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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - P6KE15A - 二极管 TVS 600W 15V |
电压, Vrwm:12.8V
钳位电压 最大:21.2V
二极管配置:Unidirectional
峰值脉冲电流:28A
封装形式:DO-15
针脚数:2
功耗:5W
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
主体直径:3.56mm
二极管类型:TVS, 单向
击穿电压 最小:14.3V
反向漏电流, 最大:5μA
器件标记:P6KE15A
外部长度/高度:7.62mm
封装类型:DO-15
封装类型, 替代:DO-204AC
截止电压:12.8V
最高击穿电压:15.8V
极性, 单向/双向:单向
测试电流:1mA
电压 Vbr:15V
脉冲峰值功率:600W
表面安装器件:轴向引线
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海4761
新加坡116
英国 0 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - P6KE150CA - 二极管 TVS 600W 150V |
电压, Vrwm:128V
钳位电压 最大:207V
二极管配置:Bidirectional
峰值脉??电流:2.9A
封装形式:DO-15
针脚数:2
功耗:5W
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
主体直径:3.56mm
二极管类型:TVS, 双向
击穿电压 最小:143V
反向漏电流, 最大:5μA
外部长度/高度:7.62mm
封装类型:DO-15
封装类型, 替代:DO-204AC
工作温度范围:-65°C to +175°C
截止电压:128V
最高击穿电压:158V
极性, 单向/双向:双向
测试电流:1mA
漏电流:5μA
电压 Vbr:150V
脉冲峰值功率:600W
表面安装器件:轴向引线
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海 0
新加坡 0
英国3512 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - P6KE150A - 二极管 TVS 600W 150V |
电压, Vrwm:128V
击穿电压范围:143V to 158V
钳位电压 最大:207V
二极管配置:Unidirectional
峰值脉冲电流:2.9A
封装形式:DO-15
针脚数:2
功耗:5W
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
主体直径:3.56mm
二极管类型:TVS, 单向
击穿电压 最小:143V
反向漏电流, 最大:5μA
外部长度/高度:7.62mm
封装类型:DO-15
封装类型, 替代:DO-204AC
截止电压:128V
最高击穿电压:158V
极性, 单向/双向:单向
测试电流:1mA
电压 Vbr:150V
脉冲峰值功率:600W
表面安装器件:轴向引线
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海 0
新加坡429
英国 0 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - P6KE13CA - 二极管 TVS 600W 13V |
电压, Vrwm:11.1V
钳位电压 最大:18.2V
二极管配置:Bidirectional
峰值脉冲电流:33A
封装形式:DO-15
针脚数:2
功耗:5W
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
主体直径:3.56mm
二极管类型:TVS, 双向
击穿电压 最小:12.4V
反向漏电流, 最大:5μA
外部长度/高度:7.62mm
封装类型:DO-15
封装类型, 替代:DO-204AC
工作温度范围:-65°C to +175°C
截止电压:11.1V
最高击穿电压:13.7V
极性, 单向/双向:双向
测试电流:1mA
漏电流:5μA
电压 Vbr:13V
脉冲峰值功率:600W
表面安装器件:轴向引线
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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无库存 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - P6KE13A - 二极管 TVS 600W 13V |
电压, Vrwm:11.1V
钳位电压 最大:18.2V
二极管配置:Unidirectional
峰值脉冲电流:33A
封装形式:DO-15
针脚数:2
功耗:5W
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
主体直径:3.56mm
二极管类型:TVS, 单向
击穿电压 最小:12.4V
反向漏电流, 最大:5μA
外部长度/高度:7.62mm
封装类型:DO-15
封装类型, 替代:DO-204AC
截止电压:11.1V
最高击穿电压:13.7V
极性, 单向/双向:单向
测试电流:1mA
电压 Vbr:13V
脉冲峰值功率:600W
表面安装器件:轴向引线
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海 0
新加坡316
英国4755 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - P6KE12CA - 二极管 TVS 600W 12V |
电压, Vrwm:10.2V
钳位电压 最大:16.7V
二极管配置:Bidirectional
峰值脉冲电流:36A
封装形式:DO-15
针脚数:2
功耗:5W
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
主体直径:3.56mm
二极管类型:TVS, 双向
击穿电压 最小:11.4V
反向漏电流, 最大:5μA
器件标记:P6KE12CA
外部长度/高度:7.62mm
封装类型:DO-15
封装类型, 替代:DO-204AC
工作温度范围:-65°C to +175°C
截止电压:10.2V
最高击穿电压:12.6V
极性, 单向/双向:双向
测试电流:1mA
漏电流:5μA
电压 Vbr:12V
脉冲峰值功率:600W
表面安装器件:轴向引线
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海 0
新加坡275
英国112 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - P6KE12A - 二极管 TVS 600W 12V |
电压, Vrwm:10.2V
钳位电压 最大:16.7V
二极管配置:Unidirectional
峰值脉冲电流:36A
封装形式:DO-15
针脚数:2
功耗:5W
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
主体直径:3.56mm
二极管类型:TVS, 单向
击穿电压 最小:11.4V
反向漏电流, 最大:5μA
器件标记:P6KE12A
外部长度/高度:7.62mm
封装类型:DO-15
封装类型, 替代:DO-204AC
截止电压:10.2V
最高击穿电压:12.6V
极性, 单向/双向:单向
测试电流:1mA
电压 Vbr:12V
脉冲峰值功率:600W
表面安装器件:轴向引线
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海 0
新加坡126
英国2558 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - P6KE10CA - 二极管 TVS 600W 10V |
电压, Vrwm:8.55V
钳位电压 最大:14.5V
二极管配置:Bidirectional
峰值脉冲电流:41A
封装形式:DO-15
针脚数:2
功耗:5W
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
主体直径:3.56mm
二极管类型:TVS, 双向
击穿电压 最小:9.5V
反向漏电流, 最大:10μA
外部长度/高度:7.62mm
封装类型:DO-15
封装类型, 替代:DO-204AC
工作温度范围:-65°C to +175°C
截止电压:8.55V
最高击穿电压:10.5V
极性, 单向/双向:双向
测试电流:1mA
漏电流:10μA
电压 Vbr:10V
脉冲峰值功率:600W
表面安装器件:轴向引线
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海 0
新加坡 0
英国391 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - P6KE10A - 二极管 TVS 600W 10V |
电压, Vrwm:8.55V
钳位电压 最大:14.5V
二极管配置:Unidirectional
峰值脉冲电流:41A
封装形式:DO-15
针脚数:2
功耗:5W
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
主体直径:3.56mm
二极管类型:TVS, 单向
击穿电压 最小:9.5V
反向漏电流, 最大:10μA
外部长度/高度:7.62mm
封装类型:DO-15
封装类型, 替代:DO-204AC
截止电压:8.55V
最高击穿电压:10.5V
极性, 单向/双向:单向
测试电流:1mA
电压 Vbr:9.5V
脉冲峰值功率:600W
表面安装器件:轴向引线
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海 0
新加坡41
英国2279 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - P6KE100CA - 二极管 TVS 600W 100V |
电压, Vrwm:85.5V
钳位电压 最大:137V
二极管配置:Bidirectional
峰值脉???电流:4.4A
封装形式:DO-15
针脚数:2
功耗:5W
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
主体直径:3.56mm
二极管类型:TVS, 双向
击穿电压 最小:95V
反向漏电流, 最大:5μA
外部长度/高度:7.62mm
封装类型:DO-15
封装类型, 替代:DO-204AC
工作温度范围:-65°C to +175°C
截止电压:85.5V
最高击穿电压:105V
极性, 单向/双向:双向
测试电流:1mA
漏电流:5μA
电压 Vbr:100V
脉冲峰值功率:600W
表面安装器件:轴向引线
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海 0
新加坡38
英国3412 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 1V5KE8V2CA - 二极管 TVS 1500W 8.2V |
电压, Vrwm:7.02V
击穿电压范围:7.79V to 8.61V
钳位电压 最大:12.1V
二极管配置:Bidirectional
峰值脉冲电流:124A
封装形式:DO-201AE
针脚数:2
功耗:5W
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
主体直径:5.33mm
二极管类型:TVS, 双向
击穿电压 最小:7.79V
反向漏电流, 最大:200μA
外部长度/高度:9.52mm
封装类型:DO-201AE
工作温度范围:-55°C to +175°C
截止电压:7.02V
最高击穿电压:8.61V
极性, 单向/双向:双向
测试电流:10mA
漏电流:200μA
电压 Vbr:8.2V
脉冲峰值功率:1500W
表面安装??件:轴向引线
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海 0
新加坡 0
英国539 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 1V5KE7V5A - 二极管 TVS 1500W 7.5V |
电压, Vrwm:6.4V
击穿电压范围:7.13V to 7.88V
钳位电压 最大:11.3V
??极管配置:Unidirectional
峰值脉冲电流:133A
封装形式:DO-201AE
针脚数:2
功耗:5W
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
主体直径:5.33mm
二极管类型:TVS, 单向
击穿电压 最小:7.13V
反向漏电流, 最大:500μA
外部长度/高度:9.52mm
封装类型:DO-201AE
工作温度范围:-55°C to +175°C
截止电压:6.4V
最高击穿电压:7.88V
极性, 单向/双向:单向
测试电流:10mA
电压 Vbr:7.5V
脉冲峰值功率:1500W
表面安装器件:轴向引线
SVHC(???度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海140
新加坡533
英国518 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 1V5KE6V8CA - 二极管 TVS 1500W 6.8V |
电压, Vrwm:58.1V
钳位电压 最大:10.5V
二极管配置:Bidirectional
峰值脉冲电流:143A
封装形式:DO-201AE
针脚数:2
功耗:5W
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
主体直径:5.33mm
二极管类型:TVS, 双向
击穿电压 最小:6.45V
反向漏电流, 最大:1000μA
器件标记:1V5KE6V8CA
外部长度/高度:9.52mm
封装类型:DO-201AE
工作温度范围:-55°C to +175°C
截止电压:5.8V
最高击穿电压:7.14V
极性, 单向/双向:双向
测试电流:10mA
漏电流:1000μA
电压 Vbr:6.8V
脉冲峰值功率:1500W
表面安装器件:轴???引线
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海16
新加坡239
英国3258 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 1V5KE6V8A - 二极管 TVS 1500W 6.8V |
电压, Vrwm:5.8V
钳位电压 最大:10.5V
二极管配置:Unidirectional
峰??脉冲电流:143A
封装形式:DO-201AE
针脚数:2
功耗:5W
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
主体直径:5.33mm
二极管类型:TVS, 单向
击穿电压 最小:6.45V
反向漏电流, 最大:1000μA
器件标记:1V5KE6V8A
外部长度/高度:9.52mm
封装类型:DO-201AE
工作温度范围:-55°C to +175°C
截止电压:5.8V
最高击穿电压:7.14V
极性, 单向/双向:单向
测试电流:10mA
电压 Vbr:6.8V
脉冲峰值功率:1500W
表面安装器件:轴向引线
SVHC(高度关??物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海 0
新加坡27
英国1848 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 1V5KE68CA - 二极管 TVS 1500W 68V |
电压, Vrwm:5.8V
钳位电压 最大:92V
二极管配置:Bidirectional
峰值脉??电流:16.3A
封装形式:DO-201AE
针脚数:2
功耗:5W
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
主体直径:5.33mm
二极管类型:TVS, 双向
击穿电压 最小:64.6V
反向漏电流, 最大:5μA
外部长度/高度:9.52mm
封装类型:DO-201AE
工作温度范围:-55°C to +175°C
截止电压:58.1V
最高击穿电压:71.4V
极性, 单向/双向:双向
测试电流:1mA
漏电流:5μA
电压 Vbr:68V
脉冲峰值功率:1500W
表面安装器件:轴向引线
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海 0
新加坡 0
英国468 |
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