SANYO - FTD2019A-TL-E - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 6A TSSOP8
制造商：SANYO
库存编号：
制造商编号：FTD2019A-TL-E
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国65
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 17.33
价格：
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制造商编号：FTD2019A-TL-E
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包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 17.33
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 24 | CNY 17.33 |
| 25 - 99 | CNY 14.72 |
| 100 - 249 | CNY 11.88 |
| 250 - 499 | CNY 10.03 |
| 500+ | CNY 8.50 |
描述信息：
- 模块配置:Dual N Channel
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:6A
- 电压, Vds 最大:30V
- 开态??阻, Rds(on):26mohm
- 电压 @ Rds测量:4V
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
- 功耗:1.4W
- 封装类型:TSSOP
- 封装类型:TSSOP
- 晶体管类型:MOSFET
- 表面安装器件:表面安装
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
- 电压, Vds 典型值:30V
- 电流, Id 连续:6A
产品属性：
重量（公斤）：0.00004
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 模块配置:Dual N Channel
- 晶体管极性:N
- 漏极电流, Id 最大值:6A
- 电压, Vds 最大:30V
- 开态??阻, Rds(on):26mohm
- 电压 @ Rds测量:4V
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
- 功耗:1.4W
- 封装类型:TSSOP
- 封装类型:TSSOP
- 晶体管类型:MOSFET
- 表面安装器件:表面安装
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
- 电压, Vds 典型值:30V
- 电流, Id 连续:6A
