DIODES ZETEX - DMN2005LP4K-7 - 场效应管 MOSFET N沟道 DFN1006-3
制造商：DIODES ZETEX
库存编号：
制造商编号：DMN2005LP4K-7
库存状态：无库存
包装规格：1
最小订单量：5
多重订单量：5
单位价格(不含税)：
价格：
库存编号：
制造商编号：DMN2005LP4K-7
库存状态：无库存
包装规格：1
最小订单量：5
多重订单量：5
单位价格(不含税)：
价格：
描述信息：
- 晶体管极性:N Channel
- 开态电阻, Rds(on):1.5ohm
- 工作温度范围:-65°C to +150°C
- 封装类型:DFN1006H4
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- 封装类型:DFN1006H4
- 晶体管类型:Enhancement
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
- 电压, Vds 典型值:20V
- 电流, Id 连续:200mA
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:900mV
产品属性：
重量（公斤）：0
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N Channel
- 开态电阻, Rds(on):1.5ohm
- 工作温度范围:-65°C to +150°C
- 封装类型:DFN1006H4
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- 封装类型:DFN1006H4
- 晶体管类型:Enhancement
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
- 电压, Vds 典型值:20V
- 电流, Id 连续:200mA
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:900mV
