
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDS4885C - 双MOSFET N+P SO-8

描述信息:
- 晶体管极性:N/P
- 电压, Vds 最大:40V
- 开态电阻, Rds(on):31mohm
- 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
- 功耗:2W
- 封装类型:SOIC
- 针脚数:8
- SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
- SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
- 封装类型:SOIC
- 晶体管数:2
- 晶体管类型:MOSFET
- 表面安装器件:表面安装
- 漏极连续电流, Id N沟道:7.5A
- 漏极连续电流, Id P沟道:6A
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:40V
- 电流, Id 连续:7.5A
- 脉冲电流, Idm N沟道(1):20A
- 脉冲电流, Idm P沟道:20A
- 通态电阻, Rds on N沟道 最大:0.022ohm
- 通态电阻, Rds on P沟道 最大:0.031ohm
产品属性:
重量(公斤):0.0005
原产地:
最近制造加工所发生的国家:
描述信息:
- 晶体管极性:N/P
- 电压, Vds 最大:40V
- 开态电阻, Rds(on):31mohm
- 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
- 功耗:2W
- 封装类型:SOIC
- 针脚数:8
- SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
- SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
- 封装类型:SOIC
- 晶体管数:2
- 晶体管类型:MOSFET
- 表面安装器件:表面安装
- 漏极连续电流, Id N沟道:7.5A
- 漏极连续电流, Id P沟道:6A
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:40V
- 电流, Id 连续:7.5A
- 脉冲电流, Idm N沟道(1):20A
- 脉冲电流, Idm P沟道:20A
- 通态电阻, Rds on N沟道 最大:0.022ohm
- 通态电阻, Rds on P沟道 最大:0.031ohm