NXP - BLF242 - 场效应管 MOSFET RF SOT-123
制造商：NXP
库存编号：
制造商编号：BLF242
库存状态：上海 0 , 新加坡2, 英国74
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 329.70
价格：
库存编号：
制造商编号：BLF242
库存状态：上海 0 , 新加坡2, 英国74
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 329.70
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 24 | CNY 329.70 |
| 25+ | CNY 308.38 |
描述信息：
- 晶体管类型: HF-VHF功率 MOS
- 电压, Vds 最大:65V
- 电流, Id 连续:1A
- 最大功耗:16W
- 噪声:5.5dB
- 工作温度范围:-65°C to +150°C
- 封装类型:SOT-123
- 截止频率 ft, 典型值:175MHz
- 晶体管数:1
- 晶体管极性:N沟道
- 表面安装器件:螺丝安装
- 功率, Pd:5W
- 器件标号:1
- 封装类型:SOT-123
- 应用代码:RFPOWMOS
- 开态电阻, Rds(on):3.3ohm
- 效率:50%
- 最小功率增益 Gp:13dB
- 漏极电流, Id 最大值:1A
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:1V
- 电压, Vds 典型值:28V
- 电容值, Ciss 典型值:13pF
- 电流, Idm 脉冲:1A
- 电流, Idss 最大:0.01mA
- 负载功率:16W
- 通态电阻, Rds on 最大:5ohm
- 阈值电压, Vgs th 典型值:4.5V
- 阈值电压, Vgs th 最低:2V
- 阈值电压, Vgs th 最高:4.5V
产品属性：
重量（公斤）：0.0035
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管类型: HF-VHF功率 MOS
- 电压, Vds 最大:65V
- 电流, Id 连续:1A
- 最大功耗:16W
- 噪声:5.5dB
- 工作温度范围:-65°C to +150°C
- 封装类型:SOT-123
- 截止频率 ft, 典型值:175MHz
- 晶体管数:1
- 晶体管极性:N沟道
- 表面安装器件:螺丝安装
- 功率, Pd:5W
- 器件标号:1
- 封装类型:SOT-123
- 应用代码:RFPOWMOS
- 开态电阻, Rds(on):3.3ohm
- 效率:50%
- 最小功率增益 Gp:13dB
- 漏极电流, Id 最大值:1A
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:1V
- 电压, Vds 典型值:28V
- 电容值, Ciss 典型值:13pF
- 电流, Idm 脉冲:1A
- 电流, Idss 最大:0.01mA
- 负载功率:16W
- 通态电阻, Rds on 最大:5ohm
- 阈值电压, Vgs th 典型值:4.5V
- 阈值电压, Vgs th 最低:2V
- 阈值电压, Vgs th 最高:4.5V
