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产品描述 |
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![FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 1V5KE27CA - 二极管 TVS 1500W 27V](/icimg/11/10351.jpg) |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 1V5KE27CA - 二极管 TVS 1500W 27V |
电压, Vrwm:23.1V
钳位电压 最大:37.5V
二极管配置:Bidirectional
峰值??冲电流:40A
封装形式:DO-201AE
针脚数:2
功耗:5W
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
主体直径:5.33mm
二极管类型:TVS, 双向
击穿电压 最小:25.7V
反向漏电流, 最大:5μA
外部长度/高度:9.52mm
封装类型:DO-201AE
工作温度范围:-55°C to +175°C
截止电压:23.1V
最高击穿电压:28.4V
极性, 单向/双向:双向
测试电流:1mA
漏电流:5μA
电压 Vbr:27V
脉冲峰值功率:1500W
表面安装器件:轴向引线
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海 0 新加坡 0 英国900 |
1 |
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![FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 1V5KE27A - 二极管 TVS 1500W 27V](/icimg/11/10350.jpg) |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 1V5KE27A - 二极管 TVS 1500W 27V |
电压, Vrwm:23.1V
钳位电压 最大:37.5V
二极管配置:Unidirectional
峰值脉冲???流:40A
封装形式:DO-201AE
针脚数:2
功耗:5W
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
主体直径:5.33mm
二极管类型:TVS, 单向
击穿电压 最小:25.7V
反向漏电流, 最大:5μA
外部长度/高度:9.52mm
封装类型:DO-201AE
工作温度范围:-55°C to +175°C
截止电压:23.1V
最高击穿电压:28.4V
极性, 单向/双向:单向
测试电流:1mA
电压 Vbr:27V
脉冲峰值功率:1500W
表面安装器件:轴向引线
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海 0 新加坡 0 英国1680 |
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![FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 1V5KE24CA - 二极管 TVS 1500W 24V](/icimg/11/10349.jpg) |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 1V5KE24CA - 二极管 TVS 1500W 24V |
电压, Vrwm:20.5V
钳位电压 最大:33.2V
二极管配置:Bidirectional
峰值??冲电流:45.2A
封装形式:DO-201AE
针脚数:2
功耗:5W
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
主体直径:5.33mm
二极管类型:TVS, 双向
击穿电压 最小:22.8V
反向漏电流, 最大:5μA
外部长度/高度:9.52mm
封装类型:DO-201AE
工作温度范围:-55°C to +175°C
截止电压:20.5V
最高击穿电压:25.2V
极性, 单向/双向:双向
测试电流:1mA
漏电流:5μA
电压 Vbr:24V
脉冲峰值功率:1500W
表面安装器件:轴向引线
SVHC(高度关注物质)(附??):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海 0 新加坡 0 英国22 |
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![FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 1V5KE24A - 二极管 TVS 1500W 24V](/icimg/11/10348.jpg) |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 1V5KE24A - 二极管 TVS 1500W 24V |
电压, Vrwm:20.5V
钳位电压 最大:33.2V
二极管配置:Unidirectional
峰值脉冲???流:45.2A
封装形式:DO-201AE
针脚数:2
功耗:5W
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
主体直径:5.33mm
二极管类型:TVS, 单向
击穿电压 最小:22.8V
反向漏电流, 最大:5μA
外部长度/高度:9.52mm
封装类型:DO-201AE
工作温度范围:-55°C to +175°C
截止电压:20.5V
最高击穿电压:25.2V
极性, 单向/双向:单向
测试电流:1mA
电压 Vbr:24V
脉冲峰值功率:1500W
表面安装器件:轴向引线
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海 0 新加坡 0 英国295 |
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![FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 1V5KE22CA - 二极管 TVS 1500W 22V](/icimg/11/10347.jpg) |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 1V5KE22CA - 二极管 TVS 1500W 22V |
电压, Vrwm:18.8V
钳位电压 最大:30.6V
二极管配置:Bidirectional
峰值??冲电流:49A
封装形式:DO-201AE
针脚数:2
功耗:5W
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
主体直径:5.33mm
二极管类型:TVS, 双向
击穿电压 最小:20.9V
反向漏电流, 最大:5μA
外部长度/高度:9.52mm
封装类型:DO-201AE
工作温度范围:-55°C to +175°C
截止电压:18.8V
最高击穿电压:23.1V
极性, 单向/双向:双向
测试电流:1mA
漏电流:5μA
电压 Vbr:22V
脉冲峰值功率:1500W
表面安装器件:轴向引线
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海 0 新加坡 0 英国990 |
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![FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 1V5KE22A - 二极管 TVS 1500W 22V](/icimg/11/10346.jpg) |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 1V5KE22A - 二极管 TVS 1500W 22V |
电压, Vrwm:18.8V
钳位电压 最大:30.6V
二极管配置:Unidirectional
峰值脉冲???流:49A
封装形式:DO-201AE
针脚数:2
功耗:5W
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
主体直径:5.33mm
二极管类型:TVS, 单向
击穿电压 最小:20.9V
反向漏电流, 最大:5μA
外部长度/高度:9.52mm
封装类型:DO-201AE
工作温度范围:-55°C to +175°C
截止电压:18.8V
最高击穿电压:23.1V
极性, 单向/双向:单向
测试电流:1mA
电压 Vbr:22V
脉冲峰值功率:1500W
表面安装器件:轴向引线
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海 0 新加坡 0 英国266 |
1 |
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![FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 1V5KE20CA - 二极管 TVS 1500W 20V](/icimg/11/10345.jpg) |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 1V5KE20CA - 二极管 TVS 1500W 20V |
电压, Vrwm:17.1V
钳位电压 最大:27.7V
二极管配置:Bidirectional
峰值??冲电流:54.2A
封装形式:DO-201AE
针脚数:2
功耗:5W
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
主体直径:5.33mm
二极管类型:TVS, 双向
击穿电压 最小:19V
反向漏电流, 最大:5μA
外部长度/高度:9.52mm
封装类型:DO-201AE
工作温度范围:-55°C to +175°C
截止电压:17.1V
最高击穿电压:21V
极性, 单向/双向:双向
测试电流:1mA
漏电流:5μA
电压 Vbr:20V
脉冲峰值功率:1500W
表面安装器件:轴向引线
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海 0 新加坡 0 英国770 |
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![FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 1V5KE20A - 二极管 TVS 1500W 20V](/icimg/11/10344.jpg) |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 1V5KE20A - 二极管 TVS 1500W 20V |
电压, Vrwm:17.1V
钳位电压 最大:27.7V
二极管配置:Unidirectional
峰值脉冲???流:54.2A
封装形式:DO-201AE
针脚数:2
功耗:5W
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
主体直径:5.33mm
二极管类型:TVS, 单向
击穿电压 最小:19V
反向漏电流, 最大:5μA
外部长度/高度:9.52mm
封装类型:DO-201AE
工作温度范围:-55°C to +175°C
截止电压:17.1V
最高击穿电压:21V
极性, 单向/双向:单向
测试电流:1mA
电压 Vbr:20V
脉冲峰值功率:1500W
表面安装器件:轴向引线
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海 0 新加坡 0 英国2215 |
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![FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 1V5KE200CA - 二极管 TVS 1500W 200V](/icimg/11/10343.jpg) |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 1V5KE200CA - 二极管 TVS 1500W 200V |
电压, Vrwm:171V
钳位电压 最大:274V
二极管配置:Bidirectional
???值脉冲电流:5.5A
封装形式:DO-201AE
针脚数:2
功耗:5W
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
主体直径:5.33mm
二极管类型:TVS, 双向
击穿电压 最小:190V
反向漏电流, 最大:5μA
器件标记:1V5KE200CA
外部长度/高度:9.52mm
封装类型:DO-201AE
工作温度范围:-55°C to +175°C
截止电压:171V
最高击穿电压:210V
极性, 单向/双向:双向
测试电流:1mA
漏电流:5μA
电压 Vbr:200V
脉冲峰值功率:1500W
表面安装器件:轴向引线
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海 0 新加坡30 英国3408 |
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![FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 1V5KE200A - 二极管 TVS 1500W 200V](/icimg/11/10342.jpg) |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 1V5KE200A - 二极管 TVS 1500W 200V |
电压, Vrwm:171V
钳位电压 最大:274V
二极管配置:Unidirectional
峰值脉冲电流:5.5A
封装形式:DO-201AE
针脚数:2
功耗:5W
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
主体直径:5.33mm
二极管类型:TVS, 单向
击穿电压 最小:190V
反向漏电流, 最大:5μA
器件标记:1V5KE200A
外部长度/高度:9.52mm
封装类型:DO-201AE
工作温度范围:-55°C to +175°C
截止电压:171V
最高击穿电压:210V
极性, 单向/双向:单向
测试电流:1mA
电压 Vbr:200V
脉冲峰值功率:1500W
表面安装器件:轴向引线
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海 0 新加坡213 英国2479 |
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![FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 1V5KE18CA - 二极管 TVS 1500W 18V](/icimg/11/10341.jpg) |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 1V5KE18CA - 二极管 TVS 1500W 18V |
电压, Vrwm:15.3V
钳位电压 最大:26.2V
二极管配置:Bidirectional
峰值??冲电流:59.5A
封装形式:DO-201AE
针脚数:2
功耗:5W
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
主体直径:5.33mm
二极管类型:TVS, 双向
击穿电压 最小:17.1V
反向漏电流, 最大:5μA
外部长度/高度:9.52mm
封装类型:DO-201AE
工作温度范围:-55°C to +175°C
截止电压:15.3V
最高击穿电压:18.9V
极性, 单向/双向:双向
测试电流:1mA
漏电流:5μA
电压 Vbr:18V
脉冲峰值功率:1500W
表面安装器件:轴向引线
SVHC(高度关注物质)(附??):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海 0 新加坡 0 英国1879 |
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![订购](../images/buy.jpg) |
![FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 1V5KE18A - 二极管 TVS 1500W 18V](/icimg/11/10340.jpg) |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 1V5KE18A - 二极管 TVS 1500W 18V |
电压, Vrwm:15.3V
钳位电压 最大:26.2V
二极管配置:Unidirectional
峰值脉冲???流:59.5A
封装形式:DO-201AE
针脚数:2
功耗:5W
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
主体直径:5.33mm
二极管类型:TVS, 单向
击穿电压 最小:17.1V
反向漏电流, 最大:5μA
外部长度/高度:9.52mm
封装类型:DO-201AE
工作温度范围:-55°C to +175°C
截止电压:15.3V
最高击穿电压:18.9V
极性, 单向/双向:单向
测试电流:1mA
电压 Vbr:18V
脉冲峰值功率:1500W
表面安装器件:轴向引线
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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无库存 |
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![FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 1V5KE16CA - 二极管 TVS 1500W 16V](/icimg/11/10339.jpg) |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 1V5KE16CA - 二极管 TVS 1500W 16V |
电压, Vrwm:13.6V
钳位电压 最大:22.5V
二极管配置:Bidirectional
峰值??冲电流:67A
封装形式:DO-201AE
针脚数:2
功耗:5W
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
主体直径:5.33mm
二极管类型:TVS, 双向
击穿电压 最小:15.2V
反向漏电流, 最大:5μA
外部长度/高度:9.52mm
封装类型:DO-201AE
工作温度范围:-55°C to +175°C
截止电压:13.6V
最高击穿电压:16.8V
极性, 单向/双向:双向
测试电流:1mA
漏电流:5μA
电压 Vbr:16V
脉冲峰值功率:1500W
表面安装器件:轴向引线
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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上海 0 新加坡 0 英国3246 |
1 |
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![订购](../images/buy.jpg) |
![FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 1V5KE16A - 二极管 TVS 1500W 16V](/icimg/11/10338.jpg) |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 1V5KE16A - 二极管 TVS 1500W 16V |
钳位电压 最大:22.5V
峰值脉冲电流:67A
封装形式:DO-201AE
主体直径:5.33mm
二极管类型:TVS, 单向
击穿电压 最小:15.2V
反向漏电流, 最大:5μA
外部长度/高度:9.52mm
封装类型:DO-201AE
工作温度范围:-55°C to +175°C
截止电压:13.6V
最高击穿电压:16.8V
极性, 单向/双向:单向
测试电流:1mA
脉冲峰值功率:1500W
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上海650 新加坡 0 英国 0 |
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![FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 1V5KE160CA - 二极管 TVS 1500W 160V](/icimg/11/10337.jpg) |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - 1V5KE160CA - 二极管 TVS 1500W 160V |
电压, Vrwm:136V
钳位电压 最大:219V
二极管配置:Bidirectional
???值脉冲电流:6.8A
封装形式:DO-201AE
针脚数:2
功耗:5W
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
主体直径:5.33mm
二极管类型:TVS, 双向
击穿电压 最小:152V
反向漏电流, 最大:5μA
外部长度/高度:9.52mm
封装类型:DO-201AE
工作温度范围:-55°C to +175°C
截止电压:136V
最高击穿电压:168V
极性, 单向/双向:双向
测试电流:1mA
漏电流:5μA
电压 Vbr:168V
脉冲峰值功率:1500W
表面安装器件:轴向引线
SVHC(高度关注物质)(???加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
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无库存 |
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