CLARE - CPC5602C - 场效应管 MOSFET N沟道
制造商：CLARE
库存编号：
制造商编号：CPC5602C
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国173
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 5.24
价格：
库存编号：
制造商编号：CPC5602C
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国173
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 5.24
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 24 | CNY 5.24 |
| 25 - 49 | CNY 4.68 |
| 50 - 99 | CNY 4.21 |
| 100 - 249 | CNY 3.83 |
| 250 - 499 | CNY 3.55 |
| 500 - 999 | CNY 3.30 |
| 1000+ | CNY 3.05 |
描述信息：
- 晶体管极性:N-Channel
- 漏极电流, Id 最大值:130mA
- 电压, Vds 最大:350V
- 开态电阻, Rds(on):8ohm
- 电压 @ Rds测量:-350mV
- 电压, Vgs 最高:-2V
- 功耗:2.5W
- 工作温度范围:-40°C to +85°C
- 封装类型:SOT-223
- 针脚数:4
- 封装类型:SOT-223
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:-0.35V
- 电压, Vds 典型值:350V
- 电流, Id 连续:5mA
- 表面安装器件:表面安装
产品属性：
重量（公斤）：0.01
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N-Channel
- 漏极电流, Id 最大值:130mA
- 电压, Vds 最大:350V
- 开态电阻, Rds(on):8ohm
- 电压 @ Rds测量:-350mV
- 电压, Vgs 最高:-2V
- 功耗:2.5W
- 工作温度范围:-40°C to +85°C
- 封装类型:SOT-223
- 针脚数:4
- 封装类型:SOT-223
- 晶体管类型:MOSFET
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:-0.35V
- 电压, Vds 典型值:350V
- 电流, Id 连续:5mA
- 表面安装器件:表面安装
