NXP - BLT81.115 - 射频晶体管 NPN 每卷1K
制造商：NXP
库存编号：
制造商编号：BLT81.115
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国1
包装规格：1,000
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 15,630.00
价格：
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价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY 15,630.00 |
描述信息：
- 晶体管极性:NPN
- 电压, Vceo:9.5V
- 截止频率 ft, 典型值:900MHz
- 功耗, Pd:2W
- 集电极直流电流:500mA
- 直流电流增益 hFE:25
- 外宽:6.7mm
- 外部深度:7.5mm
- 外部长度/高度:1.7mm
- 封装类型:SOT-223
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:RF Bipolar
- 每卷数量:1000
- 表面安装器件:表面安装
- 集电极连续电流:500mA
- SMD标号:BLT81
- 封装类型:SOT-223
- 带子宽度:12mm
- 总功率, Ptot:2W
- 效率:60%
- 最大连续电流, Ic:0.5A
- 最小功率增益 Gp:6dB
- 电压, Vcbo:20V
- 电流, Ic hFE:300mA
- 电流, Ic 最大:0.5A
- 电源电压:7.5V
- 直流电流增益 hfe, 最小值:25
- 负载功率:1.2W
- 集电极电流, Ic 平均值:500mA
产品属性：
重量（公斤）：0.12
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:NPN
- 电压, Vceo:9.5V
- 截止频率 ft, 典型值:900MHz
- 功耗, Pd:2W
- 集电极直流电流:500mA
- 直流电流增益 hFE:25
- 外宽:6.7mm
- 外部深度:7.5mm
- 外部长度/高度:1.7mm
- 封装类型:SOT-223
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:RF Bipolar
- 每卷数量:1000
- 表面安装器件:表面安装
- 集电极连续电流:500mA
- SMD标号:BLT81
- 封装类型:SOT-223
- 带子宽度:12mm
- 总功率, Ptot:2W
- 效率:60%
- 最大连续电流, Ic:0.5A
- 最小功率增益 Gp:6dB
- 电压, Vcbo:20V
- 电流, Ic hFE:300mA
- 电流, Ic 最大:0.5A
- 电源电压:7.5V
- 直流电流增益 hfe, 最小值:25
- 负载功率:1.2W
- 集电极电流, Ic 平均值:500mA
