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DIODES INC. - BSP75N - 场效应管 MOSFET 智能开关 SOT-223

DIODES INC. - BSP75N - 场效应管 MOSFET 智能开关 SOT-223
制造商:DIODES INC.
库存编号:
制造商编号:BSP75N
库存状态:上海20, 新加坡40, 英国 0
包装规格:1
最小订单量:1
多重订单量:1
单位价格(不含税):CNY 10.30
价格:
数量 单位价格(不含税)
1  - 24 CNY 10.30
25  - 99 CNY 8.00
100  - 249 CNY 5.40
250+  CNY 4.80

订购
描述信息:
  • 开态电阻, Rds(on):0.5ohm
  • 功耗:1.5W
  • 工作温度范围:-40oC to +150oC
  • 封装类型:SOT-223
  • 表面安装器件:表面??装
  • 功率, Pd:1.5W
  • 外宽:6.5mm
  • 外部深度:7mm
  • 外部长度/高度:1.6mm
  • 封装类型:SOT-223
  • 晶体管数:1
  • 晶体管极性:N
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 漏极电流, Id 最大值:1.3A
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:60V
  • 电压, Vds 最大:60V
  • 电流, Id 连续:1.1A
  • 电源电压:10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:2.1V
产品属性:

重量(公斤):0.111
原产地:
最近制造加工所发生的国家:

描述信息:
  • 开态电阻, Rds(on):0.5ohm
  • 功耗:1.5W
  • 工作温度范围:-40oC to +150oC
  • 封装类型:SOT-223
  • 表面安装器件:表面??装
  • 功率, Pd:1.5W
  • 外宽:6.5mm
  • 外部深度:7mm
  • 外部长度/高度:1.6mm
  • 封装类型:SOT-223
  • 晶体管数:1
  • 晶体管极性:N
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 漏极电流, Id 最大值:1.3A
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:60V
  • 电压, Vds 最大:60V
  • 电流, Id 连续:1.1A
  • 电源电压:10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:2.1V