SHARP - PT480E00000F - 光电晶体管 侧部发光
制造商：SHARP
库存编号：
制造商编号：PT480E00000F
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国1916
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 2.70
价格：
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制造商编号：PT480E00000F
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国1916
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 2.70
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 9 | CNY 2.70 |
| 10 - 99 | CNY 2.20 |
| 100+ | CNY 1.80 |
描述信息：
- 波长, 典型值:800nm
- 功耗:75mW
- 视角:26°
- 针脚数:2
- 上升时间:3μs
- 半角:13°
- 外宽:3.0mm
- 外部深度:2.8mm
- 外部长度/高度:4.0mm
- 封装类型:Radial
- 工作温度最低:-25°C
- 工作温度最高:85°C
- 工作温度范围:-25°C to +85°C
- 晶体管类型:Phototransistor
- 标称灵敏度 @ mW/cm2:1.7mA@1mW/cm2
- 波长, 频谱响应峰值:800nm
- 电流, Ic 典型值:1.7mA
- 下降时间:3.5μs
- 功耗:75mW
- 反向保护电压:6V
- 存储温度, 最低:-40°C
- 存储温度, 最高:85°C
- 引线直径:0.4mm
- 引线长度:17.5mm
- 引脚节距:2.54mm
- 暗电流:100nA
- 波长峰值:800nm
- 电流, Ic 最大:6mA
- 饱和电压, Vce sat 最大:0.4V
产品属性：
重量（公斤）：0.01
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 波长, 典型值:800nm
- 功耗:75mW
- 视角:26°
- 针脚数:2
- 上升时间:3μs
- 半角:13°
- 外宽:3.0mm
- 外部深度:2.8mm
- 外部长度/高度:4.0mm
- 封装类型:Radial
- 工作温度最低:-25°C
- 工作温度最高:85°C
- 工作温度范围:-25°C to +85°C
- 晶体管类型:Phototransistor
- 标称灵敏度 @ mW/cm2:1.7mA@1mW/cm2
- 波长, 频谱响应峰值:800nm
- 电流, Ic 典型值:1.7mA
- 下降时间:3.5μs
- 功耗:75mW
- 反向保护电压:6V
- 存储温度, 最低:-40°C
- 存储温度, 最高:85°C
- 引线直径:0.4mm
- 引线长度:17.5mm
- 引脚节距:2.54mm
- 暗电流:100nA
- 波长峰值:800nm
- 电流, Ic 最大:6mA
- 饱和电压, Vce sat 最大:0.4V
