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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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DIODES ZETEX - DMP2104LP-7 - 场效应管 MOSFET P沟道 DFN1411-3 |
晶体管极性:P Channel
开态电阻, Rds(on):150mohm
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:DFN1411
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:DFN1411
晶体管类型:Enhancement
电压 Vgs @ Rds on 测量:-4.5V
电压, Vds 典型值:-20V
电流, Id 连续:-1.5A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:-1V
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无库存 |
1 |
5 |
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DIODES ZETEX - DMN601VK-7 - 场效应管 MOSFET 双N沟道 SOT-563 |
晶体管极性:Dual N Channel
开态电阻, Rds(on):2ohm
阈值电压, Vgs th 典型值:1.6V
工作温度范围:-65°C to +150°C
封装类型:SOT-563
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:SOT-563
晶体管类型:Enhancement
表面安装器件:表面安装
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:60V
电流, Id 连续:305mA
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无库存 |
1 |
5 |
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DIODES ZETEX - DMN5L06WK-7 - 场效应管 MOSFET N沟道 SOT-323 |
晶体管极性:N Channel
开态电阻, Rds(on):2ohm
工作温度范围:-65°C to +150°C
封装类型:SOT-323
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:SOT-323
晶体管类型:Enhancement
电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
电压, Vds 典型值:50V
电流, Id 连续:300mA
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1V
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无库存 |
1 |
5 |
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DIODES ZETEX - DMN5L06VK-7 - 场效应管 MOSFET 双N沟道 SOT-563 |
晶体管极性:Dual N Channel
开态电阻, Rds(on):2ohm
阈值电压, Vgs th 典型值:1V
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-563
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:SOT-563
晶体管类型:Enhancement
表面安装器件:表面安装
电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
电压, Vds 典型值:50V
电流, Id 连续:280mA
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无库存 |
1 |
5 |
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DIODES ZETEX - DMN5L06VAK-7 - 场效应管 MOSFET 双N沟道 SOT-563 |
晶体管极性:Dual N Channel
开态电阻, Rds(on):2ohm
阈值电压, Vgs th 典型值:1V
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-563
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:SOT-563
晶体管类型:Enhancement
表面安装器件:表面安装
电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
电压, Vds 典型值:50V
电流, Id 连续:280mA
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无库存 |
1 |
5 |
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DIODES ZETEX - DMN5L06DMK-7 - 场效应管 MOSFET 双N沟道 SOT-26 |
晶体管极性:Dual N Channel
开态电阻, Rds(on):2ohm
阈值电压, Vgs th 典型值:1V
工作温度范围:-65°C to +150°C
封装类型:SOT-26
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:SOT-26
晶体管类型:Enhancement
表面安装器件:表面安装
电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
电压, Vds 典型值:50V
电流, Id 连续:305mA
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无库存 |
1 |
5 |
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DIODES ZETEX - DMN5010VAK-7 - 场效应管 MOSFET 双N沟道 SOT-563 |
晶体管极性:Dual N Channel
开态电阻, Rds(on):2ohm
阈值电压, Vgs th 典型值:1V
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-563
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:SOT-563
晶体管类型:Enhancement
表面安装器件:表面安装
电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
电压, Vds 典型值:50V
电流, Id 连续:280mA
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无库存 |
1 |
5 |
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DIODES ZETEX - DMN2114SN-7 - 场效应管 MOSFET N沟道 SC-59 |
晶体管极性:N Channel
开态电阻, Rds(on):100mohm
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SC-59
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:SC-59
晶体管类型:Enhancement
电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
电压, Vds 典型值:20V
电流, Id 连续:1.2A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1.4V
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无库存 |
1 |
5 |
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DIODES ZETEX - DMN2005LP4K-7 - 场效应管 MOSFET N沟道 DFN1006-3 |
晶体管极性:N Channel
开态电阻, Rds(on):1.5ohm
工作温度范围:-65°C to +150°C
封装类型:DFN1006H4
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:DFN1006H4
晶体管类型:Enhancement
电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
电压, Vds 典型值:20V
电流, Id 连续:200mA
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:900mV
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无库存 |
1 |
5 |
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DIODES ZETEX - DMN2004WK-7 - 场效应管 MOSFET N沟道 SOT-323 |
晶体管极性:N Channel
开态电阻, Rds(on):550mohm
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-323
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:SOT-323
晶体管类型:Enhancement
电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
电压, Vds 典型值:20V
电流, Id 连续:540mA
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:1V
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无库存 |
1 |
5 |
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DIODES ZETEX - DMN2004VK-7 - 场效应管 MOSFET 双N沟道 SOT-563 |
晶体管极性:N Channel
开态电阻, Rds(on):550mohm
阈值电压, Vgs th 典型值:1V
工作温度范围:-65°C to +150°C
封装类型:SOT-563
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:SOT-563
晶体管类型:Enhancement
表面安装器件:表面安装
电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
电压, Vds 典型值:20V
电流, Id 连续:540mA
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无库存 |
1 |
5 |
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DIODES ZETEX - DMN2004DWK-7 - 场效应管 MOSFET 双N沟道 SOT-363 |
晶体管极性:Dual N Channel
开态电阻, Rds(on):550mohm
阈值电压, Vgs th 典型值:1V
工作温度范围:-65°C to +150°C
封装类型:SOT-363
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:SOT-363
晶体管类型:Enhancement
表面安装器件:表面安装
电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
电压, Vds 典型值:20V
电流, Id 连续:540mA
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无库存 |
1 |
5 |
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DIODES ZETEX - DMN2004DMK-7 - 场效应管 MOSFET 双N沟道 SOT-26 |
晶体管极性:N Channel
开态电阻, Rds(on):550mohm
阈值电压, Vgs th 典型值:1V
工作温度范围:-65°C to +150°C
封装类型:SOT-26
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:SOT-26
晶体管类型:Enhancement
表面安装器件:表面安装
电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
电压, Vds 典型值:20V
电流, Id 连续:540mA
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无库存 |
1 |
5 |
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DIODES ZETEX - 2N7002VC-7 - 场效应管 MOSFET 双N沟道 60V SOT-563 |
晶体管极性:Dual N Channel
开态电阻, Rds(on):13.5ohm
阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-563
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:SOT-563
晶体管类型:Enhancement
表面安装器件:表面安装
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:60V
电流, Id 连续:280mA
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无库存 |
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5 |
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DIODES ZETEX - 2N7002VAC-7 - 场效应管 MOSFET 双N沟道 60V SOT-563 |
晶体管极性:Dual N Channel
开态电阻, Rds(on):13.5ohm
阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-563
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:SOT-563
晶体管类型:Enhancement
表面安装器件:表面安装
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:60V
电流, Id 连续:280mA
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无库存 |
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