SEMELAB - BFD63 - 场效应管 MOSFET N TO-3
制造商：SEMELAB
库存编号：
制造商编号：BFD63
库存状态：无库存
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 360.12
价格：
库存编号：
制造商编号：BFD63
库存状态：无库存
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 360.12
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 24 | CNY 360.12 |
| 25 - 99 | CNY 259.24 |
| 100 - 249 | CNY 203.63 |
| 250+ | CNY 198.65 |
描述信息：
- 晶体管极性:N 通道
- 漏极电流, Id 最大值:6A
- 电压, Vds 最大:1000V
- 开态电阻, Rds(on):0.125ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:30V
- 功耗:198W
- 工作温度范围:-55oC to +150oC
- 封装类型:TO-3
- 针脚数:2
- 功率, Pd:198W
- 安装孔中心距:30mm
- 封装类型:TO-3
- 封装类型, 替代:TO-204AA
- 引脚节距:11mm
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:1000V
- 电流, Id 连续:6A
- 电流, Idm 脉冲:24A
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
产品属性：
重量（公斤）：0.0115
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N 通道
- 漏极电流, Id 最大值:6A
- 电压, Vds 最大:1000V
- 开态电阻, Rds(on):0.125ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:30V
- 功耗:198W
- 工作温度范围:-55oC to +150oC
- 封装类型:TO-3
- 针脚数:2
- 功率, Pd:198W
- 安装孔中心距:30mm
- 封装类型:TO-3
- 封装类型, 替代:TO-204AA
- 引脚节距:11mm
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:1000V
- 电流, Id 连续:6A
- 电流, Idm 脉冲:24A
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
