FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - HGTP3N60A4 - 晶体管N IGBT TO-220
制造商：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
库存编号：
制造商编号：HGTP3N60A4
库存状态：无库存
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：
价格：
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单位价格(不含税)：
价格：
描述信息：
- 晶体管类型:IGBT
- 集电极直流电流:17A
- 饱和电压, Vce sat 最大:2.7V
- 最大功耗:70W
- 电压, Vceo:600V
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:TO-220AB
- 针脚数:3
- SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
- 上升时间:11ns
- 下降时间:47ns
- 功率, Pd:70W
- 功耗:70W
- 封装类型:TO-220AB
- 总功率, Ptot:70W
- 晶体管数:1
- 晶体管极性:N
- 最大连续电流, Ic:17A
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压, Vces:600V
- 电流, Icm 脉冲:40A
- 表面安装器件:通孔安装
- 针脚格式:GCE
- SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
产品属性：
重量（公斤）：0.00203
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管类型:IGBT
- 集电极直流电流:17A
- 饱和电压, Vce sat 最大:2.7V
- 最大功耗:70W
- 电压, Vceo:600V
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:TO-220AB
- 针脚数:3
- SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
- 上升时间:11ns
- 下降时间:47ns
- 功率, Pd:70W
- 功耗:70W
- 封装类型:TO-220AB
- 总功率, Ptot:70W
- 晶体管数:1
- 晶体管极性:N
- 最大连续电流, Ic:17A
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压, Vces:600V
- 电流, Icm 脉冲:40A
- 表面安装器件:通孔安装
- 针脚格式:GCE
- SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
