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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
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INFINEON - FS150R12KE3 - 晶体管 IGBT模块 1200V ECONOPACK2 |
模块配置:Three Phase Inverter
集电极直流电流:200A
饱和电压, Vce sat 最大:2.15V
最大功耗:700W
电压, Vceo:1200V
工作温度范围:-40°C to +125°C
封装类型:Econopack 2
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
封装类型:Econopack 2
晶体管数:6
晶体管类型:IGBT Module
表面安装器件:焊接型
功率, Pd:700W
功耗:700W
最大连续电流, Ic:150A
温度 @ 电流测量:80°C
满功率温度:25°C
电压, Vces:1200V
电流, Icm 脉冲:300A
饱和电压 Vce sat 典型值:1.7V
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无库存 |
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INFINEON - FS50R12KE3 - 晶体管 IGBT模块 1200V ECONOPACK2 |
饱和电压, Vce sat 最大:2.15V
电??, Vceo:1200V
工作温度范围:-40°C to +125°C
封装类型:Econopack 2
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
封装类型:Econopack 2
晶体管数:6
晶体管类型:3-Phase Bridge + NTC Thermistor
表面安装器件:焊接型
功率, Pd:270W
功耗:270W
最大连续电流, Ic:50A
温度 @ 电流测量:80°C
满功率温度:25°C
电压, Vces:1200V
电流, Icm 脉冲:100A
饱和电压 Vce sat 典型值:1.7V
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无库存 |
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INFINEON - FP75R12KE3 - 晶体管 IGBT模块 1200V ECONOPIM |
模块配置:Three Phase Inverter
晶体管极性:NPN
集电极直流电流:105A
饱和电压, Vce sat 最大:2.3V
最???功耗:350W
电压, Vceo:1.2kV
工作温度范围:-40°C to +125°C
封装类型:Econopim 2
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
封装类型:Econopim 2
晶体管类型:IGBT Module
表面安装器件:焊接型
功耗:350W
总功率, Ptot:350W
最大连续电流, Ic:105A
电压, Vces:1200V
电压, Vrrm:1600V
电流, Icm 脉冲:150A
电流, If 平均:75A
电流, Ifs 最大:500A
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上海 0
新加坡 0
英国3 |
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INFINEON - FP50R12KE3 - 晶体管 IGBT模块 1200V ECONOPIM |
晶体管极性:NPN
饱和电压, Vce sat 最大:2.15V
工作温度范围:-40°C to +125°C
封装类型:Econopim 2
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
封装类型:Econopim 2
晶体管类型:IGBT Module (3 Phase Bridge + Brake Chopper + 3 Phase Invertor)
表面安装器件:焊接型
功耗:270W
总功率, Ptot:270W
最大连续电流, Ic:75A
电压, Vces:1200V
电压, Vrrm:1600V
电流, Icm 脉冲:100A
电流, If 平均:50A
电流, Ifs 最大:315A
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无库存 |
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INFINEON - FP40R12KE3 - 晶体管 IGBT模块 1200V ECONOPIM |
模块配置:1 Pair Series Connection
晶体管极性:NPN
集电极直流电流:55A
饱和电压, Vce sat 最大:2.3V
???大功耗:200W
电压, Vceo:1.2kV
工作温度范围:-40°C to +125°C
封装类型:Econopim
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
封装类型:Econopim
晶体管类型:IGBT Module
表面安装器件:焊接型
功耗:200W
总功率, Ptot:200W
最大连续电流, Ic:55A
电压, Vces:1200V
电压, Vrrm:1600V
电流, Icm 脉冲:80A
电流, If 平均:40A
电流, Ifs 最大:315A
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上海 0
新加坡 0
英国13 |
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INFINEON - FP15R12KE3G - 晶体管 IGBT模块 1200V ECONOPIM |
晶体管极性:NPN
饱和电压, Vce sat 最大:2.2V
工作温度范围:-40°C to +125°C
封装类型:Econopim
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
封装类型:Econopim
晶体管类型:IGBT Module (3 Phase Bridge + Brake Chopper + 3 Phase Invertor)
表面安装器件:焊接型
功耗:100W
总功率, Ptot:100W
最大连续电流, Ic:25A
电压, Vces:1200V
电压, Vrrm:1600V
电流, Icm 脉冲:30A
电流, If 平均:15A
电流, Ifs 最大:315A
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无库存 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FSBB15CH60F - 智能电源模块 |
晶体管极性:N
集电极直流电流:15A
饱和电压, Vce sat 最大:2.3V
最大功耗:50W
电压, Vceo:600V
封装类型:SPM27-CA
针脚数:27
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
封装类型:SPM27-CA
晶体管类型:Smart Power Module
表面安装器件:通孔安装
功率, Pd:50W
功耗:50W
最大连续电流, Ic:15A
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:30A
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无库存 |
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SEMIKRON - SK9GD065 - 晶体管 IGBT模块 6管 11A 600V |
晶体管极性:N
集电极直流电流:11A
饱和电压, Vce sat 最大:2.5V
电压, Vceo:1.2V
封装类型:SEMITOP 2
针脚数:11
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:SEMITOP 2
晶体管数:6
晶体管类型:3 Phase Controlled Bridge (IGBT) - NPT
表面安装器件:螺丝安装
上升时间:25ns
最大连续电流, Ic:8A
温度 @ 电流测量:80°C
电压, Vces:600V
隔离电压:2500V
集电极电流, Ic 平均值:11A
集电极连续电流, Ic 最大值:8A
饱和电压 Vce sat 典型值:2V
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上海 0
新加坡 0
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SEMIKRON - SK30GB128 - 晶体管 IGBT模块 双管 35A 1200V |
晶体管极性:N
集电极直流电流:35A
饱和电压, Vce sat 最大:2.3V
电压, Vceo:1.1V
封装类型:SEMITOP 2
针脚数:5
封装类型:SEMITOP 2
晶体管数:2
晶体管类型:IGBT
表面安装器件:螺丝安装
上升时间:26ns
最大连续电流, Ic:25A
温度 @ 电流测量:80°C
电压, Vces:1200V
隔离电压:2500V
集电极电流, Ic 平均值:35A
集电极连续电流, Ic 最大值:25A
饱和电压 Vce sat 典型值:2V
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停产 |
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SEMIKRON - SK10GD123 - 晶体管 IGBT模块 6管 16A |
晶体管极性:N
集电极直流电流:16A
??和电压, Vce sat 最大:3.2V
电压, Vceo:1.2V
封装类型:SEMITOP 3
针脚数:11
封装类型:SEMITOP 3
晶体管数:6
晶体管类型:3 Phase Controlled Bridge (IGBT) - NPT
表面安装器件:螺丝安装
上升时间:45ns
最大连续电流, Ic:11A
温度 @ 电流测量:80°C
电压, Vces:1200V
隔离电压:2500V
集电极电流, Ic 平均值:16A
集电极连续电流, Ic 最大值:11A
饱和电压 Vce sat 典型值:2.7V
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无库存 |
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STMICROELECTRONICS - STG3P3M25N60 - 晶体管 IGBT模块 25A 600V |
晶体管极性:N
饱和电压, Vce sat 最大:2.5V
封装类型:SEMITOP 3
封装类型:SEMITOP 3
晶体管类型:PowerMESH
表面安装器件:螺丝安装
功耗:96W
最大连续电流, Ic:25A
电压, Vces:600V
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上海 0
新加坡 0
英国3 |
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STMICROELECTRONICS - STG3P2M10N60B - 晶体管 IGBT模块 10A 600V |
晶体管极??:N
饱和电压, Vce sat 最大:2.5V
封装类型:SEMITOP 2
封装类型:SEMITOP 2
晶体管类型:PowerMESH
表面安装器件:螺丝安装
功耗:56W
最大连续电流, Ic:10A
电压, Vces:600V
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无库存 |
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INTERNATIONAL RECTIFIER - CPV364M4KPBF - 绝缘金属物质功率模块 |
绝缘金属物质功率模块
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美国 0
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SEMIKRON - SK 80GB063 - 晶体管 IGBT模块 |
晶体管 IGBT模块
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SEMIKRON - SK 50GB065 - 晶体管 IGBT模块 N通道 |
晶体管 IGBT模块 N通道
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