SEMIKRON - SK80GM063 - 晶体管 IGBT模块 反并联二极管对 600V
描述信息:
- 晶体管极性:N
- 饱和电压, Vce sat 最大:2.1V
- 电压, Vceo:600V
- 封装类型:SEMITOP 2
- 外宽:40.5mm
- 外部深度:28mm
- 封装类型:SEMITOP 2
- 晶体管数:2
- 晶体管类型:IGBT
- SMD标号:SEMITOP2
- 上升时间:35ns
- 功率, Pd:600W
- 安装孔中心距:38mm
- 最大连续电流, Ic:81A
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 电压:600V
- 电压, Vces:600V
- 电流, Icm 脉冲:105A
- 集电极电流, Ic 平均值:81A
- 集电极连续电流, Ic 最大值:57A
产品属性:
重量(公斤):0.13
原产地:
最近制造加工所发生的国家:
描述信息:
- 晶体管极性:N
- 饱和电压, Vce sat 最大:2.1V
- 电压, Vceo:600V
- 封装类型:SEMITOP 2
- 外宽:40.5mm
- 外部深度:28mm
- 封装类型:SEMITOP 2
- 晶体管数:2
- 晶体管类型:IGBT
- SMD标号:SEMITOP2
- 上升时间:35ns
- 功率, Pd:600W
- 安装孔中心距:38mm
- 最大连续电流, Ic:81A
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 电压:600V
- 电压, Vces:600V
- 电流, Icm 脉冲:105A
- 集电极电流, Ic 平均值:81A
- 集电极连续电流, Ic 最大值:57A