FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDY4001CZ - 双MOSFET N沟道&P沟道 SC89-6

制造商：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
库存编号：
制造商编号：FDY4001CZ
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国1823
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 2.80
价格：

数量	单位价格(不含税)
1 - 9	CNY 2.80
10 - 99	CNY 2.00
100 - 249	CNY 1.58
250+	CNY 1.21

描述信息：

???块配置:NP
晶体管极性:N/P
漏极电流, Id 最大值:200mA
电压, Vds 最大:20V
开态电阻, Rds(on):5ohm
电压 @ Rds测量:4.5V
阈值电压, Vgs th 典型值:1V
功耗:625mW
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SC-89
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
封装类型:SC-89
晶体管类型:MOSFET
表面安装器件:表面安装
针脚配置:S2(4),G2(5),D1(6),D2(3),G1(2), S1(1)
功率, Pd:0.625W
漏极连续电流, Id N沟道:0.2A
??极连续电流, Id P沟道:0.15A
电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
电压, Vds 典型值:20V
电压, Vgs 最高:8V
电容值, Ciss 典型值:100pF
电流, Idm 脉冲:1A
通态电阻, Rds on N沟道 1:5ohm
通态电阻, Rds on, P沟道 1:8ohm
阈值电压, Vgs th 最低:0.6V
阈值电压, Vgs th 最高:1.5V

产品属性：

重量（公斤）：0.0005
原产地：
最近制造加工所发生的国家：

描述信息：

???块配置:NP
晶体管极性:N/P
漏极电流, Id 最大值:200mA
电压, Vds 最大:20V
开态电阻, Rds(on):5ohm
电压 @ Rds测量:4.5V
阈值电压, Vgs th 典型值:1V
功耗:625mW
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SC-89
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
封装类型:SC-89
晶体管类型:MOSFET
表面安装器件:表面安装
针脚配置:S2(4),G2(5),D1(6),D2(3),G1(2), S1(1)
功率, Pd:0.625W
漏极连续电流, Id N沟道:0.2A
??极连续电流, Id P沟道:0.15A
电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
电压, Vds 典型值:20V
电压, Vgs 最高:8V
电容值, Ciss 典型值:100pF
电流, Idm 脉冲:1A
通态电阻, Rds on N沟道 1:5ohm
通态电阻, Rds on, P沟道 1:8ohm
阈值电压, Vgs th 最低:0.6V
阈值电压, Vgs th 最高:1.5V