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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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TAIWAN SEMICONDUCTOR - SMBJ5.0CA - 二极管TVS SMB 600W 5.0V |
电压, Vrwm:5V
击穿电压范围:6.4V to 7V
钳位电压 最大:9.2V
二极管配置:Bidirectional
峰值脉冲电流:68A
封装形式:SMB
针脚数:2
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
二极管类型:TVS, 双向
击穿电压 最小:6.4V
反向漏电流, 最大:800μA
外宽:4.75mm
外部深度:3.73mm
外部长度/高度:2.61mm
封装类型:SMB
封装类型, 替代:DO-214AA
截止电压:5V
最高击穿电压:7V
极性, 单向/双向:双向
测试电流:1mA
漏电流:800μA
电压 Vbr:7V
脉冲峰值功率:600W
表面安装器件:表面安装
钳位电压, 8/20us 最大:9.2V
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无库存 |
1 |
1 |
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TAIWAN SEMICONDUCTOR - SMBJ5.0A - 二极管TVS SMB 600W 5.0V |
电压, Vrwm:5V
击穿电压范围:6.4V to 7V
钳位电压 最大:9.2V
二极管配置:Unidirectional
峰值脉冲电流:68A
封装形式:SMB
针脚数:2
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
SMD标号:KE
二极管类型:TVS, 单向
击穿电压 最小:6.4V
反向漏电流, 最大:800μA
外宽:4.75mm
外部深度:3.73mm
外部长度/高度:2.61mm
封装类型:SMB
封装类型, 替代:DO-214AA
截止电压:5V
最高击穿电压:7V
极性, 单向/双向:单向
测试电流:1mA
漏电流:800μA
电压 Vbr:7V
脉冲峰值功率:600W
表面安装器件:表面安装
钳位电压, 8/20us 最大:9.2V
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上海30
新加坡 0
英国718 |
1 |
1 |
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TAIWAN SEMICONDUCTOR - SMBJ30CA - 二极管TVS SMB 600W 30V |
电压, Vrwm:30V
击穿电压范围:33.3V to 36.8V
钳位电压 最大:48.4V
二极管配置:Bidirectional
峰值脉冲电流:13A
封装形式:SMB
针脚数:2
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
二极管类型:TVS, 双向
击穿电压 最小:33.3V
反向漏电流, 最大:5μA
外宽:4.75mm
外部深度:3.73mm
外部长度/高度:2.61mm
封装类型:SMB
封装类型, 替代:DO-214AA
截止电压:30V
最高击穿电压:36.8V
极性, 单向/双向:双向
测试电流:1mA
漏电流:5μA
电压 Vbr:36.8V
脉冲峰值功率:600W
表面安装器件:表面安装
钳位电压, 8/20us 最大:48.4V
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上海 0
新加坡 0
英国815 |
1 |
1 |
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TAIWAN SEMICONDUCTOR - SMBJ30A - 二极管TVS SMB 600W 30V |
电压, Vrwm:30V
击穿电压范围:33.3V to 36.8V
钳位电压 最大:48.4V
二极管配置:Unidirectional
峰值脉冲电流:13A
封装形式:SMB
针脚数:2
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
SMD标号:MK
二极管类型:TVS, 单向
击穿电压 最小:33.3V
反向漏电流, 最大:5μA
外宽:4.75mm
外部深度:3.73mm
外部长度/高度:2.61mm
封装类型:SMB
封装类型, 替代:DO-214AA
截止电压:30V
最高击穿电压:36.8V
极性, 单向/双向:单向
测试电流:1mA
漏电流:5μA
电压 Vbr:36.8V
脉冲峰值功率:600W
表面安装器件:表面安装
钳位电压, 8/20us 最大:48.4V
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上海 0
新加坡300
英国9019 |
1 |
1 |
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TAIWAN SEMICONDUCTOR - SMBJ24CA - 二极管TVS SMB 600W 24V |
电压, Vrwm:24V
击穿电压范围:26.7V to 32.6V
钳位电压 最大:38.9V
二极管配置:Bidirectional
峰值脉冲电流:14.6A
封装形式:SMB
针脚数:2
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
二极管类型:TVS, 双向
击穿电压 最小:26.7V
反向漏电流, 最大:5μA
外宽:4.75mm
外部深度:3.73mm
外部长度/高度:2.61mm
封装类型:SMB
封装类型, 替代:DO-214AA
截止电压:24V
最高击穿电压:32.6V
极性, 单向/双向:双向
测试电流:1mA
漏电流:5μA
电压 Vbr:29.5V
脉冲峰值功率:600W
表面安装器件:表面安装
钳位电??, 8/20us 最大:38.9V
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无库存 |
1 |
1 |
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TAIWAN SEMICONDUCTOR - SMBJ24A - 二极管TVS SMB 600W 24V |
电压, Vrwm:24V
击穿电压范围:26.7V to 32.6V
钳位电压 最大:38.9V
二极管配置:Unidirectional
峰值脉冲电流:14.6A
封装形式:SMB
针脚数:2
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
SMD标号:LY
二极管类型:TVS, 单向
击穿电压 最小:26.7V
反向漏电流, 最大:5μA
外宽:4.75mm
外部深度:3.73mm
外部长度/高度:2.61mm
封装类型:SMB
封装类型, 替代:DO-214AA
截止电压:24V
最高击穿电压:32.6V
极性, 单向/双向:单向
测试电流:1mA
漏电流:5μA
电压 Vbr:29.5V
脉冲峰值功率:600W
表面安装器件:表面安装
钳位电压, 8/20us 最大:38.9V
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上海25
新加坡 0
英国1705 |
1 |
1 |
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TAIWAN SEMICONDUCTOR - SMBJ15CA - 二极管TVS SMB 600W 15V |
电压, Vrwm:15V
击穿电压范围:16.7V to 18.5V
钳位电压 最大:24.4V
二极管配置:Bidirectional
峰值脉冲电流:25.1A
封装形式:SMB
针脚数:2
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
二极管类型:TVS, 双向
击穿电压 最小:16.7V
反向漏电流, 最大:5μA
外宽:4.75mm
外部深度:3.73mm
外部长度/高度:2.61mm
封装类型:SMB
封装类型, 替代:DO-214AA
截止电压:15V
最高击穿电压:18.5V
极性, 单向/双向:双向
测试电流:1mA
漏电流:5μA
电压 Vbr:18.5V
脉冲峰值功率:600W
表面安装器件:表面安装
钳位电??, 8/20us 最大:24.4V
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上海 0
新加坡290
英国1230 |
1 |
1 |
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TAIWAN SEMICONDUCTOR - SMBJ15A - 二极管TVS SMB 600W 15V |
电压, Vrwm:15V
击穿电压范围:16.7V to 18.5V
钳位电压 最大:24.4V
二极管配置:Unidirectional
峰值脉冲电流:25.1A
封装形式:SMB
针脚数:2
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
SMD标号:LM
二极管类型:TVS, 单向
击穿电压 最小:16.7V
反向漏电流, 最大:5μA
外宽:4.75mm
外部深度:3.73mm
外部长度/高度:2.61mm
封装类型:SMB
封装类型, 替代:DO-214AA
截止电压:15V
最高击穿电压:18.5V
极性, 单向/双向:单向
测试电流:1mA
漏电流:5μA
电压 Vbr:18.5V
脉冲峰值功率:600W
表面安装器件:表面安装
钳位电压, 8/20us 最大:24.4V
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无库存 |
1 |
1 |
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TAIWAN SEMICONDUCTOR - SMBJ12CA - 二极管TVS SMB 600W 12V |
电压, Vrwm:12V
击穿电压范围:13.3V to 14.7V
钳位电压 最大:19.9V
二极管配置:Bidirectional
峰值脉冲电流:31A
封装形式:SMB
针脚数:2
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
二极管类型:TVS, 双向
击穿电压 最小:13.3V
反向漏电流, 最大:5μA
外宽:4.75mm
外部深度:3.73mm
外部长度/高度:2.61mm
封装类型:SMB
封装类型, 替代:DO-214AA
截止电压:12V
最高击穿电压:14.7V
极性, 单向/双向:双向
测试电流:1mA
漏电流:5μA
电压 Vbr:14.7V
脉冲峰值功率:600W
表面安装器件:表面安装
钳位电压, 8/20us 最大:19.9V
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上海270
新加坡 0
英国 0 |
1 |
1 |
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TAIWAN SEMICONDUCTOR - SMBJ12A - 二极管TVS SMB 600W 12V |
电压, Vrwm:12V
击穿电压范围:13.3V to 14.7V
钳位电压 最大:19.9V
二极管配置:Unidirectional
峰值脉冲电流:31A
封装形式:SMB
针脚数:2
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
SMD标号:LE
二极管类型:TVS, 单向
击穿电压 最小:13.3V
反向漏电流, 最大:5μA
外宽:4.75mm
外部深度:3.73mm
外部长度/高度:2.61mm
封装类型:SMB
封装类型, 替代:DO-214AA
截止电压:12V
最高击穿电压:14.7V
极性, 单向/双向:单向
测试电流:1mA
漏电流:5μA
电压 Vbr:14.7V
脉冲峰值功率:600W
表面安装器件:表面安装
钳位电压, 8/20us 最大:19.9V
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上海 0
新加坡 0
英国1072 |
1 |
1 |
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TAIWAN SEMICONDUCTOR - SMCJ5.0CA - 二极管TVS SMC 1500W 5.0V |
电压, Vrwm:5V
击穿电压范围:6.4V to 7.3V
钳位电压 最大:9.6V
二极管配置:Bidirectional
峰值脉冲电流:164A
封装形式:SMC
针脚数:2
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
SMD标号:GDD
二极管类型:TVS, 双向
击穿电压 最小:6.4V
外宽:7.11mm
外部深度:6.22mm
外部长度/高度:2.62mm
封装类型:SMC
封装类型, 替代:DO-214AB
截止电压:5V
最高击穿电压:7.3V
极性, 单向/双向:双向
测试电流:10mA
漏电流:1000μA
电压 Vbr:7V
脉冲峰值功率:1500W
表面安装器件:表面安装
钳位电压, 8/20us ???大:9.2V
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上海 0
新加坡 0
英国752 |
1 |
1 |
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TAIWAN SEMICONDUCTOR - SMCJ5.0A - 二极管TVS SMC 1500W 5.0V |
电压, Vrwm:5V
击穿电压范围:6.4V to 7V
钳位电压 最大:9.2V
二极管配置:Unidirectional
峰值脉冲电流:171A
封装形式:SMC
针脚数:2
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
SMD标号:GDE
二极管类型:TVS, 单向
击穿电压 最小:6.4V
外宽:7.11mm
外部深度:6.22mm
外部长度/高度:2.62mm
封装类型:SMC
封装类型, 替代:DO-214AB
截止电压:5V
最高击穿电压:7V
极性, 单向/双向:单向
测试电流:1mA
漏电流:1000μA
电压 Vbr:7V
脉冲峰值功率:1500W
表面安装器件:表面安装
钳位电压, 8/20us 最大:9.2V
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无库存 |
1 |
1 |
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TAIWAN SEMICONDUCTOR - SMCJ48CA - 二极管TVS SMC 1500W 48V |
电压, Vrwm:48V
击穿电压范围:53.3V to 58.9V
钳位电压 最大:77.4V
二极管配置:Bidirectional
峰值脉冲电流:20A
封装形式:SMC
针脚数:2
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
SMD标号:GFX
二极管类型:TVS, 双向
击穿电压 最小:53.3V
外宽:7.11mm
外部深度:6.22mm
外部长度/高度:2.62mm
封装类型:SMC
封装类型, 替代:DO-214AB
截止电压:48V
最高击穿电压:58.9V
极性, 单向/双向:双向
测试电流:1mA
漏电流:5μA
电压 Vbr:58.9V
脉冲峰值功率:1500W
表面安装器件:表面安装
钳位电压, 8/20us 最??:77.4V
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上海52
新加坡150
英国81 |
1 |
1 |
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TAIWAN SEMICONDUCTOR - SMCJ48A - 二极管TVS SMC 1500W 48V |
电压, Vrwm:48V
击穿电压范围:53.3V to 58.9V
钳位电压 最大:77.4V
二极管配置:Unidirectional
峰值脉冲电流:20A
封装形式:SMC
针脚数:2
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
SMD标号:GFX
二极管类型:TVS, 单向
击穿电压 最小:53.3V
外宽:7.11mm
外部深度:6.22mm
外部长度/高度:2.62mm
封装类型:SMC
封装类型, 替代:DO-214AB
截止电压:48V
最高击穿电压:58.9V
极性, 单向/双向:单向
测试电流:1mA
漏电流:5μA
电压 Vbr:58.9V
脉冲峰值功率:1500W
表面安装器件:表面安装
钳位电压, 8/20us 最大:77.4V
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上海 0
新加坡 0
英国2126 |
1 |
1 |
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TAIWAN SEMICONDUCTOR - SMCJ33CA - 二极管TVS SMC 1500W 33V |
电压, Vrwm:33V
击穿电压范围:36.7V to 40.6V
钳位电压 最大:53.3V
二极管配置:Bidirectional
峰值脉冲电流:29A
封装形式:SMC
针脚数:2
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
SMD标号:GFM
二极管类型:TVS, 双向
击穿电压 最小:36.7V
外宽:7.11mm
外部深度:6.22mm
外部长度/高度:2.62mm
封装类型:SMC
封装类型, 替代:DO-214AB
截止电压:33V
最高击穿电压:40.6V
极性, 单向/双向:双向
测试电流:1mA
漏电流:5μA
电压 Vbr:40.6V
脉冲峰值功率:1500W
表面安装器件:表面安装
钳位电压, 8/20us 最??:53.3V
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无库存 |
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