| 图片 |
型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
 |
STMICROELECTRONICS - VNB35N07TR-E - 场效应管 MOSFET OMNIFET 70V 35A D2PAK |
晶体管极性:N Channel
开态电阻, Rds(on):0.028ohm
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:D2PAK
封装类型:D2PAK
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:70V
电流, Id 连续:18A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:3V
|
上海 0
新加坡20
英国928 |
1 |
1 |
  |
 |
STMICROELECTRONICS - VNB28N04-E - 场效应管 MOSFET OMNIFET 42V 28A D2PAK |
晶体管极性:N Channel
开态电阻, Rds(on):0.035ohm
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:D2PAK
封装类型:D2PAK
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:42V
电流, Id 连续:14A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:3V
|
上海 0
新加坡20
英国883 |
1 |
1 |
|
 |
STMICROELECTRONICS - STP26NM60N - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 20A TO220 |
晶体管极性:N Channel
开态电阻, Rds(on):0.135ohm
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-220
封装类型:TO-220
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:600V
电流, Id 连续:10A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:3V
|
上海 0
新加坡10
英国 0 |
1 |
1 |
|
 |
STMICROELECTRONICS - STF26NM60N - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 20A TO220FP |
晶体管极性:N Channel
开态电阻, Rds(on):0.135ohm
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-220FP
封装类型:TO-220FP
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:600V
电流, Id 连续:10A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:3V
|
上海 0
新加坡 0
英国1 |
1 |
1 |
|
 |
STMICROELECTRONICS - STP13NM60N - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 11A TO220 |
晶体管极性:N Channel
开态电阻, Rds(on):0.28ohm
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-220
封装类型:TO-220
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:600V
电流, Id 连续:5.5A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:3V
|
上海 0
新加坡 0
英国50 |
1 |
1 |
|
 |
STMICROELECTRONICS - STF13NM60N - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 11A TO220FP |
晶体管极性:N Channel
开态电阻, Rds(on):0.28ohm
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-220FP
封装类型:TO-220FP
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:600V
电流, Id 连续:5.5A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:3V
|
上海 0
新加坡 0
英国50 |
1 |
1 |
|
 |
STMICROELECTRONICS - STD13NM60N - 场效应管 MOSFET N沟道 600V 11A DPAK |
晶体管极性:N Channel
开态电阻, Rds(on):0.28ohm
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:DPAK
封装类型:DPAK
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:600V
电流, Id 连续:5.5A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:3V
|
上海 0
新加坡 0
英国2265 |
1 |
1 |
|
 |
STMICROELECTRONICS - STK38N3LLH5 - 场效应管 MOSFET N沟道 30V 38A POLARPAK |
晶体管极性:N Channel
开态电阻, Rds(on):1.3mohm
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:PolarPAK
封装类型:PolarPAK
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:30V
电流, Id 连续:19A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
|
上海 0
新加坡 0
英国2929 |
1 |
1 |
|
 |
STMICROELECTRONICS - STB50N25M5 - 场效应管 MOSFET N沟道 250V 28A D2PAK |
晶体管极性:N Channel
开态电阻, Rds(on):0.055ohm
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:D2PAK
封装类型:D2PAK
晶体管类型:Power MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:250V
电流, Id 连续:14A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:4V
|
上海 0
新加坡 0
英国982 |
1 |
1 |
|
 |
VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - V10P10-M3/86A - 肖特基整流二极管 |
二极管类型:Schottky
电压, Vrrm:100V
电流, If 平均:10A
正向电压 Vf 最大:620mV
电流, Ifs 最大:180A
工作温度范围:-40°C to +150°C
封装形式:TO-277A
针脚数:3
封装类型:TO-277A
电流, Ifsm:180A
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:表面安装
|
上海 0
新加坡 0
英国1447 |
1 |
1 |
|
 |
VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - SMCJ30A-E3/57T - 二极管 TVS 1.5KW 30V 单向 SMC |
封装形式:SMC
针脚数:2
二极管类型:TVS, Unidirectional
封装类型:SMC
工作温度范围:-55°C to +150°C
截止电压:30V
电压 Vbr:33.3V
脉冲峰值功率:1.5kW
表面安装器件:表面安装
|
上海5
新加坡75
英国 0 |
1 |
1 |
|
 |
SANYO - VEC2305-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 18V 2.5A VEC8 |
晶体管极性:Dual P Channel
???极电流, Id 最大值:2.5A
电压, Vds 最大:12V
开态电阻, Rds(on):115mohm
电压 @ Rds测量:4.5V
阈值电压, Vgs th 典型值:1V
功耗:1W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:VEC8
针脚数:8
封装类型:VEC8
晶体管类型:Switching
表面安装器件:表面安装
电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
电压, Vds 典型值:18V
电压, Vgs 最高:8V
电流, Id 连续:1.5A
|
上海 0
新加坡 0
英国100 |
1 |
1 |
|
 |
SANYO - VEC2303-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 12V 4A VEC8 |
晶体管极性:Dual P Channel
漏极电流, Id 最大值:4A
电压, Vds 最大:12V
开态电阻, Rds(on):49mohm
电压 @ Rds测量:4.5V
阈值电压, Vgs th 典型值:1V
功耗:1W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:VEC8
针脚数:8
封装类型:VEC8
晶体管类型:Switching
表面安装器件:表面安装
电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
电压, Vds 典型值:12V
电压, Vgs 最高:8V
电流, Id 连续:2A
|
上海 0
新加坡 0
英国97 |
1 |
1 |
|
 |
SANYO - VEC2301-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 20V 3A VEC8 |
晶体管极性:Dual P Channel
漏极电流, Id 最大值:3A
电压, Vds 最大:20V
开态电阻, Rds(on):81mohm
电压 @ Rds测量:4.5V
阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
功耗:1W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:VEC8
针脚数:8
封装类型:VEC8
晶体管类型:Switching
表面安装器件:表面安装
电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
电压, Vds 典型值:20V
电压, Vgs 最高:10V
电流, Id 连续:2A
|
上海 0
新加坡 0
英国100 |
1 |
1 |
|
 |
SANYO - SCH2315-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 12V 0.9A SCH6 |
晶体管极性:Dual P Channel
漏极电流, Id 最大值:0.9A
电压, Vds 最大:12V
开态电阻, Rds(on):615mohm
电压 @ Rds测量:4.5V
阈值电压, Vgs th 典型值:1V
功耗:650mW
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SCH6
针脚数:6
封装类型:SCH6
晶体管类型:Switching
表面安装器件:表面安装
电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
电压, Vds 典型值:12V
电压, Vgs 最高:8V
电流, Id 连续:0.5A
|
上海 0
新加坡 0
英国100 |
1 |
1 |
|
| 共 837 页 | 第 2 页 | 首页 上一页 下一页 尾页 |
