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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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SEMIKRON - SK 25GB065 - 晶体管 IGBT模块 N通道 |
晶体管 IGBT模块 N通道
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无库存 |
1 |
3 |
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SEMIKRON - SK 10GD123 - 晶体管 IGBT模块 N通道 |
晶体管 IGBT模块 N通道
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无库存 |
1 |
3 |
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SEMIKRON - SK 9GD065 - 晶体管 IGBT模块 |
晶体管 IGBT模块
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无库存 |
1 |
3 |
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VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIER - CPV362M4UPBF - 绝缘金属物质功率模块 |
绝缘金属物质功率模块
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美国 0
上海 0
美国604
新加坡 0 |
1 |
1 |
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SEMIKRON - SKM 75GD123D - 晶体管 IGBT模块 |
晶体管 IGBT模块
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无库存 |
1 |
1 |
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SEMIKRON - SKM 500GA123D - 晶体管 IGBT模块 |
晶体管 IGBT模块
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无库存 |
1 |
1 |
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SEMIKRON - SKM 300GAR123D - 晶体管 IGBT模块 |
晶体管 IGBT模块
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无库存 |
1 |
1 |
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SEMIKRON - SKM 300GAL123D.. - 晶体管 IGBT模块 Vceo:1200V Case 3 |
晶体管 IGBT模块 Vceo:1200V Case 3
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无库存 |
1 |
1 |
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SEMIKRON - SKM100GB173D - 晶体管 IGBT模块 Vceo:1700V Case 2 |
晶体管 IGBT模块 Vceo:1700V Case 2
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无库存 |
1 |
8 |
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SEMIKRON - SKM 200GB173D - 晶体管 IGBT模块 Vceo:1700V Case 3 |
晶体管 IGBT模块 Vceo:1700V Case 3
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无库存 |
1 |
1 |
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SEMIKRON - SKM 400GA123D - 晶体管 IGBT模块 N沟道l Vceo:1.6V Case 4 |
晶体管 IGBT模块 N沟道l Vceo:1.6V Case 4
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无库存 |
1 |
1 |
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SEMIKRON - SKM 200GB128D - 双IGBT模块 300A 1200V SPT |
晶体管极性:N
集电极直流电流:285A
饱和电压, Vce sat 最大:2.4V
电压, Vceo:1200V
封装类型:SEMITRANS 3
针脚数:7
外宽:106.4mm
外部深度:61.4mm
外部长度/高度:30.5mm
封装类型:SEMITRANS 3
晶体管数:2
晶体管类型:IGBT Module
表面安装器件:螺丝安装
上升时间:55ns
下降时间:40ns
安装孔中心距:93mm
安装孔直径:6.4mm
最大连续电流, Ic:310A
温度 @ 电流测量:25°C
电压, Vces:1200V
电流, Icm 脉冲:620A
集电极电流, Ic 平均值:310A
集电极连续电流, Ic 最大值:220A
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停产 |
1 |
1 |
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SEMIKRON - SKM 150GB128D - 双IGBT模块 200A 1200V SPT |
晶体管极性:N
饱和电压, Vce sat 最大:2.35V
电压, Vceo:1200V
封装类型:SEMITRANS 3
外宽:106.4mm
外部深度:61.4mm
外部长度/高度:30.5mm
封装类型:SEMITRANS 3
晶体管数:2
晶体管类型:IGBT Module
表面安装器件:螺丝安装
上升时间:40ns
下降时间:65ns
安装孔中心距:93mm
安装孔直径:6.4mm
最大连续电流, Ic:200A
温度 @ 电流测量:25°C
电压, Vces:1200V
集电极电流, Ic 平均值:200A
集电极连续电流, Ic 最大值:140A
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停产 |
1 |
1 |
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SEMIKRON - SKM 100GB128D - 双IGBT模块145A 1200V SPT |
晶体管极性:N
饱和电压, Vce sat 最大:2.35V
电压, Vceo:1200V
封装类型:SEMITRANS 2
外宽:94mm
外部深度:30.5mm
外部长度/高度:26mm
封装类型:SEMITRANS 2
晶体管数:2
晶体管类型:IGBT Module
表面安装器件:螺丝安装
上升时间:38ns
下降时间:65ns
安装孔中心距:80mm
最大连续电流, Ic:145A
温度 @ 电流测量:25°C
电压, Vces:1200V
集电极电流, Ic 平均值:145A
集电极连续电流, Ic 最大值:105A
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停产 |
1 |
1 |
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SEMIKRON - SKM 75GB128D - 双IGBT模块 100A 1200V SPT |
晶体管极性:N Channel
饱???电压, Vce sat 最大:1.15V
电压, Vceo:1200V
封装类型:SEMITRANS 2
外宽:94mm
外部深度:30.5mm
外部长度/高度:26mm
封装类型:SEMITRANS 2
晶体管数:2
晶体管类型:IGBT Module
表面安装器件:螺丝安装
上升时间:35ns
下降时间:65ns
安装孔中心距:80mm
最大连续电流, Ic:100A
温度 @ 电流测量:25°C
电压, Vces:1200V
集电极电流, Ic 平均值:100A
集电极连续电流, Ic 最大值:70A
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停产 |
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1 |
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