NXP - PMBFJ112 - 场效应管 JFET N RF SOT23
制造商：NXP
库存编号：
制造商编号：PMBFJ112
库存状态：上海455, 新加坡 0 , 英国2098
包装规格：1
最小订单量：10
多重订单量：5
单位价格(不含税)：CNY 7.80
价格：
库存编号：
制造商编号：PMBFJ112
库存状态：上海455, 新加坡 0 , 英国2098
包装规格：1
最小订单量：10
多重订单量：5
单位价格(不含税)：CNY 7.80
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 10 - 49 | CNY 7.80 |
| 50 - 199 | CNY 5.50 |
| 200 - 499 | CNY 4.40 |
| 500 - 999 | CNY 4.29 |
| 1000+ | CNY 4.18 |
描述信息：
- 晶体管类型:JFET
- 电压, V(br)gss:40V
- 零栅极电压漏极电流范围 Idss:5mA
- 电压, Vgs off 最大:3V
- 功耗:300mW
- 封装类型:SOT-23
- ??断电压, Vgs off 最低:-10V
- 封装类型:SOT-23
- 总功率, Ptot:0.3W
- 晶体管极性:N Channel
- 栅极电流, Ig:50mA
- 电压, Vds 最大:40V
- 电流, Idss 最小:5mA
- 结温, Tj 最高:150°C
- 表面安装器件:表面安装
- 通态电阻, Rds on 最大:50ohm
- 针脚配置:D(1),S(2),G(3)
产品属性：
重量（公斤）：0.001
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管类型:JFET
- 电压, V(br)gss:40V
- 零栅极电压漏极电流范围 Idss:5mA
- 电压, Vgs off 最大:3V
- 功耗:300mW
- 封装类型:SOT-23
- ??断电压, Vgs off 最低:-10V
- 封装类型:SOT-23
- 总功率, Ptot:0.3W
- 晶体管极性:N Channel
- 栅极电流, Ig:50mA
- 电压, Vds 最大:40V
- 电流, Idss 最小:5mA
- 结温, Tj 最高:150°C
- 表面安装器件:表面安装
- 通态电阻, Rds on 最大:50ohm
- 针脚配置:D(1),S(2),G(3)
