FUJI ELECTRIC - 2SK3772-01 - 场效应管 MOSFET N TO-220AB
制造商:FUJI ELECTRIC
库存编号:
制造商编号:2SK3772-01
库存状态:上海 0 , 新加坡 0 , 英国214
包装规格:1
最小订单量:1
多重订单量:1
单位价格(不含税):CNY 49.60
价格:
库存编号:
制造商编号:2SK3772-01
库存状态:上海 0 , 新加坡 0 , 英国214
包装规格:1
最小订单量:1
多重订单量:1
单位价格(不含税):CNY 49.60
价格:
数量 | 单位价格(不含税) |
---|---|
1 - 24 | CNY 49.60 |
25 - 99 | CNY 39.43 |
100 - 249 | CNY 31.11 |
250+ | CNY 28.12 |
描述信息:
- 晶体管极性:N沟道
- 漏极电流, Id 最大值:32A
- 电压, Vds 最大:300V
- 开态电阻, Rds(on):0.13ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:30V
- 功耗:270W
- 封装类型:TO-220AB
- 针脚数:3
- 功率, Pd:270W
- 单脉冲雪崩能量 Eas:597.4mJ
- 封装类型:TO-220AB
- 引脚节距:5.45mm
- 总功率, Ptot:270W
- 晶体管类型:MOSFET
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:300V
- 电流, Id 连续:32A
- 电流, Idm 脉冲:128A
- 结温, Tj 最高:150°C
- 表面安装器件:通孔安装
- 重复雪崩电流, Iar:32A
- 阈值电压, Vgs th 典型值:5V
- 阈值电压, Vgs th 最低:3V
- 阈值电压, Vgs th 最高:5V
产品属性:
重量(公斤):0.002
原产地:
最近制造加工所发生的国家:
描述信息:
- 晶体管极性:N沟道
- 漏极电流, Id 最大值:32A
- 电压, Vds 最大:300V
- 开态电阻, Rds(on):0.13ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:30V
- 功耗:270W
- 封装类型:TO-220AB
- 针脚数:3
- 功率, Pd:270W
- 单脉冲雪崩能量 Eas:597.4mJ
- 封装类型:TO-220AB
- 引脚节距:5.45mm
- 总功率, Ptot:270W
- 晶体管类型:MOSFET
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:300V
- 电流, Id 连续:32A
- 电流, Idm 脉冲:128A
- 结温, Tj 最高:150°C
- 表面安装器件:通孔安装
- 重复雪崩电流, Iar:32A
- 阈值电压, Vgs th 典型值:5V
- 阈值电压, Vgs th 最低:3V
- 阈值电压, Vgs th 最高:5V