IXYS RF - IXZ2210N50L - 场效应管 MOSFET N RF 754
制造商：IXYS RF
库存编号：
制造商编号：IXZ2210N50L
库存状态：无库存
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 384.60
价格：
库存编号：
制造商编号：IXZ2210N50L
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最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 384.60
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY 384.60 |
描述信息：
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压, Vds 最大:500V
- 电流, Id 连续:10A
- 最大功耗:470W
- 工作温度范围:-55°C to +175°C
- 封装类型:DE275X2
- 晶体管极性:N
- 最小增益带宽 ft:175MHz
- 上升时间:16ns
- 功率, Pd:360W
- 封装类型:DE-275X2
- 开态电阻, Rds(on):1ohm
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:20V
- 电压, Vds 典型值:500V
- 电容值, Ciss 典型值:383pF
- 电流, Idm 脉冲:60A
- 阈值电压, Vgs th 典型值:4.95V
产品属性：
重量（公斤）：0.003
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压, Vds 最大:500V
- 电流, Id 连续:10A
- 最大功耗:470W
- 工作温度范围:-55°C to +175°C
- 封装类型:DE275X2
- 晶体管极性:N
- 最小增益带宽 ft:175MHz
- 上升时间:16ns
- 功率, Pd:360W
- 封装类型:DE-275X2
- 开态电阻, Rds(on):1ohm
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:20V
- 电压, Vds 典型值:500V
- 电容值, Ciss 典型值:383pF
- 电流, Idm 脉冲:60A
- 阈值电压, Vgs th 典型值:4.95V
