STMICROELECTRONICS - STB50N25M5 - 场效应管 MOSFET N沟道 250V 28A D2PAK
制造商：STMICROELECTRONICS
库存编号：
制造商编号：STB50N25M5
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国982
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 45.28
价格：
库存编号：
制造商编号：STB50N25M5
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包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 45.28
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 24 | CNY 45.28 |
| 25 - 99 | CNY 35.59 |
| 100 - 249 | CNY 28.53 |
| 250 - 499 | CNY 25.04 |
| 500+ | CNY 22.69 |
描述信息：
- 晶体管极性:N Channel
- 开态电阻, Rds(on):0.055ohm
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:D2PAK
- 封装类型:D2PAK
- 晶体管类型:Power MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:250V
- 电流, Id 连续:14A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
产品属性：
重量（公斤）：0.00143
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N Channel
- 开态电阻, Rds(on):0.055ohm
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:D2PAK
- 封装类型:D2PAK
- 晶体管类型:Power MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:250V
- 电流, Id 连续:14A
- 表面安装器件:表面安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
