INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF8513PBF - 场效应管 MOSFET 双N沟道 30V 8A/11A SO8
制造商：INTERNATIONAL RECTIFIER
库存编号：
制造商编号：IRF8513PBF
库存状态：上海 0 , 新加坡46, 英国142
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 6.19
价格：
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多重订单量：1
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价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY 6.19 |
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:8mA
- 电压, Vds 最??:30V
- 开态电阻, Rds(on):15.5mohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1.8V
- 功耗:2.4W
- 工作温度范围:-55°C to +175°C
- 封装类型:SOIC
- 针脚数:8
- 封装类型:SOIC
- 晶体管类型:Power MOSFET
- 表面安装器件:表面安装
- 功率, Pd:2.4W
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:30V
- 电流, Id 连续:8A
- 阈值电压, Vgs th 最高:2.35V
产品属性：
重量（公斤）：0.0001
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:8mA
- 电压, Vds 最??:30V
- 开态电阻, Rds(on):15.5mohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1.8V
- 功耗:2.4W
- 工作温度范围:-55°C to +175°C
- 封装类型:SOIC
- 针脚数:8
- 封装类型:SOIC
- 晶体管类型:Power MOSFET
- 表面安装器件:表面安装
- 功率, Pd:2.4W
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:30V
- 电流, Id 连续:8A
- 阈值电压, Vgs th 最高:2.35V
