
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDC6000NZ - 场效应管 MOSFET 双 N SMD FLMP SSOT-6

描述信息:
- 晶体管极性:Dual N
- 开态电阻, Rds(on):0.02ohm
- 阈值电压, Vgs th 典型值:0.9V
- 功耗:1.6mW
- 封装类型:SSOT
- 针脚数:6
- SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
- SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
- 封装类型:SSOT-6 FLMP
- 晶体管类型:MOSFET
- 表面安装器件:表面安装
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
- 电压, Vds:20V
- 电压, Vds 典型值:20V
- 电流, Id 连续:7.3A
- 阈值电压, Vgs th 最高:1.5V
产品属性:
重量(公斤):0.00002
原产地:
最近制造加工所发生的国家:
描述信息:
- 晶体管极性:Dual N
- 开态电阻, Rds(on):0.02ohm
- 阈值电压, Vgs th 典型值:0.9V
- 功耗:1.6mW
- 封装类型:SSOT
- 针脚数:6
- SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
- SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
- 封装类型:SSOT-6 FLMP
- 晶体管类型:MOSFET
- 表面安装器件:表面安装
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
- 电压, Vds:20V
- 电压, Vds 典型值:20V
- 电流, Id 连续:7.3A
- 阈值电压, Vgs th 最高:1.5V