VISHAY SILICONIX - SI4539ADY-T1-E3 - 双MOSFET NP 每卷2500
制造商：VISHAY SILICONIX
库存编号：
制造商编号：SI4539ADY-T1-E3
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国1
包装规格：2,500
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 14,866.73
价格：
库存编号：
制造商编号：SI4539ADY-T1-E3
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国1
包装规格：2,500
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价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY 14,866.73 |
描述信息：
- 模块配置:NP
- 晶体管极性:N沟道/P沟道互补
- 漏极电流, Id 最大值:4.4A
- 电压, Vds 最大:30V
- 开态电阻, Rds(on):0.036ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1V
- 功耗:1.1W
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:SOIC
- 针脚数:8
- 封装类型:SOIC
- 晶体管数:2
- 晶体管类型:MOSFET
- 每卷数量:2500
- 表面安装器件:表面安装
- N沟道栅极电荷 Qg:13nC
- P沟道栅极电荷 Qg:15nC
- 功率, Pd:1.1W
- 带子宽度:12mm
- 最高电压, Vds P沟道:30V
- 漏极连续电???, Id P沟道:3.7A
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds N沟道 1:30V
- 电压, Vds P沟道 1:30V
- 电压, Vds 典型值:30V
- 电流, Id 连续:5.9A
- 电流, Idm 脉冲:30A
- 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V N沟道:0.036ohm
- 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V P沟道:0.053ohm
- 通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V N沟道:0.053ohm
- 通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V P沟道:0.09ohm
- 通态电阻, Rds on P沟道 最大:0.053ohm
产品属性：
重量（公斤）：0.2
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 模块配置:NP
- 晶体管极性:N沟道/P沟道互补
- 漏极电流, Id 最大值:4.4A
- 电压, Vds 最大:30V
- 开态电阻, Rds(on):0.036ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1V
- 功耗:1.1W
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:SOIC
- 针脚数:8
- 封装类型:SOIC
- 晶体管数:2
- 晶体管类型:MOSFET
- 每卷数量:2500
- 表面安装器件:表面安装
- N沟道栅极电荷 Qg:13nC
- P沟道栅极电荷 Qg:15nC
- 功率, Pd:1.1W
- 带子宽度:12mm
- 最高电压, Vds P沟道:30V
- 漏极连续电???, Id P沟道:3.7A
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds N沟道 1:30V
- 电压, Vds P沟道 1:30V
- 电压, Vds 典型值:30V
- 电流, Id 连续:5.9A
- 电流, Idm 脉冲:30A
- 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V N沟道:0.036ohm
- 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V P沟道:0.053ohm
- 通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V N沟道:0.053ohm
- 通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V P沟道:0.09ohm
- 通态电阻, Rds on P沟道 最大:0.053ohm
