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IXYS RF - DE275X2-102N06A - 场效应管 MOSFET N RF DE275X2

IXYS RF - DE275X2-102N06A - 场效应管 MOSFET N RF DE275X2
制造商:IXYS RF
库存编号:
制造商编号:DE275X2-102N06A
库存状态:上海 0 , 新加坡3, 英国13
包装规格:1
最小订单量:1
多重订单量:1
单位价格(不含税):CNY 434.20
价格:
数量 单位价格(不含税)
1  - 9 CNY 434.20
10+  CNY 425.80

订购
描述信息:
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 电压, Vds 最大:1000V
  • 电流, Id 连续:16A
  • 最大功耗:1.18kW
  • 工作温度范围:-55°C to +175°C
  • 封装类型:DE-275X2
  • 晶体管极性:N
  • 上升时间:2ns
  • 功率, Pd:1180W
  • 封装类型:DE-275X2
  • 开态电阻, Rds(on):0.8ohm
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:15V
  • 电压, Vds 典型值:1000V
  • 电容值, Ciss 典型值:1800pF
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:5.5V
产品属性:

重量(公斤):0.004
原产地:
最近制造加工所发生的国家:

描述信息:
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 电压, Vds 最大:1000V
  • 电流, Id 连续:16A
  • 最大功耗:1.18kW
  • 工作温度范围:-55°C to +175°C
  • 封装类型:DE-275X2
  • 晶体管极性:N
  • 上升时间:2ns
  • 功率, Pd:1180W
  • 封装类型:DE-275X2
  • 开态电阻, Rds(on):0.8ohm
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:15V
  • 电压, Vds 典型值:1000V
  • 电容值, Ciss 典型值:1800pF
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:5.5V