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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 1V5KE68A - 二极管 TVS 1500W 68V |
电压, Vrwm:58.1V
钳位电压 最大:92V
二极管配置:Unidirectional
峰值脉冲电流:16.3A
封装形式:DO-201AE
针脚数:2
功耗:5W
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
主体直径:5.33mm
二极管类型:TVS, 单向
击穿电压 最小:65.6V
反向漏电流, 最大:5μA
外部长度/高度:9.52mm
封装类型:DO-201AE
工作温度范围:-55°C to +175°C
截止电压:58.1V
最高击穿电压:71.4V
极性, 单向/双向:单向
测试电流:1mA
电压 Vbr:68V
脉冲峰值功率:1500W
表面安装器件:轴向引线
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海 0
美国 0
新加坡4
英国20 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 1V5KE62CA - 二极管 TVS 1500W 62V |
电压, Vrwm:53V
钳位电压 最大:85V
二极管配置:Bidirectional
峰值脉冲电流:17.7A
封装形式:DO-201AE
针脚数:2
功耗:5W
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
主体直径:5.33mm
二极管类型:TVS, 双向
击穿电压 最小:58.9V
反向漏电流, 最大:5μA
器件标记:1V5KE62CA
外部长度/高度:9.52mm
封装类型:DO-201AE
工作温度范围:-55°C to +175°C
截止电压:53V
最高击穿电压:65.1V
极性, 单向/双向:双向
测试电流:1mA
漏电流:5μA
电压 Vbr:62V
脉冲峰值功率:1500W
表面安装器件:轴向引线
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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无库存 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 1V5KE62A - 二极管 TVS 1500W 62V |
电压, Vrwm:53V
钳位电压 最大:85V
二极管配置:Unidirectional
峰值脉冲电??:17.7A
封装形式:DO-201AE
针脚数:2
功耗:5W
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
主体直径:5.33mm
二极管类型:TVS, 单向
击穿电压 最小:58.9V
反向漏电流, 最大:5μA
器件标记:1V5KE62A
外部长度/高度:9.52mm
封装类型:DO-201AE
工作温度范围:-55°C to +175°C
截止电压:53V
最高击穿电压:65.1V
极性, 单向/双向:单向
测试电流:1mA
电压 Vbr:62V
脉冲峰值功率:1500W
表面安装器件:轴向引线
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海 0
新加坡 0
英国1214 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 1V5KE47CA - 二极管 TVS 1500W 47V |
电压, Vrwm:40.2V
钳位电压 最大:64.8V
二极管配置:Bidirectional
峰值??冲电流:23.2A
封装形式:DO-201AE
针脚数:2
功耗:5W
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
主体直径:5.33mm
二极管类型:TVS, 双向
击穿电压 最小:44.7V
反向漏电流, 最大:5μA
器件标记:1V5KE47CA
外部长度/高度:9.52mm
封装类型:DO-201AE
工作温度范围:-55°C to +175°C
截止电压:40.2V
最高击穿电压:49.4V
极性, 单向/双向:双向
测试电流:1mA
漏电流:5μA
电压 Vbr:47V
脉冲峰值功率:1500W
表面安装器件:轴向引线
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海 0
新加坡5
英国3100 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 1V5KE47A - 二极管 TVS 1500W 47V |
电压, Vrwm:40.2V
钳位电压 最大:64.8V
二极管配置:Unidirectional
峰值脉冲???流:23.2A
封装形式:DO-201AE
针脚数:2
功耗:5W
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
主体直径:5.33mm
二极管类型:TVS, 单向
击穿电压 最小:44.7V
反向漏电流, 最大:5μA
器件标记:1V5KE47A
外部长度/高度:9.52mm
封装类型:DO-201AE
工作温度范围:-55°C to +175°C
截止电压:40.2V
最高击穿电压:49.4V
极性, 单向/双向:单向
测试电流:1mA
电压 Vbr:47V
脉冲峰值功率:1500W
表面安装器件:轴向引线
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海 0
新加坡 0
英国1034 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 1V5KE400CA - 二极管 TVS 1500W 400V |
电压, Vrwm:342V
钳位电压 最大:548V
二极管配置:Bidirectional
???值脉冲电流:2.8A
封装形式:DO-201AE
针脚数:2
功耗:5W
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
主体直径:5.33mm
二极管类型:TVS, 双向
击穿电压 最小:380V
反向漏电流, 最大:5μA
器件标记:1V5KE400CA
外部长度/高度:9.52mm
封装类型:DO-201AE
工作温度范围:-55°C to +175°C
截止电压:342V
最高击穿电压:420V
极性, 单向/双向:双向
测试电流:1mA
漏电流:5μA
电压 Vbr:400V
脉冲峰值功率:1500W
表面安装器件:轴向引线
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海30
新加坡50
英国 0 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 1V5KE400A - 二极管 TVS 1500W 400V |
电压, Vrwm:342V
钳位电压 最大:548V
二极管配置:Unidirectional
峰值脉冲电流:2.8A
封装形式:DO-201AE
针脚数:2
功耗:5W
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
主体直径:5.33mm
二极管类型:TVS, 单向
击穿电压 最小:380V
反向漏电流, 最大:5μA
器件标记:1V5KE400A
外部长度/高度:9.52mm
封装类型:DO-201AE
工作温度范围:-55°C to +175°C
截止电压:342V
最高击穿电压:420V
极性, 单向/双向:单向
测试电流:1mA
电压 Vbr:400V
脉冲峰值功率:1500W
表面安装器件:轴向引线
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海 0
新加坡 0
英国200 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 1V5KE39CA - 二极管 TVS 1500W 39V |
电压, Vrwm:33.3V
钳位电压 最大:53.9V
二极管配置:Bidirectional
峰值??冲电流:28A
封装形式:DO-201AE
针脚数:2
功耗:5W
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
主体直径:5.33mm
二极管类型:TVS, 双向
击穿电压 最小:37.1V
反向漏电流, 最大:5μA
外部长度/高度:9.52mm
封装类型:DO-201AE
工作温度范围:-55°C to +175°C
截止电压:33.3V
最高击穿电压:41V
极性, 单向/双向:双向
测试电流:1mA
漏电流:5μA
电压 Vbr:39V
脉冲峰值功率:1500W
表面安装器件:轴向引线
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海 0
新加坡 0
英国599 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 1V5KE39A - 二极管 TVS 1500W 39V |
电压, Vrwm:33.3V
钳位电压 最大:53.9V
二极管配置:Unidirectional
峰值脉冲???流:28A
封装形式:DO-201AE
针脚数:2
功耗:5W
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
主体直径:5.33mm
二极管类型:TVS, 单向
击穿电压 最小:37.1V
反向漏电流, 最大:5μA
外部长度/高度:9.52mm
封装类型:DO-201AE
工作温度范围:-55°C to +175°C
截止电压:33.3V
最高击穿电压:41V
极性, 单向/双向:单向
测试电流:1mA
电压 Vbr:39V
脉冲峰值功率:1500W
表面安装器件:轴向引线
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海 0
新加坡 0
英国2554 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 1V5KE36CA - 二极管 TVS 1500W 36V |
电压, Vrwm:30.8V
钳位电压 最大:49.9V
二极管配置:Bidirectional
峰值??冲电流:30.1A
封装形式:DO-201AE
针脚数:2
功耗:5W
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
主体直径:5.33mm
二极管类型:TVS, 双向
击穿电压 最小:34.2V
反向漏电流, 最大:5μA
器件标记:1V5KE36CA
外部长度/高度:9.52mm
封装类型:DO-201AE
工作温度范围:-55°C to +175°C
截止电压:30.8V
最高击穿电压:37.8V
极性, 单向/双向:双向
测试电流:1mA
漏电流:5μA
电压 Vbr:36V
脉冲峰值功率:1500W
表面安装器件:轴向引线
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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无库存 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 1V5KE36A - 二极管 TVS 1500W 36V |
电压, Vrwm:30.8V
钳位电压 最大:49.9V
二极管配置:Unidirectional
峰值脉冲???流:30.1A
封装形式:DO-201AE
针脚数:2
功耗:5W
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
主体直径:5.33mm
二极管类型:TVS, 单向
击穿电压 最小:34.2V
反向漏电流, 最大:5μA
器件标记:1V5KE36A
外部长度/高度:9.52mm
封装类型:DO-201AE
工作温度范围:-55°C to +175°C
截止电压:30.8V
最高击穿电压:37.8V
极性, 单向/双向:单向
测试电流:1mA
电压 Vbr:36V
脉冲峰值功率:1500W
表面安装器件:轴向引线
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海 0
新加坡 0
英国2113 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 1V5KE33CA - 二极管 TVS 1500W 33V |
电压, Vrwm:28.2V
钳位电压 最大:45.7V
二极管配置:Bidirectional
峰值??冲电流:33A
封装形式:DO-201AE
针脚数:2
功耗:5W
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
主体直径:5.33mm
二极管类型:TVS, 双向
击穿电压 最小:31.4V
反向漏电流, 最大:5μA
外部长度/高度:9.52mm
封装类型:DO-201AE
工作温度范围:-55°C to +175°C
截止电压:28.2V
最高击穿电压:34.7V
极性, 单向/双向:双向
测试电流:1mA
漏电流:5μA
电压 Vbr:33V
脉冲峰值功率:1500W
表面安装器件:轴向引线
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海255
新加坡5
英国883 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 1V5KE33A - 二极管 TVS 1500W 33V |
电压, Vrwm:28.2V
钳位电压 最大:45.7V
二极管配置:Unidirectional
峰值脉冲???流:33A
封装形式:DO-201AE
针脚数:2
功耗:5W
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
主体直径:5.33mm
二极管类型:TVS, 单向
击穿电压 最小:31.4V
反向漏电流, 最大:5μA
外部长度/高度:9.52mm
封装类型:DO-201AE
工作温度范围:-55°C to +175°C
截止电压:28.2V
最高击穿电压:34.7V
极性, 单向/双向:单向
测试电流:1mA
电压 Vbr:33V
脉冲峰值功率:1500W
表面安装器件:轴向引线
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海 0
新加坡 0
英国2574 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 1V5KE30CA - 二极管 TVS 1500W 30V |
电压, Vrwm:25.6V
钳位电压 最大:41.4V
二极管配置:Bidirectional
峰值??冲电流:36.2A
封装形式:DO-201AE
针脚数:2
功耗:5W
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
主体直径:5.33mm
二极管类型:TVS, 双向
击穿电压 最小:28.5V
反向漏电流, 最大:5μA
器件标记:1V5KE30CA
外部长度/高度:9.52mm
封装类型:DO-201AE
工作温度范围:-55°C to +175°C
截止电压:25.6V
最高击穿电压:31.5V
极性, 单向/双向:双向
测试电流:1mA
漏电流:5μA
电压 Vbr:30V
脉冲峰值功率:1500W
表面安装器件:轴向引线
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海 0
新加坡10
英国8349 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 1V5KE30A - 二极管 TVS 1500W 30V |
电压, Vrwm:25.6V
钳位电压 最大:41.4V
二极管配置:Unidirectional
峰值脉冲???流:36.2A
封装形式:DO-201AE
针脚数:2
功耗:5W
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
主体直径:5.33mm
二极管类型:TVS, 单向
击穿电压 最小:28.5V
反向漏电流, 最大:5μA
器件标记:1V5KE30A
外部长度/高度:9.52mm
封装类型:DO-201AE
工作温度范围:-55°C to +175°C
截止电压:25.6V
最高击穿电压:31.5V
极性, 单向/双向:单向
测试电流:1mA
电压 Vbr:30V
脉冲峰值功率:1500W
表面安装器件:轴向引线
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海 0
新加坡 0
英国575 |
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