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存储器
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DRAM
>>
针脚数
54
50
90
86
芯片标号
42S16160B
42S32800B
42S32200C1
42S16100C1
42S16400D
频率
133MHz
143MHz
100MHz
166MHz
逻辑功能号
42S16160B
42S32800B
42S16400D
42S16100C1
42S32200C1
接口类型
LVCMOS
Parallel
Parallel, LVTTL
工作温度范围
-40°C to +85°C
0°C to +70°C
工作温度最低
0°C
-40°C
工作温度最高
85°C
70°C
封装类型
TSOP
VFBGA
FBGA
TSOPII
访问时间, Trac
6.5ns
9ns
5.5ns
6ns
电源电压 最大
3.6V
2.7V
1.9V
电源电压 最小
2.3V
3V
1.7V
存储器电压 Vcc
3.3V
1.8V
2.5V
存储器配置
16M x 16bit
8M x 32bit
1M x 32bit x 4banks
1M x 16bit x 2banks
2M x 32bit
2M x 16bit x 4banks
4M x 16bit
1M x 16bit
512K x 32bit x 2banks
存储器容量
32Mbit
128Mbit
256Mbit
16Mbit
64Mbit
64Mb
图片
型号
产品描述
库存状况
包装规格
单位价格
(不含税)
数量
INTEGRATED SILICON SOLUTIONS - IS42S32800B-7BL - 芯片 SDRAM 256Mb
芯片 SDRAM 256Mb
美国 0
上海 0
美国114
新加坡 0
1
1
INTEGRATED SILICON SOLUTIONS - IS42S16800D-7TL - Synchronous DRAM
Synchronous DRAM
Memory Type:
美国 0
上海 0
美国18
新加坡 0
1
1
ELITE SEMICONDUCTOR - M52D32321A-7.5BIG - 芯片 SDRAM 32MB 1.8V 166MHz VFBGA90
存储器类型:SDRAM
存储器配置:512K x 32bit x 2banks
接口类型:LVCMOS
封装类型:VFBGA
针脚数:90
工作温度范围:-40°C to +85°C
封装类型:VFBGA
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
存储器容量:32Mbit
存储器电压 Vcc:1.8V
电源电压 最大:1.9V
电源电压 最小:1.7V
表面安装器件:表面安装
频率:166MHz
上海 0
新加坡 0
英国210
1
1
ELITE SEMICONDUCTOR - M52S32321A-6BIG - 芯片 SDRAM 32MB 2.5V 166MHz VFBGA90
存储器类型:SDRAM
存储器配置:512K x 32bit x 2banks
接口类型:LVCMOS
封装类型:VFBGA
针脚数:90
工作温度范围:-40°C to +85°C
封装类型:VFBGA
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
存储器容量:32Mbit
存储器电压 Vcc:2.5V
电源电压 最大:2.7V
电源电压 最小:2.3V
表面安装器件:表面安装
频率:166MHz
上海 0
新加坡 0
英国249
1
1
ELITE SEMICONDUCTOR - M52S32162A-7.5BIG - 芯片 SDRAM 32MB 2.5V 133MHz FBGA54
存储器类型:SDRAM
存储器配置:1M x 16bit x 2banks
封装类型:FBGA
针脚数:54
工作温度范围:-40°C to +85°C
封装类型:FBGA
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
存储器容量:32Mbit
存储器电压 Vcc:2.5V
电源电压 最大:2.7V
电源电压 最小:2.3V
表面安装器件:表面安装
频率:133MHz
无库存
1
1
ELITE SEMICONDUCTOR - M52S32162A-10BIG - 芯片 SDRAM 32MB 2.5V 100MHz FBGA54
存储器类型:SDRAM
存储器配置:1M x 16bit x 2banks
封装类型:FBGA
针脚数:54
工作温度范围:-40°C to +85°C
封装类型:FBGA
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
存储器容量:32Mbit
存储器电压 Vcc:2.5V
电源电压 最大:2.7V
电源电压 最小:2.3V
表面安装器件:表面安装
频率:100MHz
无库存
1
1
ELITE SEMICONDUCTOR - M52S32162A-7.5TIG - 芯片 SDRAM 32MB 2.5V 133MHz TSOPII54
存储器类型:SDRAM
存储器配置:1M x 16bit x 2banks
封装类型:TSOPII
针脚数:54
工作温度范围:-40°C to +85°C
封装类型:TSOPII
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
存储器容量:32Mbit
存储器电压 Vcc:2.5V
电源电压 最大:2.7V
电源电压 最小:2.3V
表面安装器件:表面安装
频率:133MHz
无库存
1
1
ELITE SEMICONDUCTOR - M52S32162A-10TIG - 芯片 SDRAM 32MB 2.5V 100MHz TSOPII54
存储器类型:SDRAM
存储器配置:1M x 16bit x 2banks
封装类型:TSOPII
针脚数:54
工作温度范围:-40°C to +85°C
封装类型:TSOPII
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
存储器容量:32Mbit
存储器电压 Vcc:2.5V
电源电压 最大:2.7V
电源电压 最小:2.3V
表面安装器件:表面安装
频率:100MHz
无库存
1
1
ELITE SEMICONDUCTOR - M52S128324A-7BG - 芯片 SDRAM 128MB 2.5V 143MHz FBGA90
存储器类型:SDRAM
存储器配置:1M x 32bit x 4banks
接口类??:Parallel, LVTTL
封装类型:FBGA
针脚数:90
工作温度范围:0°C to +70°C
封装类型:FBGA
工作温度最低:0°C
工作温度最高:70°C
存储器容量:128Mbit
存储器电压 Vcc:2.5V
电源电压 最大:2.7V
电源电压 最小:2.3V
表面安装器件:表面安装
频率:143MHz
上海 0
新加坡 0
英国100
1
1
ELITE SEMICONDUCTOR - M52S128324A-7TG - 芯片 SDRAM 128MB 2.5V 143MHz TSOPII86
存储器类型:SDRAM
存储器配置:2M x 16bit x 4banks
封装类型:TSOPII
针脚数:86
工作温度范围:0°C to +70°C
封装类型:TSOPII
工作温度最低:0°C
工作温度最高:70°C
存储器容量:128Mbit
存储器电压 Vcc:2.5V
电源电压 最大:2.7V
电源电压 最小:2.3V
表面安装器件:表面安装
频率:143MHz
无库存
1
1
ELITE SEMICONDUCTOR - M52S128168A-10BG - 芯片 SDRAM 128MB 2.5V 100MHz FBGA54
存储器类型:SDRAM
存储器配置:2M x 16bit x 4banks
封装类型:FBGA
针脚数:54
工作温度范围:0°C to +70°C
封装类型:FBGA
工作温度最低:0°C
工作温度最高:70°C
存储器容量:128Mbit
存储器电压 Vcc:2.5V
电源电压 最大:2.7V
电源电压 最小:2.3V
表面安装器件:表面安装
频率:100MHz
无库存
1
1
ELITE SEMICONDUCTOR - M52S128168A-10TG - 芯片 SDRAM 128MB 2.5V 100MHz TSOPII54
存储器类型:SDRAM
存储器配置:2M x 16bit x 4banks
封装类型:TSOPII
针脚数:54
工作温度范围:0°C to +70°C
封装类型:TSOPII
工作温度最低:0°C
工作温度最高:70°C
存储器容量:128Mbit
存储器电压 Vcc:2.5V
电源电压 最大:2.7V
电源电压 最小:2.3V
表面安装器件:表面安装
频率:100MHz
无库存
1
1
ELITE SEMICONDUCTOR - M52S128168A-7.5BG - 芯片 SDRAM 128MB 2.5V 133MHz FBGA54
存储器类型:SDRAM
存储器配置:2M x 16bit x 4banks
接口类型:Parallel, LVTTL
封装类型:FBGA
针脚数:54
工作温度范围:0°C to +70°C
封装类型:FBGA
工作温度最低:0°C
工作温度最高:70°C
存储器容量:128Mbit
存储器电压 Vcc:2.5V
电源电压 最大:2.7V
电源电压 最小:2.3V
表面安装器件:表面安装
频率:133MHz
无库存
1
1
ELITE SEMICONDUCTOR - M52S128168A-7.5TG - 芯片 SDRAM 128MB 2.5V 133MHz TSOPII54
存储器类型:SDRAM
存储器配置:2M x 16bit x 4banks
接口类型:Parallel, LVTTL
封装类型:TSOPII
针脚数:54
工作温度范围:0°C to +70°C
封装类型:TSOPII
工作温度最低:0°C
工作温度最高:70°C
存储器容量:128Mbit
存储器电压 Vcc:2.5V
电源电压 最大:2.7V
电源电压 最小:2.3V
表面安装器件:表面安装
频率:133MHz
上海 0
新加坡 0
英国178
1
1
ELITE SEMICONDUCTOR - M52D128168A-10BG - 芯片 SDRAM 128MB 1.8V 100MHz FBGA54
存储器类型:SDRAM
存储器配置:2M x 16bit x 4banks
封装类型:FBGA
针脚数:54
工作温度范围:0°C to +70°C
封装类型:FBGA
工作温度最低:0°C
工作温度最高:70°C
存储器容量:128Mbit
存储器电压 Vcc:1.8V
电源电压 最大:1.9V
电源电压 最小:1.7V
表面安装器件:表面安装
频率:100MHz
无库存
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