TOSHIBA - 2SJ380(F) - 场效应管 MOSFET P TO-220IS
制造商：TOSHIBA
库存编号：
制造商编号：2SJ380(F)
库存状态：上海 0 , 新加坡5, 英国405
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 28.20
价格：
库存编号：
制造商编号：2SJ380(F)
库存状态：上海 0 , 新加坡5, 英国405
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 28.20
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 24 | CNY 28.20 |
| 25 - 99 | CNY 24.77 |
| 100 - 249 | CNY 21.91 |
| 250 - 999 | CNY 19.44 |
| 1000+ | CNY 18.53 |
描述信息：
- 晶体管极性:P沟道
- 漏极电流, Id 最大值:-12A
- 电压, Vds 最大:100V
- 开态电阻, Rds(on):0.32ohm
- 电压 @ Rds测量:-10V
- 电压, Vgs 最高:-20V
- 功耗:35W
- 封装类型:TO-220IS
- 针脚数:3
- 功率, Pd:35W
- 封装类型:TO-220IS
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:-10V
- 电压, Vds 典型值:-100V
- 电流, Id 连续:12A
- 电流, Idm 脉冲:48A
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:-2V
- 阈值电压, Vgs th 最高:2V
- 隔离电压:2kV
产品属性：
重量（公斤）：0.002
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:P沟道
- 漏极电流, Id 最大值:-12A
- 电压, Vds 最大:100V
- 开态电阻, Rds(on):0.32ohm
- 电压 @ Rds测量:-10V
- 电压, Vgs 最高:-20V
- 功耗:35W
- 封装类型:TO-220IS
- 针脚数:3
- 功率, Pd:35W
- 封装类型:TO-220IS
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:-10V
- 电压, Vds 典型值:-100V
- 电流, Id 连续:12A
- 电流, Idm 脉冲:48A
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:-2V
- 阈值电压, Vgs th 最高:2V
- 隔离电压:2kV
