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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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SEMIKRON - SEMIX503GB126HDS - 晶体管 IGBT模块 2X1200V |
饱和电压, Vce sat 最大:2.15V
??压, Vceo:1.2V
封装类型:SEMiX 3s
封装类型:SEMiX 3s
晶体管类型:Dual Trench IGBT
上升时间:55ns
最大连续电流, Ic:480A
电压, Vrrm:1200V
电流, Icm 脉冲:600A
电流, Ifs 最大:2000A
集电极电流, Ic 平均值:480A
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无库存 |
1 |
1 |
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SEMIKRON - SEMIX352GB128DS - 晶体管 IGBT模块 2X1200V |
晶体管极性:N
饱和电压, Vce sat ???大:2.35V
电压, Vceo:1.15V
封装类型:SEMiX 2s
封装类型:SEMiX 2s
晶体管类型:IGBT Module
表面安装器件:螺丝安装
上升时间:55ns
最大连续电流, Ic:370A
电压, Vces:1200V
电压, Vrrm:1200V
电流, Icm 脉冲:400A
电流, Ifs 最大:2000A
集电极电流, Ic 平均值:370A
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停产 |
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1 |
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SEMIKRON - SEMIX452GB126HDS - 晶体管 IGBT模块 2X1200V |
模块配置:1 Pair Series Connection
晶体管极性:N Channel
集电极直流电流:470A
饱和电压, Vce sat 最大:2.15V
电压, Vceo:1.2V
工作温度范围:-40°C to +150°C
封装类型:SEMiX 2s
封装类型:SEMiX 2s
晶体管类型:IGBT Module
表面安装器件:螺丝安装
上升时间:100ns
最大连续电流, Ic:470A
电压, Vces:1200V
电压, Vrrm:1200V
电流, Icm 脉冲:600A
电流, Ifs 最大:1900A
集电极电流, Ic 平均值:470A
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停产 |
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1 |
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SEMIKRON - SEMIX302GB126HDS - 晶体管 IGBT模块 2X1200V |
饱和电压, Vce sat 最大:2.15V
电压, Vceo:1.2V
封装类型:SEMiX 2s
封装类型:SEMiX 2s
晶体管类型:Dual Trench IGBT
上升时间:100ns
最大连续电流, Ic:300A
电压, Vrrm:1200V
电流, Icm 脉冲:400A
电流, Ifs 最大:1300A
集电极电流, Ic 平均值:300A
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无库存 |
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1 |
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VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIER - 50MT060WHTAPBF - 晶体管 IGBT模块 MTP 600V |
晶体管极性:N Channel
集电极直流电流:114A
饱和电压, Vce sat 最大:2.3V
最大功耗:658W
电压, Vceo:600V
工作温度范围:-40°C to +150°C
封装类型:MTP
封装类型:MTP
晶体管类型:IGBT Module
表面安装器件:通孔安装
功率, Pd:658W
功耗:658W
最大连续电流, Ic:114A
电压, Vces:600V
电流, Ic @ Vce饱和:50A
电流, Icm 脉冲:350A
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上海 0
新加坡 0
英国12 |
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SEMIKRON - SKM 300 GA123D - 晶体管 IGBT模块 Vceo:1200V SEMITRANS 4 |
晶体管 IGBT模块 Vceo:1200V SEMITRANS 4
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无库存 |
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SEMIKRON - SKM 300GB123D - 晶体管 IGBT模块 Vceo:1200V Case 3 |
晶体管 IGBT模块 Vceo:1200V Case 3
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美国 0
上海 0
美国25
新加坡 0 |
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1 |
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SEMIKRON - SKM 22GD123D - 晶体管 IGBT模块 Vceo:1200V D67 22A |
晶体管 IGBT模块 Vceo:1200V D67 22A
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无库存 |
1 |
1 |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - HGT1N30N60A4D - 晶体管 IGBT 39A 600V |
晶体管???性:N
饱和电压, Vce sat 最大:2.7V
电压, Vceo:600V
封装类型:SOT-227
封装类型:SOT-227
晶体管类型:IGBT
上升时间:12ns
功率, Pd:255W
最大连续电流, Ic:96A
电流, Icm 脉冲:240A
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停产 |
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1 |
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FUJI ELECTRIC - 2MBI200S-120 - 晶体管 IGBT模块 1200V 200A |
晶体管极性:N 通道
饱和电压, Vce sat 最大:2.6V
电压, Vceo:1200V
封装类型:M234
外宽:108mm
外部深度:62mm
外部长度/高度:30mm
封装类型:M234
晶体管数:2
晶体管类型:IGBT Module
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:螺丝安装
重量:0.18kg
上升时间:600ns
下降时间:300ns
功率, Pd:1500W
功耗:1500W
最大连续电流, Ic:300A
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压, Vces:1200V
电流, Ic @ Vce饱和:200A
电流, Icm 脉冲:600A
隔离电压:2500V
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无库存 |
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FUJI ELECTRIC - 2MBI150S-120 - 晶体管 IGBT模块 1200V 150A |
晶体管极性:N 通道
饱和电压, Vce sat 最大:2.6V
电压, Vceo:1200V
封装类型:M234
外宽:108mm
外部深度:62mm
外部长度/高度:30mm
封装类型:M234
晶体管数:2
晶体管类型:IGBT
结温, Tj 最高:150°C
重量:0.18kg
上升时间:600ns
下降时间:300ns
功率, Pd:1000W
功耗:1000W
最大连续电流, Ic:200A
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压, Vces:1200V
电流, Ic @ Vce饱和:150A
电流, Icm 脉冲:400A
隔离电压:2500V
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无库存 |
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SEMIKRON - SKM 150GB123D - 晶体管 IGBT模块 Vceo:1200V D56 150A |
晶体管 IGBT模块 Vceo:1200V D56 150A
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无库存 |
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VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIER - CPV364M4U - 晶体管 IGBT模块 六晶体管 IGBT IMS-2 |
晶体管极性:N沟道
集电极直流电流:20A
饱和电压, Vce sat 最大:2.1V
最大功耗:63W
电压, Vceo:600V
工作温度范围:-40°C to +150°C
封装类型:IMS-2
针脚数:13
封装类型:IMS-2
晶体管数:1
晶体管类型:IGBT
上升时间:13ns
下降时间最大:160ns
功率, Pd:63W
功耗:63W
时间, trr 典型值:13ns
最大连续电流, Ic:20A
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压, Vces:600V
电流, Ic @ Vce饱和:10A
电流, Icm 脉冲:60A
隔离电压:2.5kV
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无库存 |
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SEMIKRON - SEMIX 653GD176HDC - 晶体管 IGBT模块 6晶体管 1700V |
晶体管极性:N
集电极直流电流:660A
饱和电压, Vce sat 最大:2.45V
电压, Vceo:1700V
封装类型:SEMiX 33c
外宽:162mm
外部深度:150mm
封装类型:SEMiX 33c
晶体管数:6
晶体管类型:IGBT
SMD标号:SEMiX 33c
上升时间:90ns
安装孔中心距:50mm
安装孔直径:5.5mm
最大连续电流, Ic:650A
温度 @ 电流测量:25°C
电压:1700V
电压, Vces:1700V
电流, Icm 脉冲:650A
集电极电流, Ic 平均值:650A
集电极连续电流, Ic 最大值:460A
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无库存 |
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SEMIKRON - SEMIX 703GD126HDC - 晶体管 IGBT模块 双晶体管 1200V |
晶体管极性:N
集电极直流电流:642A
饱和电压, Vce sat 最大:2.15V
电压, Vceo:1200V
工作温度范围:-40°C to +125°C
封装类型:SEMiX 33c
针脚数:29
外宽:162mm
外部深度:150mm
封装类型:SEMiX 33c
晶体管数:6
晶体管类型:IGBT
SMD标号:SEMiX 33c
上升时间:60ns
安装孔中心距:50mm
安装孔直径:5.5mm
最大连续电流, Ic:700A
温度 @ 电流测量:25°C
电压:1200V
电压, Vces:1200V
电流, Icm 脉冲:700A
集电极电流, Ic 平均值:700A
集电极连续电流, Ic 最大值:490A
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