DIODES INC. - ZXMN6A11DN8TA - 场效应管 MOSFET 双N型 60V SO8
制造商：DIODES INC.
库存编号：
制造商编号：ZXMN6A11DN8TA
库存状态：无库存
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 10.10
价格：
库存编号：
制造商编号：ZXMN6A11DN8TA
库存状态：无库存
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格(不含税)：CNY 10.10
价格：
| 数量 | 单位价格(不含税) |
|---|---|
| 1 - 9 | CNY 10.10 |
| 10 - 99 | CNY 7.30 |
| 100+ | CNY 4.68 |
描述信息：
- 模块配置:Dual N Channel
- 晶体管极性:Dual N
- 漏极电流, Id 最大值:3.2A
- 电压, Vds 最大:60V
- 开态电阻, Rds(on):0.18ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1V
- 功耗:2.1W
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:SOIC
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- 封装类型:SOIC
- 晶体管数:2
- 晶体管类型:MOSFET
- 表面安装器件:表面安装
- 针脚配置:1(S1), 2(G1),3(S2),4(G2),5+6(D2),7+8(D1)
- 功率, Pd:1.25W
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:60V
- 电流, Id 连续:3.2A
- 电流, Idm 脉冲:13.7A
产品属性：
重量（公斤）：0.00007
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 模块配置:Dual N Channel
- 晶体管极性:Dual N
- 漏极电流, Id 最大值:3.2A
- 电压, Vds 最大:60V
- 开态电阻, Rds(on):0.18ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1V
- 功耗:2.1W
- 工作温度范围:-55°C to +150°C
- 封装类型:SOIC
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- 封装类型:SOIC
- 晶体管数:2
- 晶体管类型:MOSFET
- 表面安装器件:表面安装
- 针脚配置:1(S1), 2(G1),3(S2),4(G2),5+6(D2),7+8(D1)
- 功率, Pd:1.25W
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:60V
- 电流, Id 连续:3.2A
- 电流, Idm 脉冲:13.7A
