SEMIKRON - SK10GD123 - 晶体管 IGBT模块 6管 16A
描述信息:
- 晶体管极性:N
- 集电极直流电流:16A
- ??和电压, Vce sat 最大:3.2V
- 电压, Vceo:1.2V
- 封装类型:SEMITOP 3
- 针脚数:11
- 封装类型:SEMITOP 3
- 晶体管数:6
- 晶体管类型:3 Phase Controlled Bridge (IGBT) - NPT
- 表面安装器件:螺丝安装
- 上升时间:45ns
- 最大连续电流, Ic:11A
- 温度 @ 电流测量:80°C
- 电压, Vces:1200V
- 隔离电压:2500V
- 集电极电流, Ic 平均值:16A
- 集电极连续电流, Ic 最大值:11A
- 饱和电压 Vce sat 典型值:2.7V
产品属性:
重量(公斤):0.035
原产地:
最近制造加工所发生的国家:
描述信息:
- 晶体管极性:N
- 集电极直流电流:16A
- ??和电压, Vce sat 最大:3.2V
- 电压, Vceo:1.2V
- 封装类型:SEMITOP 3
- 针脚数:11
- 封装类型:SEMITOP 3
- 晶体管数:6
- 晶体管类型:3 Phase Controlled Bridge (IGBT) - NPT
- 表面安装器件:螺丝安装
- 上升时间:45ns
- 最大连续电流, Ic:11A
- 温度 @ 电流测量:80°C
- 电压, Vces:1200V
- 隔离电压:2500V
- 集电极电流, Ic 平均值:16A
- 集电极连续电流, Ic 最大值:11A
- 饱和电压 Vce sat 典型值:2.7V