SEMIKRON - SK35GD126ET - 晶体管 IGBT模块 6晶体管 1200V
制造商:SEMIKRON
库存编号:
制造商编号:SK35GD126ET
库存状态:上海 0 , 新加坡 0 , 英国7
包装规格:1
最小订单量:1
多重订单量:1
单位价格(不含税):CNY 677.00
价格:
库存编号:
制造商编号:SK35GD126ET
库存状态:上海 0 , 新加坡 0 , 英国7
包装规格:1
最小订单量:1
多重订单量:1
单位价格(不含税):CNY 677.00
价格:
数量 | 单位价格(不含税) |
---|---|
1 - 4 | CNY 677.00 |
5 - 14 | CNY 486.90 |
15+ | CNY 451.50 |
描述信息:
- 模块配置:Three Phase Inverter
- 晶体管极性:N Channel
- 集电极直流电流:40A
- 饱和电压, Vce sat 最大:2.1V
- 电压, Vceo:1200V
- 工作温度范围:-40°C to +150°C
- 封装类型:SEMITOP 3
- 外宽:55mm
- 外部深度:31mm
- 封装类型:SEMITOP 3
- 晶体管数:6
- 晶体管类型:IGBT Module
- 表面安装器件:螺丝安装
- SMD标号:SEMITOP3
- 上升时间:30ns
- 功率, Pd:1050W
- 安装孔中心距:52.5mm
- 安装孔直径:2mm
- 最大连续电流, Ic:40A
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 电压:1200V
- 电压, Vces:1200V
- 电流, Icm 脉冲:80A
- 集电极电流, Ic 平均值:40A
- 集电极连续电流, Ic 最大值:32A
产品属性:
重量(公斤):0.13
原产地:
最近制造加工所发生的国家:
描述信息:
- 模块配置:Three Phase Inverter
- 晶体管极性:N Channel
- 集电极直流电流:40A
- 饱和电压, Vce sat 最大:2.1V
- 电压, Vceo:1200V
- 工作温度范围:-40°C to +150°C
- 封装类型:SEMITOP 3
- 外宽:55mm
- 外部深度:31mm
- 封装类型:SEMITOP 3
- 晶体管数:6
- 晶体管类型:IGBT Module
- 表面安装器件:螺丝安装
- SMD标号:SEMITOP3
- 上升时间:30ns
- 功率, Pd:1050W
- 安装孔中心距:52.5mm
- 安装孔直径:2mm
- 最大连续电流, Ic:40A
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 电压:1200V
- 电压, Vces:1200V
- 电流, Icm 脉冲:80A
- 集电极电流, Ic 平均值:40A
- 集电极连续电流, Ic 最大值:32A