TOSHIBA - 2SK1119(F) - 场效应管 MOSFET N TO-220
制造商：TOSHIBA
库存编号：
制造商编号：2SK1119(F)
库存状态：上海 0 , 新加坡140, 英国1033
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 58.60
价格：
库存编号：
制造商编号：2SK1119(F)
库存状态：上海 0 , 新加坡140, 英国1033
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 58.60
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 24 | CNY 58.60 |
| 25 - 99 | CNY 49.20 |
| 100 - 249 | CNY 45.40 |
| 250 - 499 | CNY 44.30 |
| 500+ | CNY 43.20 |
描述信息：
- 晶体管极性:N沟道
- 漏极电流, Id 最大值:4A
- 电压, Vds 最大:1000V
- 开态电阻, Rds(on):3.8ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- ???压, Vgs 最高:20V
- 功耗:100W
- 封装类型:TO-220AB
- 针脚数:3
- 功率, Pd:100W
- 封装类型:TO-220AB
- 引脚节距:2.54mm
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:1000V
- 电流, Id 连续:4A
- 电流, Idm 脉冲:12A
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:3.5V
产品属性：
重量（公斤）：0.002
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N沟道
- 漏极电流, Id 最大值:4A
- 电压, Vds 最大:1000V
- 开态电阻, Rds(on):3.8ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- ???压, Vgs 最高:20V
- 功耗:100W
- 封装类型:TO-220AB
- 针脚数:3
- 功率, Pd:100W
- 封装类型:TO-220AB
- 引脚节距:2.54mm
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:1000V
- 电流, Id 连续:4A
- 电流, Idm 脉冲:12A
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:3.5V
