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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 1V5KE160A - 二极管 TVS 1500W 160V |
电压, Vrwm:136V
钳位电压 最大:219V
二极管配置:Unidirectional
峰值脉冲电流:6.8A
封装形式:DO-201AE
针脚数:2
功耗:5W
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
主体直径:5.33mm
二极管类型:TVS, 单向
击穿电压 最小:152V
反向漏电流, 最大:5μA
外部长度/高度:9.52mm
封装类型:DO-201AE
工作温度范围:-55°C to +175°C
截止电压:136V
最高击穿电压:168V
极性, 单向/双向:单向
测试电流:1mA
电压 Vbr:168V
脉冲峰值功率:1500W
表面安装器件:轴向引线
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海 0
新加坡 0
英国729 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 1V5KE15CA - 二极管 TVS 1500W 15V |
电压, Vrwm:12.8V
钳位电压 最大:21.2V
二极管配置:Bidirectional
峰值??冲电流:71A
封装形式:DO-201AE
针脚数:2
功耗:5W
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
主体直径:5.33mm
二极管类型:TVS, 双向
击穿电压 最小:14.3V
反向漏电流, 最大:5μA
外部长度/高度:9.52mm
封装类型:DO-201AE
工作温度范围:-55°C to +175°C
截止电压:12.8V
最高击穿电压:15.8V
极性, 单向/双向:双向
测试电流:1mA
漏电流:5μA
电压 Vbr:15.8V
脉冲峰值功率:1500W
表面安装器件:轴向引线
SVHC(高度关注物质)(附??):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海 0
新加坡 0
英国2042 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 1V5KE15A - 二极管 TVS 1500W 15V |
电压, Vrwm:12.8V
钳位电压 最大:21.2V
二极管配置:Unidirectional
峰值脉冲???流:71A
封装形式:DO-201AE
针脚数:2
功耗:5W
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
主体直径:5.33mm
二极管类型:TVS, 单向
击穿电压 最小:14.3V
反向漏电流, 最大:5μA
外部长度/高度:9.52mm
封装类型:DO-201AE
工作温度范围:-55°C to +175°C
截止电压:12.8V
最高击穿电压:15.8V
极性, 单向/双向:单向
测试电流:1mA
电压 Vbr:15.8V
脉冲峰值功率:1500W
表面安装器件:轴向引线
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海 0
新加坡 0
英国4714 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 1V5KE150CA - 二极管 TVS 1500W 150V |
电压, Vrwm:128V
钳位电压 最大:207V
二极管配置:Bidirectional
???值脉冲电流:7.2A
封装形式:DO-201AE
针脚数:2
功耗:5W
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
主体直径:5.33mm
二极管类型:TVS, 双向
击穿电压 最小:143V
反向漏电流, 最大:5μA
外部长度/高度:9.52mm
封装类型:DO-201AE
工作温度范围:-55°C to +175°C
截止电压:128V
最高击穿电压:158V
极性, 单向/双向:双向
测试电流:1mA
漏电流:5μA
电压 Vbr:158V
脉冲峰值功率:1500W
表面安装器件:轴向引线
SVHC(高度关注物质)(???加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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无库存 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 1V5KE150A - 二极管 TVS 1500W 150V |
电压, Vrwm:128V
钳位电压 最大:207V
二极管配置:Unidirectional
峰值脉冲电流:7.2A
封装形式:DO-201AE
针脚数:2
功耗:5W
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
主体直径:5.33mm
二极管类型:TVS, 单向
击穿电压 最小:143V
反向漏电流, 最大:5μA
外部长度/高度:9.52mm
封装类型:DO-201AE
工作温度范围:-55°C to +175°C
截止电压:128V
最高击穿电压:158V
极性, 单向/双向:单向
测试电流:1mA
电压 Vbr:158V
脉冲峰值功率:1500W
表面安装器件:轴向引线
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海 0
新加坡16
英国980 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 1V5KE12CA - 二极管 TVS 1500W 12V |
电压, Vrwm:10.2V
钳位电压 最大:16.7V
二极管配置:Bidirectional
峰值??冲电流:90A
封装形式:DO-201AE
针脚数:2
功耗:5W
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
主体直径:5.33mm
二极管类型:TVS, 双向
击穿电压 最小:11.4V
反向漏电流, 最大:5μA
器件标记:1V5KE12CA
外部长度/高度:9.52mm
封装类型:DO-201AE
工作温度范围:-55°C to +175°C
截止电压:10.2V
最高击穿电压:12.6V
极性, 单向/双向:双向
测试电流:1mA
漏电流:5μA
电压 Vbr:12.6V
脉冲峰值功率:1500W
表面安装器件:轴向引线
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海 0
新加坡 0
英国2015 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 1V5KE12A - 二极管 TVS 1500W 12V |
电压, Vrwm:10.2V
钳位电压 最大:16.7V
二极管配置:Unidirectional
峰值脉冲???流:90A
封装形式:DO-201AE
针脚数:2
功耗:5W
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
主体直径:5.33mm
二极管类型:TVS, 单向
击穿电压 最小:11.4V
反向漏电流, 最大:5μA
器件标记:1V5KE12A
外部长度/高度:9.52mm
封装类型:DO-201AE
工作温度范围:-55°C to +175°C
截止电压:10.2V
最高击穿电压:12.6V
极性, 单向/双向:单向
测试电流:1mA
电压 Vbr:12.6V
脉冲峰值功率:1500W
表面安装器件:轴向引线
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海 0
新加坡15
英国3204 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 1V5KE10CA - 二极管 TVS 1500W 10V |
电压, Vrwm:8.55V
钳位电压 最大:14.5V
二极管配置:Bidirectional
峰值??冲电流:103A
封装形式:DO-201AE
针脚数:2
功耗:5W
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
主体直径:5.33mm
二极管类型:TVS, 双向
击穿电压 最小:9.5V
反向漏电流, 最大:10μA
外部长度/高度:9.52mm
封装类型:DO-201AE
工作温度范围:-55°C to +175°C
截止电压:8.55V
最高击穿电压:10.5V
极性, 单向/双向:双向
测试电流:1mA
漏电流:10μA
电压 Vbr:10.5V
脉冲峰值功率:1500W
表面安装器件:轴向引线
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海 0
新加坡 0
英国262 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 1V5KE10A - 二极管 TVS 1500W 10V |
电压, Vrwm:8.55V
钳位电压 最大:14.5V
二极管配置:Unidirectional
峰值脉冲???流:103A
封装形式:DO-201AE
针脚数:2
功耗:5W
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
主体直径:5.33mm
二极管类型:TVS, 单向
击穿电压 最小:9.5V
反向漏电流, 最大:10μA
外部长度/高度:9.52mm
封装类型:DO-201AE
工作温度范围:-55°C to +175°C
截止电压:8.55V
最高击穿电压:10.5V
极性, 单向/双向:单向
测试电流:1mA
电压 Vbr:10.5V
脉冲峰值功率:1500W
表面安装器件:轴向引线
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海 0
新加坡 0
英国2284 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 1V5KE100CA - 二极管 TVS 1500W 100V |
电压, Vrwm:85.5V
钳位电压 最大:137V
二极管配置:Bidirectional
峰值脉冲电流:11A
封装形式:DO-201AE
针脚数:2
功耗:5W
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
主体直径:5.33mm
二极管类型:TVS, 双向
击穿电压 最小:95V
反向漏电流, 最大:5μA
器件标记:1V5KE100CA
外部长度/高度:9.52mm
封装类型:DO-201AE
工作温度范围:-55°C to +175°C
截止电压:85.5V
最高击穿电压:105V
极性, 单向/双向:双向
测试电流:1mA
漏电流:5μA
电压 Vbr:105V
脉冲峰值功率:1500W
表面安装器件:轴向引线
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海 0
新加坡 0
英国769 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 1V5KE100A - 二极管 TVS 1500W 100V |
电压, Vrwm:85.5V
击穿电压范围:95V to 105V
钳位电压 最大:137V
二??管配置:Unidirectional
峰值脉冲电流:11A
封装形式:DO-201AE
针脚数:2
功耗:5W
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
主体直径:5.33mm
二极管类型:TVS, 单向
击穿电压 最小:95V
反向漏电流, 最大:5μA
器件标记:1V5KE100A
外部长度/高度:9.52mm
封装类型:DO-201AE
工作温度范围:-55°C to +175°C
截止电压:85.5V
最高击穿电压:105V
极性, 单向/双向:单向
测试电流:1mA
电压 Vbr:105V
脉冲峰值功率:1500W
表面安装器件:轴??引线
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海 0
新加坡135
英国975 |
1 |
1 |
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SEMTECH - RCLAMP1502B.TCT - 瞬态抑制二极管 |
瞬态抑制二极管
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美国 0
上海 0
美国2335
新加坡 0 |
1 |
1 |
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SEMTECH - LC03-3.3.TBT. - 二极管 TVS 3.3V 8-SOIC 12pF |
二极管 TVS 3.3V 8-SOIC 12pF
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美国 0
上海30
美国 0
新加坡 0 |
1 |
1 |
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TAIWAN SEMICONDUCTOR - SMBJ7.5CA - 二极管TVS SMB 600W 7.5V |
电压, Vrwm:7.5V
击穿电压范围:8.33V to 9.21V
钳位电压 最大:12.9V
二极管配置:Bidirectional
峰值脉冲电流:48A
封装形式:SMB
针脚数:2
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
二极管类型:TVS, 双向
击穿电压 最小:8.33V
反向漏电流, 最大:100μA
外宽:4.75mm
外部深度:3.73mm
外部长度/高度:2.61mm
封装类型:SMB
封装类型, 替代:DO-214AA
截止电压:7.5V
最高击穿电压:9.21V
极性, 单向/双向:双向
测试电流:10mA
漏电流:100μA
电压 Vbr:9.21V
脉冲峰值功率:600W
表面安装器件:表面安装
钳位电压, 8/20us 最大:12.9V
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无库存 |
1 |
1 |
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TAIWAN SEMICONDUCTOR - SMBJ7.5A - 二极管TVS SMB 600W 7.5V |
电压, Vrwm:7.5V
击穿电压范围:8.33V to 9.21V
钳位电压 最大:12.9V
二极管配置:Unidirectional
峰值脉冲电流:48A
封装形式:SMB
针脚数:2
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
SMD标号:KP
二极管类型:TVS, 单向
击穿电压 最小:8.33V
反向漏电流, 最大:100μA
外宽:4.75mm
外部深度:3.73mm
外部长度/高度:2.61mm
封装类型:SMB
封装类型, 替代:DO-214AA
截止电压:7.5V
最高击穿电压:9.21V
极性, 单向/双向:单向
测试电流:10mA
漏电流:100μA
电压 Vbr:9.21V
脉冲峰值功率:600W
表面安装器件:??面安装
钳位电压, 8/20us 最大:12.9V
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上海 0
新加坡 0
英国1164 |
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