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IXYS RF - IXFH6N100F - 场效应管 MOSFET N RF TO-247AD

IXYS RF - IXFH6N100F - 场效应管 MOSFET N RF TO-247AD
制造商:IXYS RF
库存编号:
制造商编号:IXFH6N100F
库存状态:无库存
包装规格:1
最小订单量:1
多重订单量:1
单位价格(不含税):CNY 57.80
价格:
数量 单位价格(不含税)
1  - 9 CNY 57.80
10+  CNY 56.70

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描述信息:
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 电压, Vds 最大:1000V
  • 电流, Id 连续:6A
  • 最大功耗:180W
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:TO-247AD
  • 晶体管极性:N
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 上升时间:14ns
  • 功率, Pd:180W
  • 封装类型:TO-247AD
  • 开态电阻, Rds(on):1.9ohm
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:1000V
  • 电容值, Ciss 典型值:1870pF
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:5V
产品属性:

重量(公斤):0.006
原产地:
最近制造加工所发生的国家:

描述信息:
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 电压, Vds 最大:1000V
  • 电流, Id 连续:6A
  • 最大功耗:180W
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:TO-247AD
  • 晶体管极性:N
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 上升时间:14ns
  • 功率, Pd:180W
  • 封装类型:TO-247AD
  • 开态电阻, Rds(on):1.9ohm
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:1000V
  • 电容值, Ciss 典型值:1870pF
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:5V