
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDC6020C - 双MOSFET N+P SMD FLMP SSOT-6

制造商:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
库存编号:
制造商编号:FDC6020C
库存状态:上海 0 , 新加坡 0 , 英国279
包装规格:1
最小订单量:1
多重订单量:1
单位价格(不含税):CNY 10.10
价格:
库存编号:
制造商编号:FDC6020C
库存状态:上海 0 , 新加坡 0 , 英国279
包装规格:1
最小订单量:1
多重订单量:1
单位价格(不含税):CNY 10.10
价格:
数量 | 单位价格(不含税) |
---|---|
1 - 24 | CNY 10.10 |
25 - 99 | CNY 8.28 |
100 - 249 | CNY 5.76 |
250+ | CNY 5.22 |

描述信息:
- 晶体管极性:NP
- 开态电阻, Rds(on):27mohm
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1V
- 功耗:1.6W
- 封装类型:SSOT
- 针脚数:6
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
- 封装类型:SSOT-6 FLMP
- 晶体管类型:MOSFET
- 表面安装器件:表面安装
- 功率, Pd:1.6W
- 漏极连续电流, Id N沟道:5.9A
- 漏极连续电流, Id P沟道:4.2A
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
- 电压, Vds:20V
- 电压, Vds 典型值:20V
- 电流, Id 连续:5.9A
- 通态电阻, Rds on N沟道 最大:0.027ohm
- 通态电阻, Rds on P沟道 最大:0.055ohm
- 阈值电压, Vgs th 最高:1.5V
产品属性:
重量(公斤):0.00002
原产地:
最近制造加工所发生的国家:
描述信息:
- 晶体管极性:NP
- 开态电阻, Rds(on):27mohm
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1V
- 功耗:1.6W
- 封装类型:SSOT
- 针脚数:6
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
- SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
- 封装类型:SSOT-6 FLMP
- 晶体管类型:MOSFET
- 表面安装器件:表面安装
- 功率, Pd:1.6W
- 漏极连续电流, Id N沟道:5.9A
- 漏极连续电流, Id P沟道:4.2A
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
- 电压, Vds:20V
- 电压, Vds 典型值:20V
- 电流, Id 连续:5.9A
- 通态电阻, Rds on N沟道 最大:0.027ohm
- 通态电阻, Rds on P沟道 最大:0.055ohm
- 阈值电压, Vgs th 最高:1.5V