5μA
器件标记:P6KE33A
外部长度/高度:7.62mm
封装类型:DO-15
封装类型, 替代:DO-204AC
截止电压:28.2V
最高击穿电压:34.7V
极性, 单向/双向:单向
测试电流:1mA
电压 Vbr:33V
脉冲峰值功率:600W
表面安装器件:轴向引线
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上???85
新加坡40
英国5553 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - P6KE30CA - 二极管 TVS 600W 30V |
电压, Vrwm:25.6V
钳位电压 最大:41.4V
二极管配置:Bidirectional
峰值脉冲电流:14.5A
封装形式:DO-15
针脚数:2
功耗:5W
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
主体直径:3.56mm
二极管类型:TVS, 双向
击穿电压 最小:28.5V
反向漏电流, 最大:5μA
外部长度/高度:7.62mm
封装类型:DO-15
封装类型, 替代:DO-204AC
工作温度范围:-65°C to +175°C
截止电压:25.6V
最高击穿电压:31.5V
极性, 单向/双向:双向
测试电流:1mA
漏电流:5μA
电压 Vbr:30V
脉冲峰值功率:600W
表面安装器件:轴向引线
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海 0
新加坡 0
英国2700 |
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