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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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SEMIKRON - SEMIX 653GB176HDS - 双IGBT模块 1700V |
晶体管极性:N
饱和电压, Vce sat 最大:2.45V
电压, Vceo:1700V
封装类型:SEMiX 3
外宽:149.5mm
外部深度:61.6mm
封装类型:SEMiX 3
晶体管数:4
晶体管类型:IGBT
SMD标号:SEMiX3
上升时间:90ns
安装孔中心距:137mm
安装孔直径:5.5mm
最大连续电流, Ic:650A
温度 @ 电流测量:25°C
电压:1700V
电压, Vces:1700V
电流, Icm 脉冲:650A
集电极电流, Ic 平均值:650A
集电极连续电流, Ic 最大值:460A
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无库存 |
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1 |
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SEMIKRON - SEMIX 452GB176HDS - 双IGBT模块 1700V |
晶体管极性:N
饱和电压, Vce sat 最大:2.45V
电压, Vceo:1700V
封装类型:SEMiX 2
外宽:116.5mm
外部深度:61.6mm
封装类型:SEMiX 2
晶体管数:2
晶体管类型:IGBT
SMD标号:SEMiX2
上升时间:105ns
安装孔中心距:77mm
安装孔直径:5.5mm
最大连续电流, Ic:450A
温度 @ 电流测量:25°C
电压:1700V
电压, Vces:1700V
电流, Icm 脉冲:450A
集电极电流, Ic 平均值:450A
集电极连续电流, Ic 最大值:290A
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无库存 |
1 |
1 |
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SEMIKRON - SEMIX 703GB126HDS - 双IGBT模块 1200V |
晶体管极性:N
集电极直流电流:642A
饱和电压, Vce sat 最大:2.15V
电压, Vceo:1200V
封装类型:SEMiX 2
针脚数:7
外宽:149.5mm
外部深度:61.6mm
封装类型:SEMiX 2
晶体管数:4
晶体管类型:IGBT
SMD标号:SEMiX3
上升时间:60ns
安装孔中心距:137mm
安装孔直径:5.5mm
最大连续电流, Ic:700A
温度 @ 电流测量:25°C
电压:1200V
电压, Vces:1200V
电流, Icm 脉冲:700A
集电极电流, Ic 平均值:700A
集电极连续电流, Ic 最大值:490A
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无库存 |
1 |
1 |
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SEMIKRON - SEMIX 503GB126HDS - 双IGBT模块 1200V |
晶体管极性:N
饱和电压, Vce sat 最大:2.15V
电压, Vceo:1200V
封装类型:SEMiX 3
外宽:149.5mm
外部深度:61.6mm
封装类型:SEMiX 3
晶体管数:2
晶体管类型:IGBT
SMD标号:SEMiX3
上升时间:55ns
安装孔中心距:137mm
安装孔直径:5.5mm
最大连续电流, Ic:480A
温度 @ 电流测量:25°C
电压:1200V
电压, Vces:1200V
电流, Icm 脉冲:480A
集电极电流, Ic 平均值:480A
集电极连续电流, Ic 最大值:330A
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无库存 |
1 |
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SEMIKRON - SEMIX 352GB128DS - 双IGBT模块 1200V SPT |
晶体管极性:N
饱和电压, Vce sat 最大:2.35V
电压, Vceo:1200V
封装类型:SEMiX 2
外宽:116.5mm
外部深度:61.6mm
封装类型:SEMiX 2
晶体管数:2
晶体管类型:IGBT
SMD标号:SEMiX2
上升时间:55ns
安装孔中心距:77mm
安装孔直径:5.5mm
最大连续电流, Ic:370A
温度 @ 电流测量:25°C
电压:1200V
电压, Vces:1200V
电流, Icm 脉冲:370A
集电极电流, Ic 平均值:370A
集电极连续电流, Ic 最大值:260A
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无库存 |
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1 |
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SEMIKRON - SEMIX 452GB126HDS - 双IGBT模块 1200V |
晶体管极性:N
饱和电压, Vce sat 最大:2.15V
电压, Vceo:1200V
封装类型:SEMiX 2
外宽:116.5mm
外部深度:61.6mm
封装类型:SEMiX 2
晶体管数:4
晶体管类型:IGBT
SMD标号:SEMiX2
上升时间:65ns
安装孔中心距:77mm
安装孔直径:5.5mm
最大连续电流, Ic:470A
温度 @ 电流测量:25°C
电压:1200V
电压, Vces:1200V
电流, Icm 脉冲:470A
集电极电流, Ic 平均值:470A
集电极连续电流, Ic 最大值:330A
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无库存 |
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SEMIKRON - SEMIX 302GB126HDS - 双IGBT模块 1200V |
晶体管极性:N
饱和电压, Vce sat 最大:2.15V
电压, Vceo:1200V
封装类型:SEMiX 2
外宽:116.5mm
外部深度:61.6mm
封装类型:SEMiX 2
晶体管数:2
晶体管类型:IGBT
SMD标号:SEMiX2
上升时间:50ns
安装孔中心距:77mm
安装孔直径:5.5mm
最大连续电流, Ic:300A
温度 @ 电流测量:25°C
电压:1200V
电压, Vces:1200V
电流, Icm 脉冲:300A
集电极电流, Ic 平均值:300A
集电极连续电流, Ic 最大值:210A
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无库存 |
1 |
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SEMIKRON - SEMIX 252GB126HDS - 双IGBT模块 1200V |
晶体管极性:N
饱和电压, Vce sat 最大:2.15V
电压, Vceo:1200V
封装类型:SEMiX 2
外宽:116.5mm
外部深度:61.6mm
封装类型:SEMiX 2
晶体管数:2
晶体管类型:IGBT
SMD标号:SEMiX2
上升时间:45ns
安装孔中心距:77mm
安装孔直径:5.5mm
最大连续电流, Ic:240A
温度 @ 电流测量:25°C
电压:1200V
电压, Vces:1200V
电流, Icm 脉冲:240A
集电极电流, Ic 平均值:240A
集电极连续电流, Ic 最大值:170A
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无库存 |
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SEMIKRON - SEMIX 603GB066HDS - 双IGBT模块 600V |
晶体管极性:N
饱和电压, Vce sat 最大:1.9V
电压, Vceo:600V
封装类型:SEMiX 3
外宽:149.5mm
外部深度:61.6mm
封装类型:SEMiX 3
晶体管数:2
晶体管类型:IGBT
SMD标号:SEMiX3
上升时间:145ns
功率, Pd:40W
安装孔中心距:137mm
安装孔直径:5.5mm
最大连续电流, Ic:730A
温度 @ 电流测量:25°C
电压:600V
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:1200A
集电极电流, Ic 平均值:730A
集电极连续电流, Ic 最大值:520A
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无库存 |
1 |
1 |
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SEMIKRON - SEMIX 402GB066HDS - 双IGBT模块 600V |
晶体管极性:N
饱和电压, Vce sat 最大:1.9V
电压, Vceo:600V
封装类型:SEMiX 2
外宽:116.5mm
外部深度:61.6mm
封装类型:SEMiX 2
晶体管数:2
晶体管类型:IGBT
SMD标号:SEMiX2
功率, Pd:45W
安装孔中心距:77mm
安装孔直径:5.5mm
最大连续电流, Ic:490A
温度 @ 电流测量:25°C
电压:600V
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:800A
集电极电流, Ic 平均值:490A
集电极连续电流, Ic 最大值:340A
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无库存 |
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SEMIKRON - SEMIX 202GB066HDS - 双IGBT模块 600V |
晶体管极性:N
饱和电压, Vce sat 最大:1.9V
电压, Vceo:600V
封装类型:SEMiX 2
外宽:116.5mm
外部深度:61.6mm
封装类型:SEMiX 2
晶体管数:2
晶体管类型:IGBT
SMD标号:SEMiX2
上升时间:78ns
功率, Pd:45W
安装孔中心距:77mm
安装孔直径:5.5mm
最大连续电流, Ic:240A
温度 @ 电流测量:25°C
电压:600V
电压, Vces:600V
电流, Icm 脉冲:400A
集电极电流, Ic 平均值:240A
集电极连续电流, Ic 最大值:270A
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无库存 |
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SEMIKRON - SKM150GB128D - 晶体管 IGBT模块 2X1200V |
晶体管极性:N
饱和电压, Vce sat 最大:2.35V
电压, Vceo:1200V
封装类型:SEMITRANS 2
外宽:94mm
外部深度:30.5mm
外部长度/高度:26mm
封装类型:SEMITRANS 2
晶体管数:2
晶体管类型:IGBT Dual SPT
上升时间:40ns
下降时间:65ns
安装孔中心距:80mm
最大连续电流, Ic:200A
温度 @ 电流测量:25°C
电压, Vces:1200V
集电极电流, Ic 平均值:200A
集电极连续电流, Ic 最大值:140A
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无库存 |
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SEMIKRON - SKM100GB128D - 晶体管 IGBT模块 2X1200V |
晶体管极性:N
饱和电压, Vce sat 最大:2.35V
电压, Vceo:1200V
封装类型:SEMITRANS 2
外宽:94mm
外部深度:30.5mm
外部长度/高度:26mm
封装类型:SEMITRANS 2
晶体管数:2
晶体管类型:IGBT - Soft Punch Through
上升时间:38ns
下降时间:65ns
安装孔中心距:80mm
最大连续电流, Ic:145A
温度 @ 电流测量:25°C
电压, Vces:1200V
集电极电流, Ic 平均值:145A
集电极连续电流, Ic 最大值:105A
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无库存 |
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SEMIKRON - SKM75GB128D - 晶体管 IGBT模块 2X1200V |
晶体管极性:N
饱和电压, Vce sat 最大:1.15V
电压, Vceo:1200V
封装类型:SEMITRANS 2
外宽:94mm
外部深度:30.5mm
外部长度/高度:26mm
封装类型:SEMITRANS 2
晶体管数:2
晶体管类型:IGBT - Soft Punch Through
上升时间:35ns
下降时间:65ns
安装孔中心距:80mm
最大连续电流, Ic:100A
温度 @ 电流测量:25°C
电压, Vces:1200V
集电极电流, Ic 平均值:100A
集电极连续电流, Ic 最大值:70A
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停产 |
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SEMIKRON - SEMIX703GB126HDS - 晶体管 IGBT模块 2X1200V |
集电极直流电流:642A
饱和电???, Vce sat 最大:2.15V
电压, Vceo:1.2V
封装类型:SEMiX 3s
针脚数:7
封装类型:SEMiX 3s
晶体管类型:Dual Trench IGBT
上升时间:60ns
最大连续电流, Ic:700A
电压, Vrrm:1200V
电流, Icm 脉冲:900A
电流, Ifs 最大:2900A
集电极电流, Ic 平均值:700A
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无库存 |
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