VISHAY SILICONIX - VCR4N - 晶体管JFET N TO-18
制造商:VISHAY SILICONIX
库存编号:
制造商编号:VCR4N
库存状态:上海46, 新加坡 0 , 英国 0
包装规格:1
最小订单量:1
多重订单量:1
单位价格(不含税):CNY 44.40
价格:
库存编号:
制造商编号:VCR4N
库存状态:上海46, 新加坡 0 , 英国 0
包装规格:1
最小订单量:1
多重订单量:1
单位价格(不含税):CNY 44.40
价格:
数量 | 单位价格(不含税) |
---|---|
1 - 24 | CNY 44.40 |
25 - 99 | CNY 41.76 |
100 - 249 | CNY 37.92 |
250+ | CNY 35.76 |
描述信息:
- 晶体管类型:JFET
- 电压, V(br)gss:-25V
- 电压, Vgs off 最大:-7V
- 封装类型:TO-18
- 针脚数:3
- 封装类型:TO-18
- 应用代码:V
- 总功率, Ptot:300mW
- 晶体管数:1
- 晶体管极性:N沟道
- 栅极电流, Ig:10mA
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压, Vds 最大:-25V
- 电流, Igr:-0.2nA
- 结温, Tj 最低:-55°C
- 结温, Tj 最高:175°C
- 表面安装器件:通孔安装
- 通态电阻, Rds on 最大:600ohm
- 针脚格式:b
- 针脚配置:b
产品属性:
重量(公斤):0.00035
原产地:
最近制造加工所发生的国家:
描述信息:
- 晶体管类型:JFET
- 电压, V(br)gss:-25V
- 电压, Vgs off 最大:-7V
- 封装类型:TO-18
- 针脚数:3
- 封装类型:TO-18
- 应用代码:V
- 总功率, Ptot:300mW
- 晶体管数:1
- 晶体管极性:N沟道
- 栅极电流, Ig:10mA
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压, Vds 最大:-25V
- 电流, Igr:-0.2nA
- 结温, Tj 最低:-55°C
- 结温, Tj 最高:175°C
- 表面安装器件:通孔安装
- 通态电阻, Rds on 最大:600ohm
- 针脚格式:b
- 针脚配置:b