
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDMA1025P - 场效应管 MOSFET 双 P SMD MLP

描述信息:
- 模块配置:双
- 晶体管极性:P
- 漏极电流, Id 最大值:-3.1A
- 电压, Vds 最大:20V
- 开态电阻, Rds(on):0.155ohm
- 电压 @ Rds测量:-4.5V
- 阈值电压, Vgs th 典型值:-0.9V
- 功耗:1.4W
- 封装类型:MicroFET
- 针脚数:6
- 封装类型:MicroFET
- 晶体管类型:PowerTrench
- 表面安装器件:表面安装
- SMD标号:025
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:-4.5V
- 电压, Vds 典型值:-20V
- 电流, Id 连续:3.1A
- 电流, Idm 脉冲:6A
- 阈值电压, Vgs th 最高:-1.5V
产品属性:
重量(公斤):0.0005
原产地:
最近制造加工所发生的国家:
描述信息:
- 模块配置:双
- 晶体管极性:P
- 漏极电流, Id 最大值:-3.1A
- 电压, Vds 最大:20V
- 开态电阻, Rds(on):0.155ohm
- 电压 @ Rds测量:-4.5V
- 阈值电压, Vgs th 典型值:-0.9V
- 功耗:1.4W
- 封装类型:MicroFET
- 针脚数:6
- 封装类型:MicroFET
- 晶体管类型:PowerTrench
- 表面安装器件:表面安装
- SMD标号:025
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:-4.5V
- 电压, Vds 典型值:-20V
- 电流, Id 连续:3.1A
- 电流, Idm 脉冲:6A
- 阈值电压, Vgs th 最高:-1.5V