VISHAY SILICONIX - SUD50NP04-94-T4-E3 - 场效应管 MOSFET N/P D-PAK

制造商：VISHAY SILICONIX
库存编号：
制造商编号：SUD50NP04-94-T4-E3
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国17
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 9.66
价格：

数量	单位价格(不含税)
1 - 9	CNY 9.66
10 - 99	CNY 7.26
100+	CNY 6.02

描述信息：

模块配置:NP
晶体管极性:NP
漏极电流, Id 最大值:8A
电压, Vds 最大:40V
开态电阻, Rds(on):0.041ohm
电压 @ Rds测量:10V
阈值电压, Vgs th 典型值:1.7V
功耗:15.6mW
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:D-PAK
针脚数:5
封装类型:DPAK
晶体管类型:MOSFET
表面安装器件:表面安装
N沟道栅极电荷 Qg:8nC
P沟道栅极电荷 Qg:9nC
功率, Pd:15.6W
器件标号:50
漏极连续电流, Id N沟道:8A
漏极连续电流, Id P沟道:8A
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds N沟道 1:40V
电压, Vds P沟道 1:40V
电压, Vds 典型值:40V
电流, Id 连续:8A
电流, Idm 脉冲:35A
脉冲电流, Idm N沟道:35A
脉冲电流, Idm P沟道:35A
通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:0.041ohm
通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V:0.045ohm
阈值电压, Vgs th 最低:0.6V
阈值电压, Vgs th 最高:1.7V

产品属性：

重量（公斤）：0.00044
原产地：
最近制造加工所发生的国家：

描述信息：

模块配置:NP
晶体管极性:NP
漏极电流, Id 最大值:8A
电压, Vds 最大:40V
开态电阻, Rds(on):0.041ohm
电压 @ Rds测量:10V
阈值电压, Vgs th 典型值:1.7V
功耗:15.6mW
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:D-PAK
针脚数:5
封装类型:DPAK
晶体管类型:MOSFET
表面安装器件:表面安装
N沟道栅极电荷 Qg:8nC
P沟道栅极电荷 Qg:9nC
功率, Pd:15.6W
器件标号:50
漏极连续电流, Id N沟道:8A
漏极连续电流, Id P沟道:8A
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds N沟道 1:40V
电压, Vds P沟道 1:40V
电压, Vds 典型值:40V
电流, Id 连续:8A
电流, Idm 脉冲:35A
脉冲电流, Idm N沟道:35A
脉冲电流, Idm P沟道:35A
通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:0.041ohm
通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V:0.045ohm
阈值电压, Vgs th 最低:0.6V
阈值电压, Vgs th 最高:1.7V