VISHAY SILICONIX - SI4565ADY-T1-E3 - 场效应管 MOSFET N/P SO-8

制造商：VISHAY SILICONIX
库存编号：
制造商编号：SI4565ADY-T1-E3
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国314
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 12.28
价格：

数量	单位价格(不含税)
1+	CNY 12.28

描述信息：

模块配置:NP
晶体管极性:NP
漏极电流, Id 最大值:6.6A
电压, Vds 最大:40V
开态电阻, Rds(on):0.04ohm
电压 @ Rds测量:10V
阈值电压, Vgs th 典型值:2.2V
功耗:3.1W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SO
封装类型:SO-8
晶体管类型:MOSFET
结温, Tj 最低:150°C
表面安装器件:表面安装
功耗, N沟道 1:1.1W
功耗, P沟道 1:1.1W
最低阈值电压, Vgs th N沟道 1:0.6V
最低阈值电压, Vgs th P沟道:0.8V
最高阈值电压, Vgs th P沟道:2.2V
漏极连续电流, Id N沟道:5.2A
漏极连续电流, Id P沟道:4.5A
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:40V
通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V N沟道:0.04ohm
通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V P沟道:0.054ohm
通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V N沟道:0.045ohm
通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V P沟道:0.072ohm

产品属性：

重量（公斤）：0.0004
原产地：
最近制造加工所发生的国家：

描述信息：

模块配置:NP
晶体管极性:NP
漏极电流, Id 最大值:6.6A
电压, Vds 最大:40V
开态电阻, Rds(on):0.04ohm
电压 @ Rds测量:10V
阈值电压, Vgs th 典型值:2.2V
功耗:3.1W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SO
封装类型:SO-8
晶体管类型:MOSFET
结温, Tj 最低:150°C
表面安装器件:表面安装
功耗, N沟道 1:1.1W
功耗, P沟道 1:1.1W
最低阈值电压, Vgs th N沟道 1:0.6V
最低阈值电压, Vgs th P沟道:0.8V
最高阈值电压, Vgs th P沟道:2.2V
漏极连续电流, Id N沟道:5.2A
漏极连续电流, Id P沟道:4.5A
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:40V
通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V N沟道:0.04ohm
通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V P沟道:0.054ohm
通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V N沟道:0.045ohm
通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V P沟道:0.072ohm