NXP - BLF278 - 功率MOSFET N沟道 500W VHF 双管推挽式
制造商：NXP
库存编号：
制造商编号：BLF278
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国95
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 1,234.55
价格：
库存编号：
制造商编号：BLF278
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国95
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 1,234.55
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY 1,234.55 |
描述信息：
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压, Vds 最大:125V
- 电流, Id 连续:18A
- 功耗:500W
- 封装类型:SOT-262A1
- 晶体管??性:N
- 电压, Vds:125V
- 结温, Tj 最高:200°C
- 功率, Pd:500W
- 存储温度, 最低:-65°C
- 存储温度, 最高:150°C
- 封装类型:SOT-262A1
- 开态电阻, Rds(on):0.2ohm
- 漏极电流, Id 最大值:18A
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vgs 最高:20V
- 阈值电压, Vgs th 最低:2V
- 阈值电压, Vgs th 最高:4.5V
产品属性：
重量（公斤）：0.00001
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压, Vds 最大:125V
- 电流, Id 连续:18A
- 功耗:500W
- 封装类型:SOT-262A1
- 晶体管??性:N
- 电压, Vds:125V
- 结温, Tj 最高:200°C
- 功率, Pd:500W
- 存储温度, 最低:-65°C
- 存储温度, 最高:150°C
- 封装类型:SOT-262A1
- 开态电阻, Rds(on):0.2ohm
- 漏极电流, Id 最大值:18A
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vgs 最高:20V
- 阈值电压, Vgs th 最低:2V
- 阈值电压, Vgs th 最高:4.5V
