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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRG4BC20F-SPBF - 晶体管 IGBT D2-PAK |
晶体管类型:IGBT
饱和电压, Vce sat 最大:2V
电压, Vceo:600V
封装类型:D2-PAK
针脚数:3
上升时间:22ns
功率, Pd:60W
功耗:60W
封装类型:D2-PAK
晶体管极性:N
最大连续电流, Ic:16A
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电流, Icm 脉冲:64A
表面安装器件:表面安装
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停产 |
1 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRG4BC15UD-SPBF - 晶体管 IGBT D2-PAK |
晶体管类型:IGBT
饱和电压, Vce sat 最大:2.4V
最大功耗:49W
电压, Vceo:600V
封装类型:TO-263 (D2-Pak)
针脚数:3
上升时间:20ns
下降时间最大:120ns
功率, Pd:49W
功耗:49W
封装类型:TO-263 (D2-Pak)
晶体管数:1
晶体管极性:N
最大连续电流, Ic:14A
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电流, Icm 脉冲:42A
表面安装器件:表面安装
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无库存 |
1 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRG4BC10SD-SPBF - 晶体管IGBT D2-PAK |
晶体管类型:IGBT
饱和电压, Vce sat 最大:1.8V
电压, Vceo:600V
封装类型:D2-PAK
针脚数:3
上升时间:36ns
下降时间最大:1080ns
功率, Pd:38W
功耗:38W
封装类型:D2-PAK
晶体管数:1
晶体管极性:N
最大连续电流, Ic:14A
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电流, Icm 脉冲:18A
表面安装器件:表面安装
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上海 0
新加坡 0
英国28 |
1 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRG4BC10KPBF - 晶体管IGBT TO-220AB |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:9A
饱和电压, Vce sat 最大:2.62V
最大功耗:38W
电压, Vceo:600V
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-220AB
针脚数:3
上升时间:24ns
功率, Pd:38W
功耗:38W
封装类型:TO-220AB
晶体管极性:N
最大连续电流, Ic:9A
电流, Icm 脉冲:18A
集电极电流, Ic 平均值:9A
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无库存 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - HGTP12N60A4D - 晶体管 IGBT TO-220 |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:54A
饱和电压, Vce sat 最大:2.7V
最大功耗:167W
电压, Vceo:600V
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-220AB
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
上升时间:8ns
下降时间:18ns
功率, Pd:167W
功耗:167W
封装类型:TO-220AB
晶体管数:1
晶体管极性:N沟道
最大连续电流, Ic:54A
满功率温度:25°C
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:96A
表面安装器件:通孔安装
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海 0
新??坡16
英国 0 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - SGH80N60UFDTU - 晶体管IGBT |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:80A
饱和电压, Vce sat 最大:2.6V
最大功耗:195W
电压, Vceo:600V
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-3P
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
上升时间:50ns
下降时间:50ns
功率, Pd:195W
功耗:195W
器件标记:SGH80N60UFDTU
封装类型:TO-3P
总功率, Ptot:195W
晶体管数:1
晶体管极性:N
最大连续电流, Ic:80A
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:220A
表面安装器件:通孔安装
针脚格式:GCE
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海20
新加坡28
英国2554 |
1 |
1 |
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INFINEON - BUP213 - 晶体管IGBT TO-220 |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:32A
饱和电压, Vce sat 最大:2.7V
最大功耗:200W
电压, Vceo:1200V
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-220AB
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
上升时间:70ns
下降时间:95ns
功率, Pd:200W
功耗:200W
器件标记:BUP213
封装类型:TO-220AB
总功率, Ptot:200W
晶体管数:1
晶体管极性:N
最大连续电流, Ic:32A
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压, Vces:1200V
电流, Icm 脉冲:64A
表面安装器件:通孔安装
针脚格式:GCE
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停产 |
1 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRGP30B60KD-EP - 晶体管 IGBT TO-247AC |
晶体管类型:IGBT
饱和电压, Vce sat 最大:2.35V
电压, Vceo:600V
封装类型:TO-247AD
上升时间:39ns
功率, Pd:304W
封装类型:TO-247AD
晶体管极性:N
最大连续电流, Ic:60A
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:120A
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无库存 |
1 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRG4P254SPBF - 晶体管IGBT TO-247AC |
晶体管类型:IGBT
饱和电压, Vce sat 最大:1.5V
最大功耗:200W
电压, Vceo:250V
封装类型:TO-247AC
针脚数:3
上升时间:44ns
下降时间最大:940ns
功率, Pd:200W
功耗:200W
封装类型:TO-247AC
晶体管数:1
晶体管极性:N
最大连续电流, Ic:98A
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压, Vces:250V
电流, Icm 脉冲:196A
表面安装器件:通孔安装
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无库存 |
1 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRGIB15B60KD1P - 晶体管 IGBT TO-220FP |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:19A
饱和电压, Vce sat 最大:2.2V
最大功耗:52W
电压, Vceo:600V
工作温度范围:-55°C to +175°C
封装类型:TO-220FP
上升时间:35ns
功率, Pd:52W
功耗:52W
封装类型:TO-220FP
晶体管极性:N
最大连续电流, Ic:19A
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:38A
表面安装器件:通孔安装
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上海 0
新加坡 0
英国204 |
1 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRGIB10B60KD1P - 晶体管 IGBT TO-220FP |
晶体管类型:IGBT
饱和电压, Vce sat 最大:2.1V
最大功耗:44W
电压, Vceo:600V
封装类型:TO-220FP
上升时间:34ns
功率, Pd:44W
功耗:44W
封装类型:TO-220FP
晶体管极性:N
最大连续电流, Ic:16A
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:32A
表面安装器件:通孔安装
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无库存 |
1 |
1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRGS4B60KPBF - 晶体管 IGBT D2-PAK |
晶体??类型:IGBT
饱和电压, Vce sat 最大:2.5V
电压, Vceo:600V
封装类型:D2-PAK
上升时间:23ns
功率, Pd:63W
功耗:63W
封装类型:D2-PAK
晶体管极性:N
最大连续电流, Ic:12A
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:24A
表面安装器件:表面安装
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上海 0
新加坡 0
英??16 |
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1 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRGS4B60KD1PBF - 晶体管 IGBT D2-PAK |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:11A
饱和电压, Vce sat 最大:2.5V
最大功耗:63W
电压, Vceo:600V
封装类型:D2-PAK
针脚数:3
上升时间:23ns
下降时间:79ns
下降时间典型值:79ns
功率, Pd:63W
功耗:63W
封装类型:D2-PAK
封装类型, 替代:TO-263
晶体管数:1
晶体管极性:N沟道
最大连续电流, Ic:11A
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:22A
表面安装器件:表面安装
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上海 0
新加坡 0
英国28 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRGS10B60KDPBF - 晶体管 IGBT D2-PAK |
晶体管类型:IGBT
集电极直流电流:22A
饱和电压, Vce sat 最大:2.5V
最大功耗:156W
电压, Vceo:600V
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:D2-PAK
上升时间:29ns
功率, Pd:156W
功耗:156W
封装类型:D2-PAK
晶体管极性:N
最大连续电流, Ic:22A
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:44A
表面安装器件:表面安装
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无库存 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - IRG4BC30W-SPBF - 晶体管IGBT D2-PAK |
晶体管类型:IGBT
饱和电压, Vce sat 最大:2.7V
电压, Vceo:600V
封装类型:D2-PAK
上升时间:17ns
功率, Pd:100W
功耗:100W
封装类型:D2-PAK
晶体管极性:N
最大连续电流, Ic:23A
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:92A
表面安装器件:表面安装
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上海 0
新加坡4
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